〔壹芯〕生產IRF3710場效應管57A-100V,參數達標,質量穩定

場效應管(MOSFETS)

型號：IRF3710　　　　　　　極性：N

IDA(A)：57　　　　　　　VDSS(V)：100

RDS(on)　MAX(Ω)：0.018　VGS(V)：10 

VGS(th)　(V)：-1.5~-3

Gfs(min)　(S)：5.3　Vgs(V)：20　Io(A)：11

封裝：TO-220

知識科普

電力場效應晶體管的基本特性之感性負載開關特性

實際上，隨負載為電阻和電感的不同，開關過程根本不相同。下面按感性負載的詳細分析如下。

電流流過感性負載和續流二極管時的開關特性如圖1.13所示，其詳細開關過程的分析如下。

（1）開通過程

用方波信號驅動MOSFET的電路原理如圖1.13（a）所示，在t₀時，隨著MOSFET的柵-源極分布電容即輸入電容C_in通過驅動電路內阻充電，柵-源極電壓上升，在t1時刻達到閾值電壓。在t₁~t₂區間，漏極電流與柵-源極電壓成正比地上升，同時漏-源極電壓保持在工作電壓量級。在t₂時刻，電力MOSFET吸收了全部的負載電流。

在隨后的t₂~t₃區間，由于二極管的反向恢復電流加到負載電流中，漏極電流進一步上升。在二極管反向恢復電流極性轉變點，漏極電流最大。直到此時，漏-源極電壓仍然與工作電壓相等。漏-源極電壓升高到允許電力MOSFET產生的峰值電流流過時的數值。

在t₃~t₄區間，漏-源極電壓下降，二極管的反向電壓以同樣的數量上升。漏-源極電壓下降的速度與密勒電容通過柵極驅動電壓放電的速度相同。在這個區間，柵-源極電壓應保持恒定，就像在隨后的t₄~t₅區間一樣。

然而在t₃~t₄區間，開關過程進一步受到因二極管反向恢復電流引起的漏極電流變化的影響。當柵極電流變小時，柵-源電容通過密勒電容放電。柵-源電壓降低到足以使漏極電流流過，因此在這個區間觀察到了漏-源極電壓波形的突變。

在t₃~t₅區間，當漏-源極電壓變化時必須特別注意。當電力MOSFET用一個低阻抗電源驅動時，漏極電流上升的速率和續流二極管中換向電流的變化率很高，二極管的反向恢復電流達到較高值。一旦其達到最高值后，將開始急劇下降。

二極管反向恢復電流的這種急劇變化會導致超過器件額定的擊穿電壓。

（2）關斷過程

在t8時刻關斷過程開始。在t₉時刻，柵-源極電壓減小到使漏極電流仍然可流過電阻區的程度。在t₉~t₁₀區間，MOSFET的作用像一個具有大電容量密勒電容的密勒積分器。如果漏-源極電壓超過了柵-源極電壓，則MOSFET在t₁₀~t₁₁區間的作用像一個具有小電容量密勒電容的密勒積分器。在t₁₁時，續流二極管導通，以便使漏-源極電壓保持恒定。漏極電流與柵-源極電壓成正比地下降，在t₁₂時刻，柵-源極電壓降到關斷閥值電壓，漏極電流減小到0。在t₁₂~t₁₃區間，輸入電容完全放去電荷。

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