壹芯微作為國內專業生產場效應管的生產廠家,各種技術已經是非常的成熟,進口的測試儀器,可以很好的幫組到客戶朋友穩定好品質,也有專業的工程師在把控,協助客戶朋友解決一直客戶自身解決不了的問題,像今天有位客戶來咨詢說,場效應管工作原理是什么,處理好這個問題后,就來到這里,打算跟各位分享一下,后面有遇到相同的問題可以參考解決

場效應管分結型、絕緣柵型兩大類。結型場效應管（JFET）因有兩個PN結而得名，絕緣柵型場效應管（JGFET）則因柵極與其它電極完整絕緣而得名。目前在絕緣柵型場效應管中，應用最為普遍的是MOS場效應管，簡稱MOS管（即金屬-氧化物-半導體場效應管MOSFET）；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應管，以及最近剛問世的πMOS場效應管、VMOS功率模塊等。

按溝道半導體資料的不同，結型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導電方式來劃分，場效應管又可分紅耗盡型與加強型。結型場效應管均為耗盡型，絕緣柵型場效應管既有耗盡型的，也有加強型的。

場效應晶體管可分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管。而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和加強型；P溝耗盡型和加強型四大類

場效應管的特性是南柵極電壓UG；控制其漏極電流ID。和普通雙極型晶體管相比擬，場效應管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態范圍大、功耗小、易于集成等特性。

場效應管的工作原理（以結型N溝道管為例）。由于柵極G接有負偏壓（-UG），在G左近構成耗盡層。

當負負偏壓(-UG)的絕對值增大時，耗盡層增大，溝道減小，漏極電流ID減小。當負偏壓（一UG）的絕對值減小時，耗盡層減小，溝道增大，漏極電流ID增大。可見，漏極電流ID受柵極電壓的控制，所以場效應管是電壓控制型器件，即經過輸入電壓的變化來控制輸出電流的變化，從而到達放大等目的。

和雙極型晶體管一樣，場效應管用于放大等電路時，其柵極也應加偏置電壓。

結型場效府管的柵極應加反向偏置電壓，即N溝道管加負柵壓，P溝道管加正柵爪。加強型絕緣柵場效應管應加正向柵壓。耗盡型絕緣柵場效應管的柵壓可正、可負、可為“0”，見表4-2。加偏置的辦法有同定偏置法、自給偏置法、直接耦合法等。

一、場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。

二、場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。

三、場效應管可以用作可變電阻。

四、場效應管可以方便地用作恒流源。

五、場效應管可以用作電子開關。

MOS管、場效應管。具有低內阻、高耐壓、快速開關、雪崩能量高等特點，設計電流跨度1A-200A電壓跨度30V-1200V，我們可以根據客戶的應用領域和應用方案的不同作出調整電性參數，提高客戶產品的可靠性，整體轉換效率和產品的價格競爭優勢。

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