壹芯微作為國(guó)內(nèi)專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)二三極管的生產(chǎn)廠家,生產(chǎn)技術(shù)已經(jīng)是非常的成熟,進(jìn)口的測(cè)試儀器,可以很好的幫組到客戶朋友穩(wěn)定好品質(zhì),也有專(zhuān)業(yè)的工程師在把控穩(wěn)定質(zhì)量,協(xié)助客戶朋友解決一直客戶自身解決不了的問(wèn)題,每天會(huì)分享一些知識(shí)或者客戶的一些問(wèn)題,今天我們分享的是,MOS管與CMOS管知識(shí)簡(jiǎn)述和邏輯門(mén)電路簡(jiǎn)析,請(qǐng)看下方

CMOS是Complementary Metal Oxide Semiconductor（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）的縮寫(xiě)。它是指制造大規(guī)模集成電路芯片用的一種技術(shù)或用這種技術(shù)制造出來(lái)的芯片，是電腦主板上的一塊可讀寫(xiě)的RAM芯片。因?yàn)榭勺x寫(xiě)的特性，所以在電腦主板上用來(lái)保存BIOS設(shè)置完電腦硬件參數(shù)后的數(shù)據(jù)，這個(gè)芯片僅僅是用來(lái)存放數(shù)據(jù)的。

電壓控制的一種放大器件，是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。

而對(duì)BIOS中各項(xiàng)參數(shù)的設(shè)定要通過(guò)專(zhuān)門(mén)的程序。BIOS設(shè)置程序一般都被廠商整合在芯片中，在開(kāi)機(jī)時(shí)通過(guò)特定的按鍵就可進(jìn)入BIOS設(shè)置程序，方便地對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行設(shè)置。因此BIOS設(shè)置有時(shí)也被叫做CMOS設(shè)置。

MOS管概述

MOS管又分為兩種類(lèi)型：N型和P型。如下圖所示：

以N型管為例，2端為控制端，稱(chēng)為“柵極”;3端通常接地，稱(chēng)為“源極”;源極電壓記作Vss，1端接正電壓，稱(chēng)為“漏極”，漏極電壓記作VDD。要使1端與3端導(dǎo)通，柵極2上要加高電平。

對(duì)P型管，柵極、源極、漏極分別為5端、4端、6端。要使4端與6端導(dǎo)通，柵極5要加低電平。

在CMOS工藝制成的邏輯器件或單片機(jī)中，N型管與P型管往往是成對(duì)出現(xiàn)的。同時(shí)出現(xiàn)的這兩個(gè)CMOS管，任何時(shí)候，只要一只導(dǎo)通，另一只則不導(dǎo)通(即“截止”或“關(guān)斷”)，所以稱(chēng)為“互補(bǔ)型CMOS管”。

CMOS邏輯電平

高速CMOS電路的電源電壓VDD通常為+5V;Vss接地，是0V。

高電平視為邏輯“1”，電平值的范圍為：VDD的65%～VDD(或者VDD-1.5V～VDD)

低電平視作邏輯“0”，要求不超過(guò)VDD的35%或0～1.5V。

+1.5V～+3.5V應(yīng)看作不確定電平。在硬件設(shè)計(jì)中要避免出現(xiàn)不確定電平。

近年來(lái)，隨著亞微米技術(shù)的發(fā)展，單片機(jī)的電源呈下降趨勢(shì)。低電源電壓有助于降低功耗。VDD為3.3V的CMOS器件已大量使用。在便攜式應(yīng)用中，VDD為2.7V，甚至1.8V的單片機(jī)也已經(jīng)出現(xiàn)。將來(lái)電源電壓還會(huì)繼續(xù)下降，降到0.9V，但低于VDD的35%的電平視為邏輯“0”，高于VDD的65%的電平視為邏輯“1”的規(guī)律仍然是適用的。

非門(mén)

非門(mén)(反向器)是最簡(jiǎn)單的門(mén)電路，由一對(duì)CMOS管組成。其工作原理如下：

A端為高電平時(shí)，P型管截止，N型管導(dǎo)通，輸出端C的電平與Vss保持一致，輸出低電平;A端為低電平時(shí)，P型管導(dǎo)通，N型管截止，輸出端C的電平與VDD一致，輸出高電平。

與非門(mén)

與非門(mén)工作原理：

①、A、B輸入均為低電平時(shí)，1、2管導(dǎo)通，3、4管截止，C端電壓與VDD一致，輸出高電平。

②、A輸入高電平，B輸入低電平時(shí)，1、3管導(dǎo)通，2、4管截止，C端電位與1管的漏極保持一致，輸出高電平。

③、A輸入低電平，B輸入高電平時(shí)，情況與②類(lèi)似，亦輸出高電平。

④、A、B輸入均為高電平時(shí)，1、2管截止，3、4管導(dǎo)通，C端電壓與地一致，輸出低電平。

或非門(mén)

或非門(mén)工作原理：

①、A、B輸入均為低電平時(shí)，1、2管導(dǎo)通，3、4管截止，C端電壓與VDD一致，輸出高電平。

②、A輸入高電平，B輸入低電平時(shí)，1、4管導(dǎo)通，2、3管截止，C端輸出低電平。

③、A輸入低電平，B輸入高電平時(shí)，情況與②類(lèi)似，亦輸出低電平。

④、A、B輸入均為高電平時(shí)，1、2管截止，3、4管導(dǎo)通，C端電壓與地一致，輸出低電平。

注：

將上述“與非”門(mén)、“或非”門(mén)邏輯符號(hào)的輸出端的小圓圈去掉，就成了“與”門(mén)、“或”門(mén)的邏輯符號(hào)。而實(shí)現(xiàn)“與”、“或”功能的電路圖則必須在輸出端加上一個(gè)反向器，即加上一對(duì)CMOS管，因此，“與”門(mén)實(shí)際上比“與非”門(mén)復(fù)雜，延遲時(shí)間也長(zhǎng)些，這一點(diǎn)在電路設(shè)計(jì)中要注意。

三態(tài)門(mén)

三態(tài)門(mén)的工作原理：

當(dāng)控制端C為“1”時(shí)，N型管3導(dǎo)通，同時(shí)，C端電平通過(guò)反向器后成為低電平，使P型管4導(dǎo)通，輸入端A的電平狀況可以通過(guò)3、4管到達(dá)輸出端B。

當(dāng)控制端C為“0”時(shí)，3、4管都截止，輸入端A的電平狀況無(wú)法到達(dá)輸出端B，輸出端B呈現(xiàn)高電阻的狀態(tài)，稱(chēng)為“高阻態(tài)”。

這個(gè)器件也稱(chēng)作“帶控制端的傳輸門(mén)”。帶有一定驅(qū)動(dòng)能力的三態(tài)門(mén)也稱(chēng)作“緩沖器”，邏輯符號(hào)是一樣的。

注：

從CMOS等效電路或者真值表、邏輯表達(dá)式上都可以看出，把“0”和“1”換個(gè)位置，“與非”門(mén)就變成了“或非”門(mén)。對(duì)于“1”有效的信號(hào)是“與非”關(guān)系，對(duì)于“0”有效的信號(hào)是“或非”關(guān)系。

上述圖中畫(huà)的邏輯器件符號(hào)均是正邏輯下的輸入、輸出關(guān)系，即對(duì)“1”(高電平)有效而言。而單片機(jī)中的多數(shù)控制信號(hào)是按照負(fù)有效(低電平有效)定義的。例如片選信號(hào)CS(Chip Select)，指該信號(hào)為“0”時(shí)具有字符標(biāo)明的意義，即該信號(hào)為“0”表示該芯片被選中。因此，“或非”門(mén)的邏輯符號(hào)也可以畫(huà)成下圖。

組合邏輯電路

“與非”門(mén)、“或非”門(mén)等邏輯電路的不同組合可以得到各種組合邏輯電路，如譯碼器、解碼器、多路開(kāi)關(guān)等。

組合邏輯電路的實(shí)現(xiàn)可以使用現(xiàn)成的集成電路，也可以使用可編程邏輯器件，如PAL、GAL等實(shí)現(xiàn)。

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