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        2N65LG-TN3-R場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)中文資料 現(xiàn)貨替代 廠家直營(yíng) - 壹芯微

        返回列表來(lái)源:壹芯微 發(fā)布日期 2021-09-17 瀏覽:-

        2N65LG-TN3-R場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)中文資料 現(xiàn)貨替代 廠家直營(yíng) - 壹芯微

            型號(hào)        極性        電壓        電流        封裝    
        2N65LG-TN3-RN溝道650V
        2ATO-252

        2N65LG-TN3-R的概述:

        2N65L是一款高壓功率MOSFET,其設(shè)計(jì)具有更好的特性,例如快速開關(guān)時(shí)間、低柵極電荷、低導(dǎo)通電阻和高度堅(jiān)固的雪崩特性。 這種功率MOSFET通常用于電源、PWM電機(jī)控制、高效DC到DC轉(zhuǎn)換器和橋式電路的高速開關(guān)應(yīng)用。

        The 2N65L is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used in the high speed switching applicati ons of power supplies, PWM motor controls, high efficient DC to DC converters and bridge circuits.

        2N65LG-TN3-R

        2N65LG-TN3-R的特性:

        RDS(ON)=5.0Ω@VGS=10V

        超低柵極電荷(典型值為9.0nC)

        低反向傳輸電容(CRSS=典型值5.0 pF)

        快速切換能力

        指定雪崩能量

        改進(jìn)的dv/dt能力,高耐用性

        RDS(ON)=5.0?@VGS=10V

        Ultra Low gate charge (typical 9.0nC)

        Low reverse transfer capacitance (CRSS=typical 5.0 pF)

        Fast switching capability

        Avalanche energy specified

        Improved dv/dt capability, high ruggedness

        T2N65KG-TN3-R的絕對(duì)最大額定值TC = 25°C,除非另有說(shuō)明:

        T2N65KG-TN3-R的絕對(duì)最大額定值TC = 25°C,除非另有說(shuō)明

        注意: 1. 絕對(duì)最大額定值是指超出該值可能會(huì)永久損壞設(shè)備的那些值。

        絕對(duì)最大額定值僅是應(yīng)力額定值,并不暗示功能設(shè)備操作。

        2. 重復(fù)評(píng)級(jí):脈沖寬度受 TJ 限制

        3. L=64mH, IAS=2.0A, VDD=50V, RG=25 Ω, 起始 TJ = 25°C

        4. ISD≤2.4A,di/dt≤200A/μs,VDD ≤ BVDSS,起始TJ = 25°C

        Notes: 1. Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.

        Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.

        2. Repetitive Rating : Pulse width limited by TJ

        3. L=64mH, IAS=2.0A, VDD=50V, RG=25 ?, Starting TJ = 25°C

        4. ISD≤2.4A, di/dt≤200A/μs, VDD ≤ BVDSS, Starting TJ = 25°C 

        T2N65KG-TN3-R的引腳說(shuō)明:

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