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[常見問題解答]降低電源損耗：開關電源緩沖電路的設計技巧[ 2025-03-15 10:51 ]

在現代電子設備的電源設計中，提高效率和降低損耗是關鍵目標之一。特別是在高頻開關電源中，開關損耗和寄生參數導致的能量損失會影響電路的整體性能。緩沖電路在減小開關電源中的損耗、改善電壓尖峰、提高功率器件可靠性等方面起著至關重要的作用。一、開關電源損耗的主要來源開關電源的損耗主要包括導通損耗、開關損耗以及由于寄生參數導致的損耗。1. 導通損耗：當開關管（如MOSFET或IGBT）導通時，管內電阻（Rds(on)）會產生一定的功率損耗，損耗大小與電流平方成正比。2. 開關損耗：在開關管開通和關斷的瞬間，由于電流和電壓的變化

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[常見問題解答]MOS管選型常見誤區：參數理解錯誤導致的嚴重后果[ 2025-03-14 12:06 ]

MOS管的選型對于電子電路設計至關重要，然而，許多工程師在選型過程中往往因為誤讀參數而導致嚴重后果，甚至直接造成產品失效。1. VDS耐壓誤判：忽視動態尖峰電壓案例分析：某充電樁設計中，工程師選用了標稱耐壓650V的MOS管，然而，在實際測試中，因電路的關斷尖峰高達720V，導致MOSFET大批量擊穿，直接引發系統故障。誤區解析：MOS管的VDS耐壓通常指的是直流耐壓值，而實際應用中，由于電感效應、寄生參數等因素，MOS管在開關瞬間可能會出現數十甚至上百伏的尖峰電壓，如果設計時沒有考慮這些動態尖峰，就容易導致MOS

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[常見問題解答]TVS二極管 vs. ESD靜電二極管：瞬態過壓防護如何抉擇？[ 2025-03-04 10:23 ]

在電子電路設計中，瞬態過壓防護至關重要，特別是在高速數據通信和電源管理領域。為了防止靜電放電（ESD）或雷擊浪涌（Surge）等瞬態事件損壞電子元件，常見的防護方案包括TVS（Transient Voltage Suppression）二極管和ESD靜電二極管。雖然二者在原理上類似，但在應用場景、功率承受能力和寄生參數上存在顯著區別。那么，在實際電路設計中，究竟應該如何選擇？一、瞬態過壓的危害與防護需求瞬態過壓事件主要分為兩類：1. 靜電放電（ESD）——常見于人體或設備對電子產品的放電，如

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[常見問題解答]開關電源噪聲的來源及有效對策解析[ 2025-01-16 11:10 ]

開關電源在電子設備中應用十分廣泛，其效率高、體積小，是主要噪聲源之一。它可能會影響電路的性能，也可能影響其他電子設備的正常運行。因此，了解開關電源噪聲產生的原因及針對噪聲的有效對策具有十分現實的意義。一、高頻開關操作開關電源運行時，通過頻繁切換能量轉換功率管來實現。這種高頻切換會產生強烈的電磁干擾。尤其當開關頻率較高時，噪聲會成為一個主要問題。此外，較短的上升和下降波形時間也會產生更寬的噪聲成分頻譜。二、寄生參數的影響開關電源中的電感器、電容器和電路板走線都表現出某些寄生參數。在高頻工作環境中，容易發生振動、諧波、

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[常見問題解答]CMOS邏輯電路噪聲問題的技術分析及優化解決方案[ 2025-01-16 10:46 ]

CMOS邏輯電路具有低功耗、高速、高密度等優點，在現代電子設備中得到廣泛的應用。但在高速信號處理和復雜的電路環境中，噪聲問題已經成為影響性能的主要因素?？煽啃砸驳玫搅颂岣?。本文對CMOS邏輯電路中的噪聲問題進行了技術分析并提出了相應的優化解決方案。一、噪聲問題的主要原因1. 開關噪聲開關噪聲是最常見的噪聲問題。常見的噪聲問題通常是由輸出開關速度過快或電路內的寄生參數引起的。在開關過程中，大電流流過電感，產生電壓尖峰并產生噪聲。這些故障可能導致故障和系統不穩定。2. 信號反射在高速邏輯電路中，常常由于傳輸線的特性阻抗

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[常見問題解答]MOS管寄生效應：如何優化電路設計中的寄生參數[ 2024-11-07 12:07 ]

MOS管（金屬氧化物半導體管）已成為現代電子設計中必不可少的核心元件。隨著集成電路技術的發展，MOS管的應用場景逐漸擴展到各種高頻、大功率電路。然而，在MOS管的實際工作過程中，往往忽視寄生效應對電路性能的影響，導致電路設計中出現穩定性和效率問題。本文介紹MOS管的寄生效應以及如何優化您的電路設計，減少這些寄生參數的影響。一、MOS管寄生效應概述MOS管寄生效應與電路布局、制造工藝、封裝方法等因素有關。你需要了解MOS管的基本電氣特性。這些寄生參數通常包括輸入電容、輸出電容、漏極電導率、寄生電感等。這些會導致信號傳

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[常見問題解答]深入解析：MOS管寄生參數如何影響電路性能[ 2024-10-11 16:24 ]

MOS管在現代電子設計中起著至關重要的作用。無論是在電源管理、放大器設計還是高頻應用中，MOS管不僅受到其基本電學特性的影響，還受到寄生參數的影響。這些寄生參數與MOS管的內部結構、制造工藝以及電路布局密切相關，并對MOS管的性能、速度、增益和功耗產生重大影響。本文將詳細分析MOS管中的寄生參數類型及其對電路性能的影響，并討論如何減輕這些影響。一、寄生參數是指在實際應用中不可避免的附加參數。它們主要包括寄生電容、寄生電感和源極/漏極電感。具體的寄生參數如下：- 寄生電容：包括柵漏電容（Cgd）、柵源電容（Cgs）和

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[常見問題解答]MOS管尖峰電壓：成因、影響與防護措施分析[ 2024-10-10 11:52 ]

MOS管因其高效的開關速度和低導通電阻而被廣泛用作開關電源和電機驅動領域的核心器件。然而，在高頻、大電流的工作環境下，經常會出現峰值電壓，這不僅影響系統穩定性，還會造成設備損壞。本文詳細分析了MOS管出現峰值電壓的原因、對電路的影響以及常見的保護措施。一、MOS管中產生峰值電壓的原因主要與電路中的寄生參數和開關過程中的電氣特性有關。1. 寄生電容的影響MOS管工作時，存在內部寄生電容，例如柵源電容（Cgs）和漏源電容（Cds）。這些寄生電容在MOS管的開關過程中進行充電和放電。特別是當MOS管從導通狀態轉變為截止狀

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[常見問題解答]SiC器件開關性能受系統寄生參數影響的深入探討[ 2024-09-04 14:36 ]

隨著碳化硅（SiC）技術的不斷成熟和推廣，其在高壓電力電子設備中的應用日益增加。SiC器件因其能在高溫、高壓和高頻率條件下工作而受到青睞。然而，系統內部的寄生參數，如寄生電容和寄生電感，對SiC器件的開關性能有著顯著影響。本文通過詳細分析，探討這些系統寄生參數是如何影響SiC器件的性能，尤其是在開關操作中的具體表現。一、寄生電感的影響在電力電子轉換系統中，寄生電感主要來源于電連接和布線。在SiC MOSFETs和二極管開關時，寄生電感可以引起顯著的電壓超調，從而對器件造成額外的電壓應力。當開關器件嘗試快速切換時，這

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[常見問題解答]開關電源中安規Y電容與X電容的作用介紹[ 2023-07-10 16:53 ]

開關電源中安規Y電容與X電容的作用介紹1 前言開關電源模塊的電磁干擾一直是一個重要解決點，從原理上來講電磁干擾主要來自于兩個方面，分別是傳導干擾和輻射干擾。2 傳導干擾由于電路中寄生參數的存在，以及開關電源中調頻開關器件的開通與關斷，使得開關電源在市電交流輸入端產生較大共模干擾和差模干擾。3 輻射干擾由于導體中電流的變化會在其周圍空間中產生變化的磁場，而變化的磁場又產生變化的電場，這一變化電流的幅值和頻率決定其產生的電磁的大小以及其作用范圍。為了減輕和抵制這些電磁干擾對電網以及電子設備產生的危害，工程技術人員在電路

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[常見問題解答]開關電源產生電磁干擾與抑制措施介紹[ 2023-07-07 15:45 ]

開關電源產生電磁干擾與抑制措施介紹一、引言電磁兼容性（EMC）是指電子設備或系統在規定的電磁環境電平下不因電磁干擾而降低性能指標，同時它們本身產生的電磁輻射不大于規定的極限電平，不影響其它電子設備或系統的正常運行，并達到設備與設備、系統與系統之間互不干擾、共同可靠地工作的目的。開關電源作為一種電源設備，其應用越來越廣泛。隨著電力電子器件的不斷更新換代，開關電源的開關頻率及開關速度不斷提高，但開關的快速通斷，引起電壓和電流的快速變化。這些瞬變的電壓和電流，通過電源線路、寄生參數和雜散的電磁場耦合，會產生大量的電磁干擾

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[常見問題解答]MOSFET的EOSS參數解析[ 2023-05-23 17:13 ]

MOSFET的EOSS參數解析Mosfet的寄生參數，其中Eoss是一個非常重要的參數。1、Eoss參數的重要性對于硬開關變換電路來說，MOSFET開通之前，Coss需要釋放能量，這部分能量就構成一部分導通損耗。對于軟開關變換電路來說，MOSFET開通之前，電流可以為零，也可以流過反向二極管續流。實現了軟開關減小了導通損耗。因此，Eoss在于硬開關電路里面是非常重要的。對于軟開關電路來說，Eoss并不會太影響效率。2、Eoss參數的來源2.1 Coss的來源Coss為MOSFET的寄生電容，Coss = Cgd +

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[常見問題解答]電源設計經驗「MOS場效應管」驅動電路詳解(圖) - 壹芯微[ 2021-08-11 09:48 ]

電源設計經驗「MOS場效應管」驅動電路詳解(圖) - 壹芯微在使用MOSFET設計開關電源時，大多都會考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。但大多時候也僅僅只考慮了這些因素，這樣的電路或許可以正常工作，但不是一個最好的設計方案。更細致的，MOSFET還應考慮本身寄生參數。對一個確定的MOSFET，其驅動電路，驅動腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會影響MOSFET的開關性能。當電源IC與MOS管選定之后，選擇合適的驅動電路來連接電源IC與MOS管就顯得尤其重要了。一個好的MOSFET驅動電路有以下幾點要求：

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[常見問題解答]MOS管柵極驅動電阻怎么設計[ 2019-12-05 12:17 ]

MOS管柵極驅動電阻怎么設計MOS管的驅動對其工作效果起著決定性的作用。設計師既要考慮減少開關損耗，又要求驅動波形較好即振蕩小、過沖小、EMI小。這兩方面往往是互相矛盾的，需要尋求一個平衡點，即驅動電路的優化設計。驅動電路的優化設計包含兩部分內容：一是最優的驅動電流、電壓的波形；二是最優的驅動電壓、電流的大小。在進行驅動電路優化設計之前，必須先清楚MOS管的模型、MOS管的開關過程、MOS管的柵極電荷以及MOS管的輸入輸出電容、跨接電容、等效電容等參數對驅動的影響。MOS管的模型MOS管的等效電路模型及寄生參數如圖

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[常見問題解答]MOS管選擇最適合的驅動電路詳情[ 2019-10-10 11:23 ]

在開關電源等電力系統設計中，設計人員關心最多的是MOS管的幾個參數，如導通電阻、最大電壓、最大電流。這些因素固然重要，考慮不妥會使電路無法正常工作，但實際上這只完成了第一步，MOS管本身的寄生參數才是影響電路西能的關鍵。選擇了一個適合的MOS管、電源IC，說明你是一個合格的采購工程師。如何用好這只管子，就需要對驅動電路進行優化，包括驅動腳輸出的峰值電流、上升速率等，因為這些將直接影響MOS管的開關性能。用電源IC直接驅動MOS管一個好的MOS管驅動電路有以下幾點要求：（1）開關管開通瞬時，驅動電路應能提供足夠大的充

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[常見問題解答]MOS管驅動電路解析與寄生參數會帶來哪些影響[ 2019-05-23 12:22 ]

壹芯微作為國內專業生產二三極管的生產廠家,生產技術已經是非常的成熟,進口的測試儀器,可以很好的幫組到客戶朋友穩定好品質,也有專業的工程師在把控穩定質量,協助客戶朋友解決一直客戶自身解決不了的問題,每天會分享一些知識或者客戶的一些問題,今天我們分享的是,MOS管驅動電路解析與寄生參數會帶來哪些影響,請看下方跟雙極性晶體管相比，一般認為使MOS管導通不需要電流，只要GS電壓高于一定的值，就可以了。這個很容易做到，但是，我們還需要速度。在MOS管的結構中可以看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅動，實際上就是

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