來源:壹芯微 發布日期
2021-09-17 瀏覽:-4N65L-TN3-T場效應管參數規格書 MOS管廠家直營 - 壹芯微
| 型號 | 極性 | 電壓 | 電流 | 封裝 |
| 4N65L-TN3-T | N溝道 | 650V | 4A | TO-252 |
4N65L-TN3-T的詳細參數:
| 參數名稱 | 參數值 |
| 是否Rohs認證 | |
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 1052508556 |
| 零件包裝代碼 | TO-252 |
| 包裝說明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 針數 | 4 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代碼 | EAR99 |
| 風險等級 | 5.83 |
| 雪崩能效等級(Eas) | 200 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源擊穿電壓 | 650 V |
| 最大漏極電流 (Abs) (ID) | 4 A |
| 最大漏極電流 (ID) | 4 A |
| 最大漏源導通電阻 | 2.5 Ω |
| FET 技術 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反饋電容 (Crss) | 18 pF |
| JEDEC-95代碼 | TO-252 |
| JESD-30 代碼 | R-PSSO-G2 |
| 元件數量 | 1 |
| 端子數量 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作溫度 | 150 °C |
| 最低工作溫度 | -55 °C |
| 封裝主體材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封裝形狀 | RECTANGULAR |
| 封裝形式 | SMALL OUTLINE |
| 極性/信道類型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 50 W |
| 最大脈沖漏極電流 (IDM) | 16 A |
| 表面貼裝 | YES |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶體管應用 | SWITCHING |
| 晶體管元件材料 | SILICON |
| 最大關閉時間(toff) | 285 ns |
| 最大開啟時間(噸) | 180 ns |
4N65L-TN3-T的絕對最大額定值:TC = 25°C,除非另有說明:

注意:1. 絕對最大額定值是指超出該值可能會永久損壞設備的那些值。絕對最大額定值僅是應力額定值,并不暗示功能設備操作。2. 重復額定值:脈沖寬度受最大結溫限制。3. L = 30mH,IAS = 3.65A,VDD = 50V,RG = 25 Ω,起始 TJ = 25°C 4. ISD≤4.4A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BVDSS,起始TJ = 25°C
Note: 1. Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged. Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied. 2. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature. 3. L = 30mH, IAS = 3.65A, VDD = 50V, RG = 25 ?, Starting TJ = 25°C 4. ISD≤4.4A, di/dt ≤200A/μs, VDD≤BVDSS, Starting TJ = 25°C
4N65L-TN3-T的電氣特性(TC =25°С,除非另有說明)

4N65L-TN3-T的引腳說明:

4N65L-TN3-T的訂購信息:

注:引腳分配: G:柵極 D:漏極 S:源極

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