場效應管特性及檢修方法解析

場效應管的外觀封裝和三極管差不多。場效應管屬于電壓控制電流型半導體器件，即通過控制柵極和源極電壓大小來控制漏極和源極的導通情況，場效應管的柵極輸入阻抗非常高。場效應管的分類如圖7.7所示。

圖7.7 場效應管分類

工業電路板維修以N溝道的增強型場效應管MOSFET最為常見，其內部結構原理參見圖7.8。如果在g、s之間無電壓，s、d之間相當于兩個反接的二極管，處于截止狀態；如果在g、s之間加上正電壓，p區電子將會被吸引，在d、s之間形成導電層成導通狀態，導通程度視乎g、s電壓大小。

圖7.8 N溝道MOSFET內部結構及控制原理

對應不同應用場合，MOSFET又分為P溝道和N溝道兩種類型，分別對應三極管的PNP型和NPN型。如果做為開關使用，N溝道場效應管和NPN型三極管相當于接在電源負極的開關，而P溝道場效應管和PNP型三極管相當于接在電源正極的開關。

圖7.9 MOSFET和三極管類型比較

還有一類場效應管叫結型場效應管，如圖7.10所示。這類場效應管平時D、S處于導通狀態，需要在G、S之間加負壓來減小D、S之間的導通程度。此類元件在音響電路等模擬電路部分應用比較常見。

圖7.10 結型場效應管內部結構

維修時，需要關注的幾個場效應管的主要參數有：

VDSS（漏-源電壓），場效應管工作時，漏極-源極之間的電壓應低于此電壓；

VGS（柵極-源極電壓），在柵極和源極所加控制電壓的極限；

ID（漏極持續電流），場效應管導通時，漏極能持續通過的最大電流；

RDS(ON)（漏-源通態電阻），當漏極和源極導通后，它們之間的電阻值；

VGS(TO)柵-源閾值電壓，即要使場效應管導通，加在柵極和源極之間的最小電壓。

場效應管的柵極、源極、漏極相當于三極管的基極、發射極、集電極，測量是否有受控導通能力，可以在柵極和源極之間加上電壓（根據其性能不同，一般可在4V~10V之間），同時測試源極和漏極的導通能力。因為場效應管的柵極輸入阻抗非常高，在柵-源之間加上電壓后，柵極和源極之間的結電容得以充電，如果此時斷開電路，沒有放電回路，柵-源之間的電壓會一直保持，漏極和源極就會一直導通。以數字萬用表為例，測試時可以萬用表置于二極管測試檔位（選擇合適萬用表，保證二極管檔有4V以上懸空電壓），用紅表筆和黑表筆在柵極和源極之間接觸一下（對N溝道場效應管，紅表筆接柵極，黑表筆接源極，P溝道場效應管則紅表筆接源極，黑表筆接柵極），然后再量D、S之間的導通情況，可以二極管檔量，也可以電阻檔量，測量D、S 是否導通，不必在意萬用表表筆極性，但應注意有些場效應管內部D、S之間有反向并聯續流保護二極管，要注意區分二極管導通和D、S導通的區別，D、S導通時幾乎沒有電壓降。

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