〔壹芯〕生產4N65場效應管4A-650V,參數達標,質量穩定

場效應管(MOSFETS)

型號：4N65　　　　　　　極性：N

IDA(A)：4　　　　　　　VDSS(V)：650

RDS(on)　MAX(Ω)：2.6　VGS(V)：10 

VGS(th)　(V)：2~4

Gfs(min)　(S)：3.6　Vgs(V)：40　Io(A)：2.0

封裝：TO-252 TO-220

結型場效應管

結型場效應管又分為N溝道和P溝道兩種類型如圖5-17（a）所示為N溝道JFET的結構示意圖，圖中，在同一塊N型半導體上制作兩個高摻雜的P區，并將它們連接在一起，所引出的電極稱為柵極G,N型半導體的兩端分別引出兩個電極，一個稱為漏極D，一個稱為源極S。P區與N取交界面形成耗盡層，漏極與柵極間的非耗盡層區域稱為導電溝道。

如圖5-17（b）所示門極的箭頭指向為P指向N方向，分別表示內向為N溝道JFET外向為P溝道JFET。圖5-17（a）表示N溝道JFET的特性示例。以此圖為基礎了解JFET的電氣特性。

首先，門極-源極間電壓以0V時考慮（V_GS=0V），在此狀態下漏極源極間電壓V_DS從的電氣特性0V開始增加，漏電流I_D幾乎與V_DS成比例增加，將此區域稱為非飽和區。V_DS達到某值以上漏電流I_D的變化變小，幾乎達到一定值。此時的I_D稱為飽和漏電流（有時也稱漏電流用I_DSS表示）。與此I_DSS對應的V_DS稱為夾斷電壓V_P，此區域稱為飽和區。其次，在漏極-源極間加一定的電壓V_DS（例如0.8V），V_GS值從0開始向負方向增加，I_D的值從l_DSS開始慢慢地減少，當1_D=0時的V_GS稱為門極-源極間夾斷電壓或截止電壓，用V_GS(off)表示。N溝道JFET的況則是其V_GS(off)值帶有負號。關于JFET為什么表示這樣的特性，用圖5-17（c）進行簡單的說明。

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