国产精品亚洲综合一区在线观,日本久久久久,久久国产乱子伦免费精品

[技術文章]NCE01P13K 典型應用電路[ 2024-05-13 15:23 ]

NCE01P13K是一款備受推崇的高性能功率場效應管，其在工業控制領域有著廣泛的應用。以下將詳細介紹其應用場景和參數特點。一、應用場景：1. 電源管理：NCE01P13K在電源管理中扮演著重要角色。它可用于開關電源、DC-DC轉換器等系統中，提供高效、穩定的功率調節和轉換功能。這使得它成為電源管理系統中不可或缺的一部分。2. 電機驅動：作為電機驅動器的功率開關，NCE01P13K能夠實現電機的啟停、速度調節等功能。在工業自動化和機械控制領域，它為電機系統的高效運行和精確控制提供了支持。3. 逆變器：在太陽能發電系統

http://www.kannic.com/Article/nce01p13kd_1.html

[常見問題解答]如何優化降壓式開關電源的PCB布局以提高效率[ 2024-05-08 10:20 ]

在探討降壓式開關電源的PCB布局時，首先需要理解該布局在電源設計中的關鍵作用。主要元件包括輸入和輸出的濾波電容、濾波電感，以及上下端的功率場效應管。此外，控制電路包含PWM控制芯片、旁路電容、自舉電路、反饋分壓電阻和反饋補償電路，這些都是確保電源性能的關鍵部分。降壓式開關電源在消費類電子產品中廣泛應用。設計者需要區別識別功率電路與控制信號電路中的元器件，處理不當可能造成重大問題。了解電源中高頻電流的流向及區分小信號控制電路和功率電路的元器件及其布線尤為重要。一個典型的降壓式開關電源PCB設計示例包括12V的輸入和3

http://www.kannic.com/Article/rhyhjyskgd_1.html

[常見問題解答]同步整流下功率場效應管的分析[ 2023-06-14 16:24 ]

同步整流下功率場效應管的分析同步整流技術就是用功率MOSFET代替普通二極管或者肖特基二極管進行整流,所以,研究同步整流技術,就必須首先深入地了解同步整流器件,即功率MOSFET。不但應該深入研究功率MOSFET的導電特性,而且要基于其整流損耗模型,進行整流損耗分析。除此之外,對于大電流運行情況,同步整流技術的整流損耗是否總是優于肖特基二極管的整流損耗。MOSFET為電壓控制型器件,電壓控制意味著對電場能的控制,故稱作為電場效應晶體管。MOSFET是利用多數載流子導電的器件,因而又稱之為單極性晶體管。MOSFET下

http://www.kannic.com/Article/tbzlxglcxy_1.html

[常見問題解答]VMOS管開關電源電路圖介紹[ 2023-02-17 17:15 ]

VMOS管開關電源電路圖（一）　　如圖是以VMOS功率場效應管為開關器件，以TL494開關集成電路組件為控制電路的推挽開關穩壓電源?！　D中，TL494作為電源的控制電路，除了作為振蕩源以外，還擔負調整和穩定輸出電壓的任務。其振蕩頻率主要由外接元件R1和C1決定。本電源的開關頻率為100kHz。VD1、VD2為隔離二極管，工作電壓為33V。T為輸出推挽變壓器，其初級中心抽頭與直流12V輸入電源相接。次級接輸出橋式整流電路。輸出濾波器由扼流圈L1和濾波電容C3組成，能對100kHz的交流電起到很好的濾波作用。當輸出電

http://www.kannic.com/Article/vmosgkgdyd_1.html

[行業資訊]4N50場效應管參數,4N50參數規格書代換[ 2021-10-08 11:00 ]

4N50場效應管參數,4N50參數規格書代換4N50（4A,500V N溝道功率場效應管）封裝形式：TO-252,TO-251,TO-220,TO-220F4N50規格書(PDF):查看下載4N50的概述：4N50是一款N溝道模式功率MOSFET，采用先進技術，為客戶提供平面條帶和 DMOS 技術。該技術允許最小的通態電阻和卓越的開關性能。它還可以承受雪崩和換向模式下的高能量脈沖。4N50一般應用于高效開關電源、有源功率因數校正和基于半橋拓撲的電子燈鎮流器。4N50的特性：ID=4AVDS=500VRDS(ON

http://www.kannic.com/Article/4n50cxygcs_1.html

[常見問題解答]MOS場效應管的選型方法詳解[ 2021-08-27 16:28 ]

MOS場效應管的選型方法詳解近年來，隨著汽車、通信、能源、消費、綠色工業等大量應用場效應管產品的行業在近幾年來得到了快速的發展，功率場效應管更是備受關注。據預測，2010-2015年中國功率MOSFET市場的總體復合年度增長率將達到13.7%。雖然市場研究公司 iSuppli 表示由于宏觀的投資和經濟政策和日本地震帶來的晶圓與原材料供應問題，今年的功率場效應管市場會放緩，但消費電子和數據處理的需求依然旺盛，因此長期來看，功率場效應管的增長還是會持續一段相當長的時間。一.場效應管的基礎選型場效應管有兩大類型：N溝道

http://www.kannic.com/Article/moscxygdxx_1.html

[常見問題解答]〔壹芯〕生產7N65場效應管7A-650V,參數達標,質量穩定[ 2021-06-05 14:25 ]

〔壹芯〕生產7N65場效應管7A-650V,參數達標,質量穩定場效應管(MOSFETS)型號：7N65　　　　　　　極性：NIDA(A)：7　　　　　　　VDSS(V)：650RDS(on)　MAX(Ω)：1.4　VGS(V)：10 VGS(th)　(V)：2~4Gfs(min)　(S)：6.5　Vgs(V)：40　Io(A)：3.5封裝：TO-252 TO-220功率MOSFET功率場效應管（Power MOSFET）是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關斷能力，而且有驅動功率小、開關速度高、無二次擊穿

http://www.kannic.com/Article/yxsc7n65cx_1.html

[常見問題解答]場效應管工作原理-MOS管場效應管詳解[ 2021-04-28 10:33 ]

場效應管工作原理-MOS管場效應管詳解場效應管分類場效應管分結型、絕緣柵型兩大類。結型場效應管（JFET）因有兩個PN結而得名，絕緣柵型場效應管（JGFET）則因柵極與其它電極完整絕緣而得名。目前在絕緣柵型場效應管中，應用最為普遍的是MOS場效應管，簡稱MOS管（即金屬-氧化物-半導體場效應管MOSFET）；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應管，以及最近剛問世的πMOS場效應管、VMOS功率模塊等。按溝道半導體資料的不同，結型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導電方式來劃分，場效應管又可分紅耗盡型與加

http://www.kannic.com/Article/cxyggzylmo_1.html

[常見問題解答]mos功率管引腳辨認方法及簡單應用制作控制[ 2021-04-27 10:33 ]

mos功率管引腳辨認方法及簡單應用制作控制辨認MOS功率場效應管引腳的方法很簡單，現在常用的IRF系列、2SJ系列、2SK系列及10N60這類MOS功率場效應管的引腳排列基本上都一樣，如下圖所示。 N溝道MOS場效應管的引腳排列。圖中的IRF3205是逆變器及開關電源中常用的大功率N溝道MOS場效應管，現在常用的其它型號的MOS功率場效應管的引腳排列大都與IRF3205一樣，面對型號，從左到右引腳分別為G（柵極）、D（漏極）、S（源極）。用數字萬用表測量MOS場效應管引腳的方法MOS場效應管內部的寄生二極

http://www.kannic.com/Article/mosglgyjbr_1.html

[常見問題解答]功率場效應管的原理和特點及參數[ 2021-04-03 10:00 ]

功率場效應管的原理和特點及參數功率場效應管又叫功率場控晶體管。一．功率場效應管原理：半導體結構分析略。本講義附加了相關資料，供感興趣的同事可以查閱。實際上，功率場效應管也分結型、絕緣柵型。但通常指后者中的MOS管，即MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）。它又分為N溝道、P溝道兩種。器件符號如下：N溝道

http://www.kannic.com/Article/glcxygdylh_1.html

[常見問題解答]場效應管的識別介紹[ 2021-03-31 09:42 ]

與三極管一樣，場效應管也有三ATMEGA8535-16JU個電極，分別是柵極G、源極S、漏極D。場效應管可看作是一只普通三極管，柵極G對應基極B，漏極D對應集電極C，源極S對應發射極E（N溝道對應NPN型三極管，P溝道對應PNP型三極管）。場效應管引腳排列位置根據其品種、型號及功能不同而異。對于大功率場效應管，如圖6.6(a)所示，從左至右，引腳排列基本為G、D、S極（散熱片接D極）；采用絕緣底板模塊封裝的特種場效應管通常有4個管腳，如圖6.6(b)所示，上面的兩個通常為兩個S極（相連），下面的兩個分別為G、D極；

http://www.kannic.com/Article/cxygdsbjs_1.html

[常見問題解答]MOS管知識普及|VMOS場效應管是什么[ 2020-12-11 14:11 ]

MOS管知識普及|VMOS場效應管是什么VMOS場效應管詳解VMOS場效應管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應管，其全稱為V型槽MOS場效應管。它是繼MOSFET之后新發展起來的高效、功率開關器件。它不僅繼承了MOS場效應管輸入阻抗高（≥108W）、驅動電流小（0.1μA左右），還具有耐壓高（最高1200V）、工作電流大（1.5A～100A）、輸出功率高（1～250W）、跨導的線性好、開關速度快等優良特性。正是由于它將電子管與功率晶體管之優點集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數可達數千倍）、功率

http://www.kannic.com/Article/mosgzspjvm_1.html

[常見問題解答]場效應管的保護電路-鋰電池保護電路和保護電路圖[ 2020-09-05 16:52 ]

場效應管的保護電路-鋰電池保護電路和保護電路圖什么是保護電路鑒于電源電路存在一些不穩定因素，而設計用來防止此類不穩定因素影響電路效果的回路稱作保護電路。比如有過流保護、過壓保護、過熱保護、空載保護、短路保護等。功率場效應管保護電路設計功率場效應管自身擁有眾多優點，但是MOSFET管具有較脆弱的承受短時過載能力，特別是在高頻的應用場合，所以在應用功率MOSFET對必須為其設計合理的保護電路來提高器件的可靠性。功率MOSFET保護電路主要有以下幾個方面：1)防止柵極di／dt過高：由于采用驅動芯片，其輸出阻抗較低，直接

http://www.kannic.com/Article/cxygdbhdll_1.html

[常見問題解答]N溝道增強型高壓功率場效應管提高逆變器工作效率解析[ 2020-07-06 16:31 ]

N溝道增強型高壓功率場效應管提高逆變器工作效率解析不少電子產品的元器件都會有逆變器這么一個部件，而電子工程師都知道逆變器在電子產品中的重要性，而場效應管的質量將影響到逆變器的轉換效率、啟動速度、安全性能、物理性能、和帶負載適應性和穩定性，所以電子廠家都希望采購的場效應管質量過硬。而現在市場上的7N40就是逆變器使用的場效應管之一，但由于成本的原因，廠家也會希望有可以替代的同類型場效應管。逆變器的直流轉換是MOS開關管和儲能電感組成電壓變換電路，輸入的脈沖經過推挽放大器放大后驅動MOS管做開關動作，使得直流電壓對電感

http://www.kannic.com/Article/ngdzqxgygl_1.html

[常見問題解答]V-FET或功率場效應管(MOS管)知識分享[ 2020-04-15 15:01 ]

V-FET或功率場效應管(MOS管)知識分享功率MOS管工作原理功率MOS管-N通道功率MOS管通常采用V型配置，如圖所示。這就是為什么該器件有時被稱為V-MOS管或V-FET。如圖所示，V形切口從器件表面穿N +，P和N~層幾乎滲透到N +襯底。N +層是重摻雜的低電阻材料，而N +層是輕摻雜的高電阻區域。二氧化硅介電層覆蓋水平表面和V形切割表面。絕緣柵極是在V形切口中沉積在SiO 2上的金屬膜。源極端子通過SiO 2層與上N +和P- 層接觸。N +襯底是器件的漏極端子。V-MOS管是一個E模式FET，漏極和源

http://www.kannic.com/Article/vfethglcxy_1.html

[常見問題解答]功率場效應管的原理特點參數與對比[ 2020-03-10 14:59 ]

功率場效應管的原理特點參數與對比功率MOS場效應晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體），FET（Field Effect Transistor場效應晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應來控制半導體（S）的場效應晶體管。功率場效應管原理半導體結構分析略。本講義附加了相關資料，供感興趣的同事可以查閱。實際上，功率場效應管也分結型、絕緣柵型。但通常指后者中的MOS管，即MOSFET（Metal Oxide Semicondu

http://www.kannic.com/Article/glcxygdylt_1.html

[常見問題解答]增強型N溝道場效應管的電池反接保護電路解析[ 2019-12-09 12:04 ]

增強型N溝道場效應管的電池反接保護電路解析一般防止電池接反損壞電路采用串接二極管的方法，在電池接反時，PN結反接無電壓降，但在正常工作時有0.6～0.7V的管壓降。采用導通電阻低的增強型N溝道場效應管(MOSFET)具有極小的管壓降(RDS(ON)×ID)，如Si9410DY的RDS(ON)約為0.04Ω，則在lA時約為0.04V。功率場效應管(MOSFET)典型應用電路1、電池反接保護電路電池反接保護電路如圖9所示。一般防止電池接反損壞電路采用串接二極管的方法，在電池接反時，PN結反接無電壓降，但在正

http://www.kannic.com/Article/zqxngdcxyg_1.html

[常見問題解答]VMOS概述-VMOS場效應管的檢測方法與注意事項[ 2019-11-09 12:08 ]

VMOS概述-VMOS場效應管的檢測方法與注意事項解析VMOS場效應管概述VMOS場效應管的檢測方法解析。VMOS管全稱V-groove metal-oxide semiconductor，或功率場效應管，其全稱為V型槽MOS場效應管。它是繼MOSFET之后新發展起來的。它不僅繼承了MOS場效應管輸入阻抗高（≥108W）、驅動電流?。ㄗ笥?.1μA左右），還具有耐壓高（最高可耐壓1200V）、工作電流大（1.5A～100A）、輸出功率高（1～250W）、跨導的線性好、開關速度快等優良特性。眾所周知，傳統的M

http://www.kannic.com/Article/vmosgsvmos_1.html

[常見問題解答]功率場效應晶體管(MOSFET)原理知識[ 2019-10-26 11:59 ]

功率場效應晶體管(MOSFET)原理功率場效應管(Power MOSFET)也叫電力場效應晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關斷能力,而且有驅動功率小,開關速度高、無二次擊穿、安全工作區寬等特點。由于其易于驅動和開關頻率可高達500kHz，特別適于高頻化電力電子裝置，如應用于DC/DC變換、開關電源、便攜式電子設備、航空航天以及汽車等電子電器設備中。但因為其電流、熱容量小，耐壓低，一般只適用于小功率電力電子裝置。一、電力場效應管的結構和工作原理電力場效應晶體管種類和結構有許多種，按導電溝道可分

http://www.kannic.com/Article/glcxyjtgmo_1.html

[常見問題解答]IRF系列場效應管參數代換表[ 2019-10-08 11:52 ]

IRF系列場效應管參數代換表IRF系列 POWER MOSFET 功率場效應管型號參數查詢及代換帶有"-"號的參數為P溝道場效應管,帶有/的參數的為P溝道,N溝道雙管封裝在一起的場效應管,沒注明的均為N溝道場效應管.型號Drain-to-Source Voltage漏極到源極電壓 Static Drain-Source On-State Resistance靜態漏源

http://www.kannic.com/Article/irfxlcxygc_1.html

深圳市壹芯微科技有限公司二極管·三極管·MOS管·橋堆

相關搜索/Related search

壹芯微資訊中心

導航/Navigation

地址/Address

深圳市壹芯微科技有限公司二極管·三極管·MOS管·橋堆

相關搜索/Related search

壹芯微資訊中心

導 航/Navigation

地 址/Address

導航/Navigation

地址/Address