簡析為什么不用sic做igbt

首先要說明SiC 也是可以做IGBT的。

Si材料的Mosfet存在一個(gè)問題，即耐受電壓能力高了芯片就會(huì)相應(yīng)地變厚，導(dǎo)通損耗也就很高，所以硅材料的Mosfet一般只能做低壓器件。

為了提高硅基器件的耐壓，所以才設(shè)計(jì)了IGBT這種器件。

SiC是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，可以做到很高的耐壓下芯片還很薄，而現(xiàn)在SiC的Mosfet可以做到6500V耐壓，已經(jīng)能覆蓋現(xiàn)在的IGBT耐壓水平了，且Mosfet的芯片結(jié)構(gòu)比IGBT簡單，所以目前沒有必要用SiC來做IGBT浪費(fèi)成本。

除非以后需要10kV級別的器件才有可能考慮SiC的IGBT。

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