NVD5862NT4G 貼片TO-252 MOS管60V 98A N溝道

NVD5862NT4G(N溝道增強型場效應晶體管)；NVD5862NT4G場效應管參數；NVD5862NT4G場效應管封裝引腳圖；NVD5862NT4G場效應管中文資料規格書(PDF)；

電流(ID)：98A，電壓(VDSS)：60V，封裝形式：TO252

產品概要

• 低RDS(on)以最大限度地減少傳導損耗

• 高電流能力

• 指定雪崩能量

• AEC-Q101 認證和PPAP能力

• 這些器件無鉛、無鹵素/無BFR且符合RoHS標準

絕對最大額定參數（TC=25C，除非另有說明）

漏源電壓VDSS：60V

柵源電壓VGS：20V

連續漏極電流R_θJC(注 1)穩態TC=25°C ID：98A

連續漏極電流R_θJC(注 1)穩態TC=100°C ID：69A

功耗R_θJC(注 1)穩態TC=25°C PD：115W

功耗R_θJC(注 1)穩態TC=100°C PD：58W

連續漏極電流R_θJA(注 1和2)穩態TA=25°C ID：18A

連續漏極電流R_θJA(注 1和2)穩態TA=100°C ID：13A

功耗R_θJA(注 1和2)穩態TA=25°C PD：4.1W

功耗R_θJA(注 1和2)穩態TA=100°C PD：2.0W

脈沖漏極電流TA=25°C, tp=10us IDM：367A

電流限制TA = 25°C IDmaxpkg：60A

封裝(注3)

工作結點和存儲溫度TJ, Tstg：-55 to 175°C

源電流(體二極管)IS：96A

單脈沖漏源雪崩能量(TJ=25°C, VDD=50 V, VGS=10 V,IL(pk) = 37 A, L=0.3 mH, RG=25Ω) EAS：205mJ

用于焊接目的的引線溫度(1/8″ from case for 10 s) TL：260°C

超過最大額定值表中列出的應力可能會損壞設備。如果超過這些限制中的任何一個，設備功能不應假設，可能會發生損壞并影響可靠性。

壹芯微科技（Yixin）國內知名功率半導體制造商。主要生產各式貼片/直插，肖特基二極管、TVS二極管、整流二極管、快恢復、低壓降、場效應管(MOSFET)、可控硅、三端穩壓管、IC集成電路、橋堆。引進大量先進的晶體管選型封裝測試全自動化設備、配備高標準可靠性測試實驗室等，對每一批產品質量嚴控把關；壹芯微首席工程師曾多年服務于臺灣強茂，有著豐富的研發生產經驗，為各行業應用提供完美的解決方案與技術支持。如需報價或了解更多，歡迎咨詢官網在線客服或聯系以下

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