〔壹芯〕生產IRF740場效應管10A-400V,參數達標,質量穩定

場效應管(MOSFETS)

型號：IRF740　　　　　　　極性：N

IDA(A)：10　　　　　　　VDSS(V)：400

RDS(on)　MAX(Ω)：0.55　VGS(V)：10 

VGS(th)　(V)：2~4

Gfs(min)　(S)：5.8　Vgs(V)：20　Io(A)：6

封裝：TO-220

知識科普

電力場效應晶體管的基本特性之開關特性

電力MOSFET開關特性的測試電路如圖1.12(a)所示，開關特性如圖1.12(b)所示。其中u_p為矩形脈沖電壓信號源，R_s為信號源內阻，R_G為柵極電阻，R_L為漏極負載電阻，R_F用于檢測漏極電流。

因為MOSFET存在輸入電容C_in，所以當脈沖電壓up的前沿到來時，Cin有充電過程，柵極電壓u_GS呈指數曲線上升，如圖1.12(b)所示。當u_GS上升到開啟電壓U_T時，開始出現漏極電流i_D。

從up前沿時刻到u_GS=U_T并開始出現i_D的時刻，這段時間稱為開通延遲時間t_d(on)。此后，i_D隨u_GS的上升而上升。u_GS從開啟電壓上升到MOSFET進入非飽和區的柵-源極電壓U_GS(th)這段時間稱為上升時間t_r，這時相當于電力場效應晶體管的臨界飽和，漏極電流in也達到穩態值。in的穩態值由漏-源極電源電壓Ups和漏極負載電阻所決定，U_GS(th)的大小和i_D的穩定值有關。

當u_GS的值達到U_GS(th)，在脈沖信號源up的作用下繼續升高直至達到穩態，但i_D已不再變化，相當于電力MOSFET處于深度飽和。

當脈沖電壓u_p下降到0時，柵-源極輸入電容C_in通過信號源內阻R_s和柵極電阻R_G(>>R_s)開始放電，柵-源極電壓u_Gs按指數曲線下降，當下降到U_GS(th)時，漏極電流i_D才開始減小，這段時間稱為關斷延遲時間t_d(off)。此后，C_in繼續放電，u_GS從U_GS(th)繼續下降，i_D減小，到u_GS<U_T時溝道夾斷，i_D下降為0。

以上為電阻負載條件下，MOSFET開關特性的粗略分析。實際上，隨負載為電阻和電感的不同，開關過程根本不相同。

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