〔壹芯〕生產4N60場效應管4A-600V,參數達標,質量穩定

場效應管(MOSFETS)

型號：4N60　　　　　　　極性：N

IDA(A)：4　　　　　　　VDSS(V)：600

RDS(on)　MAX(Ω)：2.5　VGS(V)：10 

VGS(th)　(V)：2~4

Gfs(min)　(S)：3.6　Vgs(V)：40　Io(A)：2.0

封裝：TO-252 TO-220

簡單概括場效應管工作原理，就是“漏極-源極間流經溝道的I_D，是由門極與溝道間的PN結形成的反偏的門極電壓控制”。更準確地說，I_D流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由PN結反偏的變化，產生耗盡層擴展變化控制的緣故。在V_GS=0的非飽和區域，圖5-17（a）

表示的過渡層的擴展因為不很大，根據漏極-源極間所加V_DS的電場，源極區域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流流動。達到飽和區域如圖5-17（a）所示，從門極向漏極擴展的過渡層將溝道的一部分構成堵塞型，飽和，將這種狀態稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷。在過渡層由于沒有電子、空穴的自由移動，在理想狀態下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動。

但是此時漏極-源極間的電場，實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近，由于漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。如圖5-17（b）所示，即便再增加V，因漂移電場的強度幾乎不變，產生I_D的飽和現象。其次，如圖5-17（c）所示，V_GS向負的方向變化，讓VGS=V_GS(off)，此時過渡層大致成為覆蓋全區域的狀態。而且V_DS的電場大部分加到過渡層上，將電子拉向漂移方向的電場，只有靠近源極很小的部分，這更使電流不能流通。

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