TSM6N50CP場效應管參數 TSM6N50CP參數資料規格書〔壹芯微〕

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漏源電壓(VDSS)：500V

柵源電壓(VGSS)：±30V

雪崩電流(IAR)：5A

漏極電流-連續(TJ=25°C)(ID)：5.6A

漏極電流-連續(TJ=100°C)(ID)：3A

漏極電流-脈沖(IDM)：15A

單脈沖雪崩能量(EAS)：180mJ

功耗(TC=25°C)(PD)：90W

工作與貯存溫度范圍(TJ,TSTG)：-55~+150°С

熱阻-結到外殼(RθJC)：2.78°C/W

熱阻-結到環境(RθJA)：62.5°C/W

〔壹芯微〕國內功率半導體制造廠商，主營各類貼片與直插，二極管、三極管、MOS(場效應管)、可控硅、三端穩壓管、整流橋，IC(集成電路)；參數達標，質量保障，工廠直銷(價省20%)，免費送樣，選型替代，技術支持，專業售后，如需了解產品詳情或最新報價，歡迎咨詢官網在線客服。

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