壹芯微研發生產直銷「MBR40150CT/FCT」雙二極管，V_RRM:150V，I_F(AV):40A，封裝TO-220/TO-220F/TO-263/TO-247，高質量，高標準，選型定制，樣品申請，在線詢價

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MBR40150CT.數據表(PDF):查看下載

(40A肖特基勢壘整流器)

主要參數

VRRM(Vpk): 150

IF(A_AV): 40

IFM(Surge)(Apk): 400

IR@VRRM(UAds): 5.0

VF@IF(Apk): 40

VE@IF(Vpk): 0.90

PAKAGE: TO-220/TO-220F/TO-263/TO-247

產品描述

MBR系列肖特基勢壘整流器是旨在滿足商業的一般要求通過提供高溫、低泄漏的應用和低VF產品。適用于高頻開關電源電源、續流二極管和極性保護二極管。

產品特性

低功耗，高效率。

高浪涌容量

用于低壓、高頻逆變器、續流和極性保護應用。

金屬硅結，多數載流子傳導。

高電流能力，低正向壓降。

保護環用于過壓保護。

肖特基勢壘

肖特基勢壘金屬及n型半導體的能帶結構如圖8-2[a]所示。金屬的功函數大于半導體的功函數，即Wm＞Ws。半導體的費米能級高于金屬的費米能級，即EFs＞EFm，它們具有共同的真空靜止電子能級E0。當把金屬和半導體電連接成一個系統時，由于EFs＞EFm，所以半導體中的電子將流向金屬，使金屬表面帶負電荷，半導體表面帶等值的正電荷，系統保持電中性，導致金屬的電勢Vm降低，半導體內的內建電勢Vbi升高，其內部的電子能級及表面的電子能級隨之發生相應的變化，最后達到平衡狀態，金屬和半導體的費米能級在同一水平上。金屬和半導體之間的電勢能變化完全補償了原來費米能級的差異，半導體的費米能級相對于金屬的費米能級下降了(Wm-Ws)，如圖8-2[b]所示。隨著金屬與半導體之間距離d的減小，接觸面積增大，金屬表面負電荷密度增加，半導體表面的正電荷密度也隨之增加，在半導體表面形成的空間電荷區也增寬。由空間電荷區電場引起的能帶彎曲加大，半導體表面與內部之間的電勢差也加大。金屬電勢與半導體電勢之差稱為接觸電勢差Vms，其一部分降落在空間電荷區(記為Vbi)，另一部分降落在金屬與半導體表面之間的間隙上(記為VG)。接觸電勢差Vms為

當金屬與半導體接觸不是很緊密時，即間隙距離較大、接觸面積較小時，空間電荷區的電勢差很小，接觸電勢差Vms主要降落在金屬與半導體表面之間的間隙上。如圖8-2（c）所示，當距離d減小到可以與原子間距相比較，全部面積緊密接觸時，電場增強，金屬的電勢Vm降低，半導體的電勢Vbi升高，其電勢能差距變得很小，Wm與Ws很接近。在極限情況下，間隙電勢差VG可以被忽略，電子就可自由穿過間隙。由式（8-6）可知，此時接觸電勢差Vms等于空間電荷區的電勢差Vbi，接觸勢壘高度為qVbi。這里的Vbi也稱表面勢。

圖8-2 金屬與n型半導體接觸所形成的肖特基勢壘

上面所討論的金屬與半導體之間的接觸通常稱為肖特基接觸，其接觸勢壘通常稱為肖特基勢壘。

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