壹芯微作為國內專業生產場效應管的生產廠家,各種技術已經是非常的成熟,進口的測試儀器,可以很好的幫組到客戶朋友穩定好品質,也有專業的工程師在把控,協助客戶朋友解決一直客戶自身解決不了的問題,像今天有位客戶來咨詢說,場效應管和三極管的區別是什么,處理好這個問題后,就來到這里,打算跟各位分享一下,后面有遇到相同的問題可以參考解決

三極管和場效應管的主要區別在于三極管的放大或者開關功能依賴基極的電流分量。場效應管的放大和開關功能依賴于柵極的電壓分量。其他還有開關時間特性的區別，一般晶體三極管大電流的開關速度遠比不上場效應管。 場效應管和三極管輸入電阻有差異。 .場效應管是單極;三極管是雙極。 場效應管是電壓控制電流源，控制電壓和電流屬于不同的支路，因而電壓的求解一般不難（有時是與受控電流有關的表達式），進而根據漏極電流表達式來求出電流值，然后進行模型分析，求出跨導和輸出電阻。 而三極管要先建立模型，然后進行電路分析，求解過程特別是計算很復雜，容易出錯； 總體而言，場效應管的分析要比三極管簡單一些。 三.極管和場效應管的比較可以歸納以下幾點： 1）、在三極管中，空穴和自由電子都參與導電，稱為雙極型器件，用BJT表示；而場效應管只有多子導電，稱為單極型器件，用FET表示。由于多子濃度不受外界溫度、光照、輻射的影響，在環境變化劇烈的條件下，選用FET比較合適。 這也就是我們通常所說的場效應管比較穩定的原因。 2）、在放大狀態工作時，三極管發射結正偏，有基極電流，為電流控制器件，相應的輸入電阻較小，約103Ω；FET在放大狀態工作時無柵極電流，為電壓控制器件，輸入電阻很大，JFET的輸入電阻大于107Ω，MOS管的輸入電阻大于109Ω。 3）、場效應管的源極和漏極在結構上對稱，可以互換使用(但應注意，有時廠家已將MOS管的源極與襯底在管內已經短接，使用時就不能互換)。對耗盡型MOS管的VGS可正、可負、可為零，使用時比較靈活。三極管的集電極和發射極一般不能互換使用。 4）、在低電壓小電流狀態下工作時，FET可作為壓控可變線性電阻器和導通電阻很小的無觸點電子開關。 5）、MOS管工藝簡單，功耗小，適合于大規模集成。三極管的增益高，非線性失真小，性能穩定。在分立元件電路和中、小規模集成電路中，三極管仍占優勢。 6）、三極管的轉移特性(ic-vbe的關系)按指數規律變化，場效應管的轉移特性按平方規律變化，因此場效應管的非線性失真比三極管的非線性失真大7）、場效應管的三種基本組態電路(共源、共漏和共柵)可以對照三極管的共發、共集和共基電路，由于場效應管的柵極無電流，所以輸入電阻R'i≈∞。跨導gm比三極管的小一個數量級，gm我們可以用轉移特性求導得到 5.三極管可以說是電流控制電流源的器件，而電流是通過輸入電阻的大小來體現的；但場效應管是電壓控制電流源的器件 6.記住四種mos管的特性曲線的方法：只需記住n溝道的emos管的曲線，它的Vgs是大于0的，且曲線呈遞增趨勢．而p溝道的emos的Vgs是小于0的，且呈現遞減趨勢．dmos的Vgs既有大于0的部分，又有小于0的部分，按照n溝道遞增，p溝道遞減的曲線特征就可以將dmos的特性曲線記住了 7.1）場效應管是電壓控制元件，而三級管是電流控制元件； 2）場效應管是利用多數載流子導電，所以稱為單極性器件，而三級管既有多子，也有少子導電，稱之為雙極性器件； 3）場效應管靈活性比三級管好； 4）場效應管的制造工藝更適合于集成電路。場效應管它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬、受溫度和輻射影響小等優點，特別適用于高靈敏度和低噪聲的電路，現已成為普通晶體管的強大競爭者。普通晶體管（三極管）是一種電流控制元件，工作時，多數載流子和少數載流子都參與運行，所以被稱為雙極型晶體管；而場效應管（FET）是一種電壓控制器件（改變其柵源電壓就可以改變其漏極電流），工作時，只有一種載流子參與導電，因此它是單極型晶體管。場效應管和三極管一樣都能實現信號的控制和放大，但由于他們構造和工作原理截然不同，所以二者的差異很大。在某些特殊應用方面，場效應管優于三極管，是三極管無法替代的. 場效應管是電壓控制元件，而三極管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管。而在信號源電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應用三極管。 場效應管靠多子導電，管中運動的只是一種極性的載流子；三極管既用多子，又利用少子。由于多子濃度不易受外因的影響，因此在環境變化較強烈的場合，采用場效應管比較合適。場效應管的輸入電阻高，適用于高輸入電阻的場合。場效應管的噪聲系數小，適用于低噪聲放大器的前置級。

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