〔壹芯〕生產(chǎn)50N06場(chǎng)效應(yīng)管50A-60V,參數(shù)達(dá)標(biāo),質(zhì)量穩(wěn)定

場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFETS)

型號(hào)：50N06　　　　　　　極性：N

IDA(A)：50　　　　　　　VDSS(V)：60

RDS(on)　MAX(Ω)：0.016　VGS(V)：10 

VGS(th)　(V)：2~4

Gfs(min)　(S)：40　Vgs(V)：25　Io(A)：26.2

封裝：TO-220 TO-252

知識(shí)科普

電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基本特性之飽和特性

電力MOSFET的飽和特性如圖(1.7)所示，由于電力MOSFET的通態(tài)電阻較大，所以飽和壓降也大。這是因?yàn)樗幌馟TR那樣有超量存儲(chǔ)電荷，它是單極型器件，沒有載流子的存儲(chǔ)效應(yīng)。為了降低通態(tài)電阻，在設(shè)計(jì)上要采取一些措施。

以美國MOTOROLA公司的TMOS器件為例，其通態(tài)電阻R_on由四部分組成：反型層溝道電阻r_CH、柵-漏積聚區(qū)電阻r_ACC、FET夾斷區(qū)電阻r_JFET、輕摻雜漏極區(qū)電阻r_D，如圖(1.8)所示。溝道電阻rcH隨著溝道長度而增加，結(jié)的夾斷電阻r_JFET與外延區(qū)電阻率和電極寬度成正比，與溝道寬度成反比。

為了提高器件的耐壓能力，要求外延區(qū)電阻率要高、漏區(qū)要厚，其結(jié)果是r_D增大，也使R_on增大。可見，對(duì)耐壓和R_on的要求是相互矛盾的，R_on隨溫度變化近似呈線性關(guān)系，如圖(1.9)所示。圖(1.9)還表明，器件電壓越高，R_on隨溫度變化越顯著。在這樣的溫度條件下，器件額定電壓越高，其R_on值就越大。

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