來源：壹芯微 發布日期
2021-07-26 瀏覽：-「SI2300,SI2301,SI2302」場效應管與mos管兩者的區別-壹芯微
產品供應信息
型號：SI2300,SI2301,SI2302(場效應MOSFET)
品牌：壹芯微|類型：場效應管封裝：SOT-23|多種封裝 尺寸不同 參數一致 免費樣品 歡迎咨詢
| 參數\型號 | SI2300 | SI2301 | SI2302 |
| 極性 | N | P | N |
| ID(A) | 3.8 | -2.4 | 2.5 |
| VDSS(V) | 20 | -20 | 20 |
| RDS(ON):Max(Ω) | 0.04 | 0.1 | 0.06 |
| RDS(ON):VGS(Ω) | 4.5 | -4.5 | 4.5 |
| VGS(th):(V) | 0.6~1.5 | -0.4~-1 | 0.65~1.2 |
| Gfs(min):(S) | 13 | 4 | 8 |
| Gfs(min):Vgs(V) | 15 | -5 | 5 |
| Gfs(min):Io(A) | 2.9 | -2.4 | 2.5 |
| 封裝 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 |
硬件型號：場效應管CSD18542KTT
系統版本：集成電路系統
一、主體不同
1. 場效應：V型槽MOS場效應管。是繼MOSFET之后新發展起來的高效、功率開關器件。
2. MOS管：金屬-氧化物-半導體型場效應管屬于絕緣柵型。
二、特性不同
1. 場效應：不僅繼承了MOS場效應管輸入阻抗高（≥108W）、驅動電流小（左右0.1μA左右），還具有耐壓高（最高可耐壓1200V）、工作電流大（1.5A～100A）、輸出功率高（1～250W）、跨導的線性好、開關速度快等優良特性。
2. MOS管：主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（最高可達1015Ω）。
三、原理規則不同
1. 場效應：將電子管與功率晶體管之優點集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數可達數千倍）、功率放大器、開關電源和逆變器中正獲得廣泛應用。
2. MOS管：當VGS=0時管子是呈截止狀態，加上正確的VGS后，多數載流子被吸引到柵極，從而“增強”了該區域的載流子，形成導電溝道。
mos管一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。G：gate 柵極；S：source 源極；D：drain 漏極。MOS管的source（源極）和drain（耗盡層）是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。主要有兩種類型：結型場效應管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
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