FDD8870(MOS場效應(yīng)管) FDD8870參數(shù)中文資料 - 壹芯微

FDD8870場效應(yīng)管主要參數(shù) 極性：N溝道；電壓(VDSS)：30V；電流(ID)：160A；封裝(Pageke)：TO-252；

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FDD8870絕對最大額定參數(shù)

V_DSS 漏源電壓 30 V

V_GS 柵源電壓 ±20 V

I_D 漏極電流連續(xù) (T_C=25°C,V_GS=10V) (注 1) 160 A

I_D 連續(xù) (T_C=25°C,V_GS=4.5V)(注 1) 150 A

I_D 連續(xù)（T_amb=25°C，V_GS=10V），R_θJA=52°C/W 21 A

I_D 脈沖圖 4 A

E_AS 單脈沖雪崩能量(注 2) 690 mJ

P_D 功耗 160 W

25°C 以上降額 1.07 W/°C

T_J、T_STG 操作和儲(chǔ)存溫度 -55 至 175 °C

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