場效應MOS管和最簡單的CMOS邏輯門電路解析-壹芯微

現代單片機主要是采用CMOS工藝制成的。

以N型管為例，2端為控制端，稱為[柵極]；3端通常接地，稱為[源極]；源極電壓記作Vss，1端接正電壓，稱為[漏極]，漏極電壓記作VDD。要使1端與3端導通，柵極2上要加高電平。

1、MOS管

MOS管又分為兩種類型：N型和P型。如下圖所示：

以N型管為例，2端為控制端，稱為[柵極]；3端通常接地，稱為[源極]；源極電壓記作Vss，1端接正電壓，稱為[漏極]，漏極電壓記作VDD。要使1端與3端導通，柵極2上要加高電平。

對P型管，柵極、源極、漏極分別為5端、4端、6端。要使4端與6端導通，柵極5要加低電平。

在CMOS工藝制成的邏輯器件或單片機中，N型管與P型管往往是成對出現的。同時出現的這兩個CMOS管，任何時候，只要一只導通，另一只則不導通(即[截止]或[關斷])，所以稱為[互補型CMOS管]。

2、CMOS邏輯電平

高速CMOS電路的電源電壓VDD通常為+5V;Vss接地，是0V。

高電平視為邏輯[1]，電平值的范圍為：VDD的65%～VDD(或者VDD-1.5V～VDD)

低電平視作邏輯[0]，要求不超過VDD的35%或0～1.5V。

+1.5V～+3.5V應看作不確定電平。在硬件設計中要避免出現不確定電平。

近年來，隨著亞微米技術的發展，單片機的電源呈下降趨勢。

低電源電壓有助于降低功耗。VDD為3.3V的CMOS器件已大量使用。在便攜式應用中，VDD為2.7V，甚至1.8V的單片機也已經出現。將來電源電壓還會繼續下降，降到0.9V，但低于VDD的35%的電平視為邏[0]，高于VDD的65%的電平視為邏輯[1]的規律仍然是適用的。

3、非門

非門(反向器)是最簡單的門電路，由一對CMOS管組成。其工作原理如下：

A端為高電平時，P型管截止，N型管導通，輸出端C的電平與Vss保持一致，輸出低電平;A端為低電平時，P型管導通，N型管截止，輸出端C的電平與VDD一致，輸出高電平。

4、與非門

與非門工作原理：

①、A、B輸入均為低電平時，1、2管導通，3、4管截止，C端電壓與VDD一致，輸出高電平。

②、A輸入高電平，B輸入低電平時，1、3管導通，2、4管截止，C端電位與1管的漏極保持一致，輸出高電平。

③、A輸入低電平，B輸入高電平時，情況與②類似，亦輸出高電平。

④、A、B輸入均為高電平時，1、2管截止，3、4管導通，C端電壓與地一致，輸出低電平。

5、或非門

或非門工作原理：

①、A、B輸入均為低電平時，1、2管導通，3、4管截止，C端電壓與VDD一致，輸出高電平。

②、A輸入高電平，B輸入低電平時，1、4管導通，2、3管截止，C端輸出低電平。

③、A輸入低電平，B輸入高電平時，情況與②類似，亦輸出低電平。

④、A、B輸入均為高電平時，1、2管截止，3、4管導通，C端電壓與地一致，輸出低電平。

注：將上述[非]門[或非]門邏輯符號的輸出端的小圓圈去掉，就成了[與]門、[或]門的邏輯符號。而實現[與]、[或]功能的電路圖則必須在輸出端加上一個反向器，即加上一對CMOS管，因此，[與]門實際上比[與非]門復雜，延遲時間也長些，這一點在電路設計中要注意。

6、三態門

三態門的工作原理：

當控制端C為[1]時，N型管3導通，同時，C端電平通過反向器后成為低電平，使P型管4導通，輸入端A的電平狀況可以通過3、4管到達輸出端B。

當控制端C為[0]時，3、4管都截止，輸入端A的電平狀況無法到達輸出端B，輸出端B呈現高電阻的狀態，稱為[高阻態]。

這個器件也稱作[帶控制端的傳輸門]。帶有一定驅動能力的三態門也稱作[緩沖器]，邏輯符號是一樣的。

注：從CMOS等效電路或者真值表、邏輯表達式上都可以看出，把[0]和[1]換個位置，[與非]門就變成了[或非]門。對于[1]有效的信號是[與非]關系，對于[0]有效的信號是[或非]關系。

上述圖中畫的邏輯器件符號均是正邏輯下的輸入、輸出關系，即對[1](高電平)有效而言。而單片機中的多數控制信號是按照負有效(低電平有效)定義的。例如片選信號CS(Chip Select)，指該信號為[0]時具有字符標明的意義，即該信號為[0]表示該芯片被選中。因此，[或非]門的邏輯符號也可以畫成下圖。

7、組合邏輯電路

[與非]門、[或非]門等邏輯電路的不同組合可以得到各種組合邏輯電路，如譯碼器、解碼器、多路開關等。

組合邏輯電路的實現可以使用現成的集成電路，也可以使用可編程邏輯器件，如PAL、GAL等實現。

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