場效應MOS管驅動電路解析 - 壹芯微

現在的MOS驅動，有幾個特別的需求

1. 低壓應用

當使用5V電源，這時候如果使用傳統的圖騰柱結構，由于三極管的be有0.7V左右的壓降，導致實際最終加在gate上的電壓只有4.3V。這時候，我們選用標稱gate電壓4.5V的MOS管就存在一定的風險。

同樣的問題也發生在使用3V或者其他低壓電源的場合。

2. 寬電壓應用

輸入電壓并不是一個固定值，它會隨著時間或者其他因素而變動。這個變動導致PWM電路提供給MOS管的驅動電壓是不穩定的。

為了讓MOS管在高gate電壓下安全，很多MOS管內置了穩壓管強行限制gate電壓的幅值。在這種情況下，當提供的驅動電壓超過穩壓管的電壓，就會引起較大的靜態功耗。

同時，如果簡單的用電阻分壓的原理降低gate電壓，就會出現輸入電壓比較高的時候，MOS管工作良好，而輸入電壓降低的時候gate電壓不足，引起導通不夠徹底，從而增加功耗。

3. 雙電壓應用

在一些控制電路中，邏輯部分使用典型的5V或者3.3V數字電壓，而功率部分使用12V甚至更高的電壓。兩個電壓采用共地方式連接。

這就提出一個要求，需要使用一個電路，讓低壓側能夠有效的控制高壓側的MOS管，同時高壓側的MOS管也同樣會面對1和2中提到的問題。

在這三種情況下，圖騰柱結構無法滿足輸出要求，而很多現成的MOS驅動IC，似乎也沒有包含gate電壓限制的結構。

MOS驅動有如下的特性：

1. 用低端電壓和PWM驅動高端MOS管。

2. 用小幅度的PWM信號驅動高gate電壓需求的MOS管。

3. gate電壓的峰值限制

4. 輸入和輸出的電流限制

5. 通過使用合適的電阻，可以達到很低的功耗。

6. PWM信號反相。NMOS并不需要這個特性，可以通過前置一個反相器來解決。

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