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來源：壹芯微 發(fā)布日期
2021-11-11 瀏覽：-低內(nèi)阻場效應(yīng)管 4N10 國產(chǎn)MOS管替換 MOSFET應(yīng)用領(lǐng)域
低內(nèi)阻場效應(yīng)管 4N10的特點(diǎn)：
VDS=100V
ID=3.8A
RDS(ON)＜240mΩ@VGS=10V
封裝：SOT-23-3L
低內(nèi)阻場效應(yīng)管 4N10的應(yīng)用領(lǐng)域：
負(fù)載開關(guān)
電池保護(hù)
不間斷電源
低內(nèi)阻場效應(yīng)管 4N10的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：100V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID：3.5A
漏極電流-脈沖 IDM：8A
總耗散功率 PD：3.76W
存儲溫度 TSTG：-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：70℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：30℃/W
低內(nèi)阻場效應(yīng)管 4N10的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
低內(nèi)阻場效應(yīng)管 4N10的封裝外形尺寸：
壹芯微專業(yè)制造二極管,三極管,MOS管,20年行業(yè)經(jīng)驗,工廠直銷節(jié)省≈25%,4800家電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用,高質(zhì)量高標(biāo)準(zhǔn),提供免費(fèi)試樣,選型替代,售后FEA,產(chǎn)品報價以及詳細(xì)信息,歡迎您的咨詢,壹芯微致力為您提供完善的服務(wù)！
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