MOSFET雪崩特性參數(shù)解析

一、EAS與EAR的定義

EAS單脈沖雪崩擊穿能量, EAS標(biāo)定了器件可以安全吸收反向雪崩擊穿能量的高低。以低于Tj(max)為極限。

如果電壓過沖值(通常由于漏電流和雜散電感造成)未超過擊穿電壓，則器件不會發(fā)生雪崩擊穿，因此也就不需要消散雪崩擊穿的能力。雪崩擊穿能量標(biāo)定了器件可以容忍的瞬時過沖電壓的安全值，其依賴于雪崩擊穿需要消散的能量。

EAR重復(fù)雪崩能量, 標(biāo)定了器件所能承受的反復(fù)雪崩擊穿能量。以低于Tj（max）為極限。

二、雪崩能量、溫升、雪崩時間以及計(jì)算

三、在什么的應(yīng)用條件下要考慮雪崩能量

 對于那些在MOSFET的D和S極產(chǎn)生較大電壓的尖峰應(yīng)用，就要考慮器件的雪崩能量，電壓的尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定，因此對于反激的應(yīng)用，MOSFET關(guān)斷時會產(chǎn)生較大的電壓尖峰。通常的情況下，功率器件都會降額，從而留有足夠的電壓余量。

但是，一些電源在輸出短路時，初級中會產(chǎn)生較大的電流，加上初級電感，器件就會有雪崩損壞的可能，因此在這樣的應(yīng)用條件下，就要考慮器件的雪崩能量。另外，由于一些電機(jī)的負(fù)載是感性負(fù)載，而啟動和堵轉(zhuǎn)過程中會產(chǎn)生極大的沖擊電流，因此也要考慮器件的雪崩能量。

四、雪崩擊穿（EAS/EAR）的保護(hù)

如上圖所示，可在變壓器（感性負(fù)載）兩端并接RCD吸收回路，以降低反向尖峰電壓，避免出現(xiàn)雪崩擊穿現(xiàn)象；串聯(lián)柵極電阻，并設(shè)置為合適值，以抑制dv/dt，增加關(guān)斷時間，從而抑制反向尖峰電壓，但是這又會增加關(guān)斷損耗，所以柵極電阻要設(shè)置在一個合適值；也可在MOSFET的DS間并接RC吸收回路以吸收反向尖峰電壓；大電流電路布線加粗、縮短距離，降低寄生電感。

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