MOS場效應管的種類及結構 - 壹芯微

MOS管，即金屬(Metal)-氧化物(Oxide)-半導體(Oxide)-半導體(Semiconductor)場效應晶體管，是應用場效應原理工作的半導體器件；與普通雙極晶體管相比，MOS管具有輸入阻抗高、噪音低、動態范圍大、功耗低，易于集成等優點，在開關電源、鎮流器、高頻感應加熱、高頻逆變焊機、通訊電源等高頻電源領域得到了越來越廣泛的應用。

MOS管的類型和結構。

MOS管是FET的一種(另一種是JFET結型場效應管)，主要有N溝型和P溝型兩種結構形式；根據場效應原理的不同，可分為耗盡型(當柵壓為零時，有較大的漏極電流)和增強型(當柵壓為零時，漏極電流也為零時，必須再加上一定的柵壓才能產生漏極電流)。所以MOS管可制成P溝增強型、P溝消耗型、N溝增強型、N溝消耗型四種產品。

圖(1) MOS管有四種類型。

每個MOS管都提供三種電極：Gate柵極(G),Source源極(S),Drain漏極(D)。接線時，對N通道的電源輸入為D，輸出為S；P通道的電源輸入為S，輸出為D；增強型和耗盡型的接線方式基本相同。

圖(2) MOS管內結構圖。

從結構圖可以看出，N型場效應管的源極和漏極連接到N型半導體，而P型場效應管的源極和漏極連接到P型半導體。場效應管的輸出電流由輸入電壓(或稱場電壓)控制，輸入電流極小或無電流輸入，使該設備具有較高的輸入阻抗，這也是MOS管被稱為場效應管的重要原因。

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