〔壹芯〕生產MMBTA92晶體管,參數達標,質量穩定

晶體管(TRANSISTORS)

型號：MMBTA92　　　　　　極性：PNP

IC(mA)：500　　　　　　　　BVCBO(V)：300

BVCEO(V)：300　HFE　MIN：100　MAX：200 

VCE(sat)　(V)：0.2　IC(mA)：20　IB(mA)：2

封裝：SOT-89 TO-92

電力場效應晶體管的換流安全工作區

在電力MOSFET換流過程中，當器件體內反并聯二極管從導通狀態進入反向恢復期時，如果漏極電壓上升率du_DS/dt過大，則很容易造成器件損壞。

二極管反向恢復期內漏-源極的電壓上升率又稱為二極管恢復du_DS/dt耐量。二極管恢復du_DS/dt耐量是電力MOSFET可靠性的一個重要參數。

電力MOSFET體內反并聯二極管在關斷過程中存在反向恢復時間。圖[1.20]所示為二極管反向恢復期的電壓和電流波形。

由圖可見，在反向恢復期內，二極管要承受漏-源極間迅速上升的電壓變化du_DS/dt，同時又有反向恢復電流流過。這將使電力MOSFET中的寄生雙極型晶體管開通，導致其產生類似二次擊穿的雪崩現象，從而縮小電力MOSFET的安全工作區。

電力MOSFET的實際應用中，柵-源極間阻抗、器件結溫和電路引線電感等也會對CSOA造成影響。

（1）柵-源極間電阻R_GS或電感L_GS的影響

如果R_GS或L_GS過大，由于二極管反向恢復產生的du_DS/dt，可能使u_GS>U_GS(th)，從而使電力MOSFET導通。雖然有時不能使電力MOSFET導通，但是可使其進人放大狀態，延緩二極管反向恢復時間。

圖[1.20(a)]、[(b)]分別示出了柵-源極間電阻R_GS為10Ω和100Ω情況下，功耗增加時反向恢復期間的電壓、電流波形。由圖可見，R_GS值較大時，二極管反向恢復時間較長。

在這種情況下運行時，雖反向恢復期間功耗增加，但因漏-源極電壓峰值較低，故可避免電力MOSFET的過電壓擊穿。

（2）結溫的影響

實驗證明，電力MOSFET的結溫對CSOA沒有直接影響，但是器件的漏-源極電壓和電流直接受結溫高低的影響。最終結果是結溫升高，CSOA曲線向縮小的方向變化。

（3）線路引線電感的影響

電路中的引線電感在二極管反向恢復過程中會產生反電動勢，使器件承受很高的峰值電壓。二極管換向電流上升率越快或引線電感越大，器件承受的峰值電壓越高。過高的電壓使對器件CSOA的要求更加苛刻。

為此，應盡量縮短電路引線，以便使引線電感減到最小值。實際使用中，引線電感可限制在100~200nH范圍內。

<壹芯微科技>專注二三極管領域研發制造，針對二三極管作出了良好的性能測試，產品廣泛應用于電源、LED照明、光伏、儀表儀器、數碼產品、各種小家電等領域。如果您遇到需要幫助解決的問題，可以點擊頁面右側咨詢工程師、或銷售經理為您提供精準的產品報價與介紹。