普通二極管和快恢復二極管的振鈴吸收特性對比

1、分別測量兩個電源的振鈴吸收電路中電容上的電壓波形

1 號電源模塊的振鈴吸收電路由RS1M 快恢復二極管、1000v1000p 瓷片電容和200k 貼片電阻組成，下圖是1 號電源的振鈴吸收電路和示波器接入方法（示波器的地線接整流濾波后的正極，探頭接吸收電路的中間；如果示波器的地線接電源負極，則測得的電壓增加300 多V，測量精度也下降不少）

測得電壓波形如下

IC 內的場管截斷前，電容上的電壓高于電源電壓約99v，當場管截斷時，振鈴電壓會將1000pF 電容充電到約142v，也就是電容上的電壓上升約43v，但該電壓在波峰后的192ns 時間內下降約33v 到約109v，然后間歇期放電到約99v，迎接下一個振鈴波峰的到來。電容上電壓快速下降的原因肯定是快速放電，而快速放電只能通過快恢復二極管RS1M，也就是說，雖然是快恢復二極管，但也存在反應時間（查資料得RS1M 的最大恢復時間為0.5μs），在本次測量中，是在192ns 時間內，二極管PN 結內的載流子尚未消失，所以可以反向導電，將波峰時給電容充的電釋放約3/4，因為此時的釋放，初級是回路的一部分，此時初級回路加反向電流，其感應是增大了次級正向電流，所以這3/4 是被電路回收利用了的，另外的1/4 在間歇期釋放，這部分是損耗。這個電源電路的工作頻率約63kHz，周期約16μs，振鈴脈沖占不到1μs，也就是在約15μs 的時間，1000pF電容放電約9.5v，在平均電壓約104v 下，200k 電阻可以將1000pF 電容放電104v/200k*15μs/1000pF=7.8v，實測是下降約10v，相差的約2v 可考慮為快恢復二極管的結電容影響以及測量誤差。從這幾個數值也可以求出振鈴吸收電路中電阻消耗的功率，電阻上的平均電壓為104v，消耗功率P=104*104/200000=0.054w，電容上另有約0.012w 的功率通過PN 結電容釋放，這部分主要在開關管上損耗。

2 號電源的振鈴吸收電路是普通整流二極管M7、1000v 1000p 瓷片電容和150k 貼片電阻組成，吸收電路電容上的電壓波形如下

2 號電源的頻率約48kHz，周期約21μs，可見由于周期更長，電阻更小，電容上的電壓下降更多，約15v，同時，由于第一個振鈴波峰過去后，振鈴波谷時電容上電壓下降較多，出現了較為明顯的第二個振鈴波峰。

2、拆除振鈴吸收電路的電阻

以前見過有的電路上的振鈴吸收電路只有二極管和電容，也見過某廠家在網上宣稱他們的振鈴吸收電路無損耗但沒公開電路，懷疑是不是就是不用電阻，為了試試能不能完全依靠二極管恢復期間的反向電流來對電容進行放電，把電路中的電阻拆除測試，發現電容的電壓被充得很高，幾乎沒有波動，而IC 的輸出端振鈴電壓高達184v，波形如下

3、將振鈴吸收電路的電阻增大

將 1 號電源的200k 電阻換成510k，測得振鈴吸收電路電容上的電壓波形如下，可見電容上的電壓提高不少，振鈴電壓也提高約6v，振鈴前后的電壓差也減小約4v，可見振鈴吸收電路的效果減小，損耗也減小

將2 號電源的150k 電阻換成510k，振鈴吸收電路電容上的電壓波形如下。換電阻前，振鈴脈沖最高電壓約112v，但捕捉到的112v 脈沖極少，捕捉到的高值以111v 為主，換電阻后，振鈴脈沖最高電壓仍為112v，捕捉到的112v 脈沖較多，也就是說，把150k 電阻換成510k 后，振鈴電壓提高大約1v，而振鈴前的電壓由約68v（最低67v）提高到了約76v，電壓差由約15v 下降到約6v。可見，適當增大電阻后，振鈴波峰并沒有明顯上升，但損耗明顯下降。第二個振鈴波峰明顯減小，但仍明顯，應該可以將電阻再適當增大。

4、更換1 號電源振鈴吸收電路的二極管

將 1 號電源振鈴吸收電路的快恢復二極管RS1M 換成普通整流二極管1N4007（參數同M7），振鈴峰值約140v，比原電路下降近2v，振鈴前后的電壓差約5v，比原來減少一半，也就是損耗下降約一半。在平均電壓約99v 下，510k電阻可以將1000pF 電容放電99v/510k*15 μ s/1000pF=2.9v， 消耗功率為99v*99v/510kΩ=0.019w，實測是下降約5.2v，應該是二極管PN 結電容放電的結果，損耗約0.015w。

實際設計中，電阻的選擇應使振鈴脈沖前后電容的電壓盡量接近次級工作時開關管的漏極（或集電極）電壓，若振鈴前的電壓較低，則應增大電阻以減小損耗，若電壓較高，應減小電阻以降低電壓，降低脈沖電壓。

5 小結

本次實驗可以得到三個結論：

1、振鈴吸收電路是不能省略電阻的；

2、普通整流二極管用于振鈴吸收電路效果比快恢復二極管好；

3、適當增大振鈴吸收電路的電阻可以在不明顯影響振鈴吸收的前提下減小損耗。

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