一、MOSFET的驅動機制與米勒平臺

在電路設計中，MOSFET的柵極驅動過程至關重要，涉及對MOSFET輸入電容的充放電，尤其是柵源極電容Cgs。一旦Cgs電荷達到門檻電壓，MOSFET即切換至開啟狀態。接著，隨著Vds下降和Id上升，MOSFET進入飽和區。然而，由于米勒效應，Vgs在一段時間內停滯，即使此時Id已達最大值，Vds仍在下降，直至米勒電容充滿電。再次將Vgs上升至驅動電壓時，MOSFET進入電阻區，Vds徹底下降至最低，完成開啟過程。

米勒電容的存在限制了Vgs上升速度，影響了Vds下降速度，因此延長了開啟時間。米勒效應是由MOS管的米勒電容引發的，即在MOS管開啟前，D極電壓大于G極電壓，導致MOS寄生電容Cgd中儲存的電荷在導通時注入G極并與其中電荷中和。這增加了MOS的開啟損耗，因為MOS管無法迅速進入開關狀態。

為了解決米勒效應問題，人們提出了圖騰驅動概念。通過選擇Cgd較小的MOS器件，可以減小開啟損耗，但無法完全消除米勒效應。

二、米勒平臺的形成機制

米勒效應導致MOS管開啟過程中出現米勒平臺。具體而言，在MOS開啟前，D極電壓大于G極電壓，導致MOS寄生電容Cgd中儲存的電荷在導通時注入G極并與其中電荷中和。這導致一個時間段，G極的驅動電荷用于中和Cgd中電荷，并繼續注入電荷使其中電荷極性反向。這段時間稱為米勒平臺形成時間段。

三、米勒效應的影響與解決方法

米勒效應增加了MOS的開啟損耗，延長了開啟時間，降低了開關速度。解決方法包括：

1. 增大G級和S級之間的電容可部分消除米勒效應，但會延長開啟時間。通常建議增加0.1Ciess的電容。

2. 選擇Cgd較小的MOS器件可以減小開啟損耗，因為Cgd越小，開啟損耗越小。因此，在選擇MOS時應優先考慮Cgd較小的器件。