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        [常見問題解答]低內阻場效應管 4N10 國產MOS管替換 MOSFET應用領域[ 2021-11-11 18:16 ]
        低內阻場效應管 4N10 國產MOS管替換 MOSFET應用領域低內阻場效應管 4N10的特點:VDS=100VID=3.8ARDS(ON)<240mΩ@VGS=10V封裝:SOT-23-3L低內阻場效應管 4N10的應用領域:負載開關電池保護不間斷電源低內阻場效應管 4N10的極限值:(如無特殊說明,TC=25℃)漏極-源極電壓 VDS:100V柵極-源極電壓 VGS:±20V漏極電流-連續 ID:3.5A漏極電流-脈沖 IDM:8A總耗散功率 PD:3.76W存儲溫度 TSTG:-55~150℃工
        http://www.kannic.com/Article/dnzcxyg4n1_1.html3星

        地 址/Address

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