常用場(chǎng)效應(yīng)管的基本參數(shù)詳解

(1)場(chǎng)效應(yīng)管的基本參數(shù)

①夾斷電壓UP  也稱截止柵壓UGS(OFF)，是在耗盡型結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管或耗盡型絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管源極接地的情況下，能使其漏源

輸出電流減小到零時(shí)所需的柵源電壓UGS。

②開(kāi)啟電壓UT  也稱閥電壓，是增強(qiáng)型絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管在漏源電壓UDS為一定值時(shí)，能使其漏、源極開(kāi)始導(dǎo)通的最小柵源電壓UGS。

③飽和漏電流IDSS  是耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管在零偏壓（即柵源電壓UGS為零）、漏源電壓UDS大于夾斷電壓Up時(shí)的漏極電流。

④擊穿電壓BUDS和BUGS

a．漏源擊穿電壓BUDS。也稱漏源耐壓值，是當(dāng)場(chǎng)效應(yīng)管的漏源電壓UDS增大到一定數(shù)值時(shí)，使漏極電流ID突然增大且不受柵極電壓控制時(shí)的最大漏源電壓。

b．柵源擊穿電壓BUGS。是場(chǎng)效應(yīng)管的柵、源極之間能承受的最大上作電壓。

⑤耗散功率PD  也稱漏極耗散功率，該值約等于漏源電壓UDS與漏極電流ID的乘積。

⑥漏泄電流IGSS  是場(chǎng)效應(yīng)管的柵—溝道結(jié)施加反向偏壓時(shí)產(chǎn)生的反向電流。

⑦直流輸入電阻RGS  也稱柵源絕緣電阻，是場(chǎng)效應(yīng)管柵—溝道在反偏電壓作用下的電阻值，約等于柵源電壓UGS與柵極電流的

比值。

⑧漏源動(dòng)態(tài)電阻RDS  是漏源電壓UDS的變化量與漏極電流ID的變化量之比，一般為數(shù)千歐以上。

⑨低頻跨導(dǎo)gm  也稱放大特性，是柵極電壓UG對(duì)漏極電流ID的控制能力，類似于三極管的電流放大倍數(shù)β值。

⑩極間電容  是場(chǎng)效應(yīng)管各極之間分布電容形成的雜散電容。柵源極電容（輸入電容）CGS和柵漏極電容cGD的電容量為1~

3pF，漏源極電容CDS的電容量為0.1~1pF。

(2)常用場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)

部分結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的主要參數(shù)見(jiàn)表3-9。部分N溝道耗盡型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的主要參數(shù)見(jiàn)表3-10。部分增強(qiáng)型MOS場(chǎng)

效應(yīng)晶體管的主要參數(shù)見(jiàn)表3-11。

場(chǎng)效應(yīng)管工作用途

場(chǎng)效應(yīng)管工作用途

場(chǎng)效應(yīng)管工作用途

(1)場(chǎng)效應(yīng)管的基本參數(shù)

①夾斷電壓UP  也稱截止柵壓UGS(OFF)，是在耗盡型結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管或耗盡型絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管源極接地的情況下，能使其漏源

輸出電流減小到零時(shí)所需的柵源電壓UGS。

②開(kāi)啟電壓UT  也稱閥電壓，是增強(qiáng)型絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管在漏源電壓UDS為一定值時(shí)，能使其漏、源極開(kāi)始導(dǎo)通的最小柵源電壓UGS。

③飽和漏電流IDSS  是耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管在零偏壓（即柵源電壓UGS為零）、漏源電壓UDS大于夾斷電壓Up時(shí)的漏極電流。

④擊穿電壓BUDS和BUGS

a．漏源擊穿電壓BUDS。也稱漏源耐壓值，是當(dāng)場(chǎng)效應(yīng)管的漏源電壓UDS增大到一定數(shù)值時(shí)，使漏極電流ID突然增大且不受柵極電壓控制時(shí)的最大漏源電壓。

b．柵源擊穿電壓BUGS。是場(chǎng)效應(yīng)管的柵、源極之間能承受的最大上作電壓。

⑤耗散功率PD  也稱漏極耗散功率，該值約等于漏源電壓UDS與漏極電流ID的乘積。

⑥漏泄電流IGSS  是場(chǎng)效應(yīng)管的柵—溝道結(jié)施加反向偏壓時(shí)產(chǎn)生的反向電流。

⑦直流輸入電阻RGS  也稱柵源絕緣電阻，是場(chǎng)效應(yīng)管柵—溝道在反偏電壓作用下的電阻值，約等于柵源電壓UGS與柵極電流的

比值。

⑧漏源動(dòng)態(tài)電阻RDS  是漏源電壓UDS的變化量與漏極電流ID的變化量之比，一般為數(shù)千歐以上。

⑨低頻跨導(dǎo)gm  也稱放大特性，是柵極電壓UG對(duì)漏極電流ID的控制能力，類似于三極管的電流放大倍數(shù)β值。

⑩極間電容  是場(chǎng)效應(yīng)管各極之間分布電容形成的雜散電容。柵源極電容（輸入電容）CGS和柵漏極電容cGD的電容量為1~

3pF，漏源極電容CDS的電容量為0.1~1pF。

(2)常用場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)

部分結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的主要參數(shù)見(jiàn)表3-9。部分N溝道耗盡型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的主要參數(shù)見(jiàn)表3-10。部分增強(qiáng)型MOS場(chǎng)

效應(yīng)晶體管的主要參數(shù)見(jiàn)表3-11。

使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)有哪些注意事項(xiàng)？

場(chǎng)效應(yīng)管較三極管嬌弱，使用不當(dāng)很容易損壞，因此使用時(shí)應(yīng)特別注意以下事項(xiàng)。

①應(yīng)根據(jù)不同的使用場(chǎng)合選用適當(dāng)型號(hào)的場(chǎng)效應(yīng)管。常用場(chǎng)效應(yīng)管的主要用途見(jiàn)表3-8。

②場(chǎng)效應(yīng)管，尤其是絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管，輸人阻抗非常高，不用時(shí)應(yīng)將各電極短接，以免柵極感應(yīng)電荷而損壞管子。

③結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的柵源電壓不能接反，但可在開(kāi)路狀態(tài)下保存。

④為了保持場(chǎng)效應(yīng)管的高輸入阻抗，管子應(yīng)注意防潮，使用環(huán)境應(yīng)干燥。

⑤帶電物體（如電烙鐵、測(cè)試儀表）與場(chǎng)效應(yīng)管接觸時(shí)，均需接地，以免損壞管子。特別是焊接絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，還要按源極—柵極的先后次序焊接，最好斷電后再焊接。電烙鐵功率以15~30W為宜，一次焊接時(shí)間不應(yīng)超過(guò)10s。

⑥絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管切不可用萬(wàn)用表測(cè)試，只能用測(cè)試儀測(cè)試，而且要在接入測(cè)試儀后，才能去掉各電極短路接線。取下時(shí)，則應(yīng)先短路各電極后再取下，要避免柵極懸空。

⑦使用帶有襯底引線的場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，其襯底引線應(yīng)正確連接。

壹芯微科技針對(duì)二三極管,MOS管作出了良好的性能測(cè)試，應(yīng)用各大領(lǐng)域，如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以點(diǎn)擊右邊的工程師,或者點(diǎn)擊銷(xiāo)售經(jīng)理給您精準(zhǔn)的報(bào)價(jià)以及產(chǎn)品介紹