來源：壹芯微 發布日期
2021-10-08 瀏覽：-4N50場效應管參數,4N50參數規格書代換
4N50（4A,500V N溝道功率場效應管）封裝形式：TO-252,TO-251,TO-220,TO-220F
4N50的概述：
4N50是一款N溝道模式功率MOSFET，采用先進技術，為客戶提供平面條帶和 DMOS 技術。 該技術允許最小的通態電阻和卓越的開關性能。 它還可以承受雪崩和換向模式下的高能量脈沖。
4N50一般應用于高效開關電源、有源功率因數校正和基于半橋拓撲的電子燈鎮流器。
4N50的特性：
ID=4A
VDS=500V
RDS(ON)=2.0? @ VGS=10V
高開關速度
100%雪崩測試
4N50的絕對最大額定值（TC = 25°C，除非另有說明）：
Drain-SourceVoltage漏源電壓,VDSS：500V
Gate-SourceVoltage柵源電壓,VGSS：±30V
DrainCurrentContinuous漏極電流持續(TC=25°C),ID：4A
DrainCurrentPulsedDrainCurrentPulsed(Note3),IDM：16(Note2)A
AvalancheCurrent雪崩電流(注3),IAR：4A
PowerDissipation功耗TO-220,PD：85W
PowerDissipation功耗TO-220F,PD：28W
PowerDissipation功耗,TO-251/TO-252,PD：52W
JunctionTemperature結溫,TJ：+150°C
StorageTemperature儲存溫度,TSTG：-55~+150°C
壹芯微4N50規格書下還有熱特性，靜態特性與電氣參數等，建議自行閱讀觀看。
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