UTT25P10L-TN3-RTO-252MOS管-100V-25AP溝道  

UTT25P10L-TN3-R(P溝道增強型場效應晶體管)；UTT25P10L-TN3-R場效應管參數；UTT25P10L-TN3-R場效應管封裝引腳圖；UTT25P10L-TN3-R場效應管中文資料規格書(PDF)；  

電流(ID)：-25A，電壓(VDSS)：-100V，封裝形式：TO252  

產品概要  

*RDS(ON)<0.15Ω@VGS=-10V,ID=-25A  

*高切換速度  

絕對最大額定參數（TC=25C，除非另有說明）  

Drain-SourceVoltage漏源電壓(注2)VDSS：-100V  

Drain-GateVoltage漏柵電壓(RGS=20k?)VDGR：-100V  

Gate-SourceVoltage柵源電壓VGSS：±20V  

DrainCurrentContinuous漏極電流連續ID：-25A  

DrainCurrentPulsed漏極電流脈沖(注2)IDM：-60A  

SinglePulsedAvalancheEnergy單脈沖雪崩能量(注3)EAS：70mJ  

PowerDissipation功耗TO-220/TO-263PD：100W  

PowerDissipation功耗TO-220FPD：2W  

PowerDissipation功耗TO-252PD：50W  

JunctionTemperature結溫TJ：-55~+150°C  

StorageTemperature儲存溫度TSTG：-55~+150°C  

注意：1.絕對最大額定值是指超出該值可能會永久損壞設備的那些值。絕對最大額定值僅是應力額定值，并不暗示功能設備操作。  

2.重復額定值：脈沖寬度受最大結溫限制。  

3.L=0.35mH，IAS=20A，VDD=50V，RG=25Ω，啟動TJ=25°C  

壹芯微科技（Yixin）國內知名功率半導體制造商。主要生產各式貼片/直插，肖特基二極管、TVS二極管、整流二極管、快恢復、低壓降、場效應管(MOSFET)、可控硅、三端穩壓管、IC集成電路、橋堆。引進大量先進的晶體管選型封裝測試全自動化設備、配備高標準可靠性測試實驗室等，對每一批產品質量嚴控把關；壹芯微首席工程師曾多年服務于臺灣強茂，有著豐富的研發生產經驗，為各行業應用提供完美的解決方案與技術支持。如需報價或了解更多，歡迎咨詢官網在線客服或聯系以下

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