6N40L-TN3-G場(chǎng)效應(yīng)(MOS管)參數(shù) 報(bào)價(jià) 原廠直銷 免費(fèi)樣品 - 壹芯微

型號(hào)：6N40L-TN3-G 極性：N溝道；電壓：400V 電流：6A；封裝：TO-252 促銷價(jià)格/免費(fèi)樣品/選型替代/原廠直銷

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6N40L-TN3-G的概述：

6N40是一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用完美平面條紋DMOS技術(shù)，可為客戶提供卓越的開關(guān)性能和最小的導(dǎo)通電阻。 它還可以承受雪崩和換向模式下的高能量脈沖。6N40通常用于應(yīng)用，例如基于半橋拓?fù)涞碾娮訜翩?zhèn)流器和高效開關(guān)模式電源。

6N40L-TN3-G的特性：

* RDS(ON)=1.0Ω @ VGS=10V

* 快速切換速度

* 改進(jìn)的 dv/dt 功能

6N40L-TN3-G的絕對(duì)最大額定值（TC = 25°C，除非另有說明）：

Drain-SourceVoltage漏源電壓,VDSS：400V

Gate-SourceVoltage柵源電壓,VGSS：±30V

AvalancheCurrent雪崩電流(注 2), IAR：6A

DrainCurrentContinuous漏極電流連續(xù),ID：6(注5)A

DrainCurrentPulsed脈沖漏極電流(注 2), IDM：24(注5)A

AvalancheEnergySinglePulsed雪崩能量單脈沖(注3),EAS：330mJ

AvalancheEnergyRepetitive雪崩能量重復(fù)(注2),EAR：8.5mJ

PeakDiodeRecovery峰值二極管恢復(fù)(注4),dv/dt：4.5V/ns

PowerDissipation功耗,TO-220,PD：73W

PowerDissipation功耗,TO-220F,PD：38W

PowerDissipation功耗,TO-252,PD：62.5W

JunctionTemperature結(jié)溫,TJ：+150°C

StorageTemperature儲(chǔ)存溫度,TSTG：-55~+150°C

注意：1.絕對(duì)最大額定值是指超出該值可能會(huì)永久損壞設(shè)備的那些值。絕對(duì)最大額定值僅是應(yīng)力額定值，并不暗示功能設(shè)備操作。

2.重復(fù)額定值：脈沖寬度受最大結(jié)溫限制

3.L=19mH，IAS=5.5A，VDD=50V，RG=25Ω，起始TJ=25°C

4.ISD≤6A，di/dt≤200A/μs，VDD≤BVDSS，起始TJ=25°C

5.漏極電流受最大結(jié)溫限制

壹芯微6N40L-TN3-G規(guī)格書下還有熱特性，靜態(tài)特性與電氣參數(shù)等，建議自行閱讀觀看。

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