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        AP05N50EH場效應管參數資料,AP05N50EH-HF規格書下載,MOS管廠家直銷

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        AP05N50EH場效應管參數資料,AP05N50EH-HF規格書下載,MOS管廠家直銷

        壹芯微®AP05N50EH替代國際知名品牌對應型號,MOS(場效應管)AP05N50EH詳細參數,封裝引腳圖,規格書(數據手冊)

        AP05N50EH(TO-252)

        (圖:AP05N50EH場效應管封裝TO-252引腳圖)

        AP05N50EH場效應管主要參數

        參數符號單位
        漏極-源極電壓VDSS500V
        柵極-源極電壓VGSS±30V
        雪崩電流IAR5A
        柵極-源極電壓(TJ=25°C)ID5A
        柵極-源極電壓(TJ=100°C)ID-A
        脈沖漏極電流IDM20A
        單脈沖雪崩能量EAS12.5mJ
        重復雪崩能量EAR-mJ
        二極管恢復峰值dv/dt-V/ns
        功耗,(TC=25°C)PD73.5W
        功耗,(TA=25°C)PD2W
        工作結溫范圍TJ-55~150 °С
        貯存溫度范圍TSTG-55~150 °С
        熱阻-結到外殼Rthj-c1.7°C/W
        熱阻-結到環境Rthj-a62.5°C/W

        (參數表(如上):絕對最大額定參數與電氣特性等)

        AP05N50EH.PDF規格書/數據手冊(點擊紅色字體下載)

        AP05N50EH規格書

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