3N70KL-TN3-R場效應(yīng)(MOS管)參數(shù) 報價 原廠直銷 免費樣品 - 壹芯微

型號：3N70KL-TN3-R 極性：N溝道；電壓：700V 電流：3A；封裝：TO-252 促銷價格/免費樣品/選型替代/原廠直銷

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3N70KL-TN3-R的概述：

3N70K是一種高電壓和大電流功率MOSFET，旨在具有更好的特性，例如快速開關(guān)時間、低柵極電荷、低導通電阻和高堅固性雪崩特性。 該功率MOSFET通常用于電源、PWM電機控制、高效DC到DC轉(zhuǎn)換器和橋式電路中的高速開關(guān)應(yīng)用。

3N70KL-TN3-R的特性：

* RDS(ON)≤4.0Ω@VGS=10V

* 超低柵極電荷（典型值10nC）

* 低反向傳輸電容

* 快速切換能力

* 指定雪崩能量

* 改進的dv/dt能力，高耐用性

3N70KL-TN3-R的絕對最大額定值（TC = 25°C，除非另有說明）：

Drain-SourceVoltage漏源電壓,V_DSS：700V

Gate-SourceVoltage柵源電壓,V_GSS：±30V

AvalancheCurrent雪崩電流(注2),I_AR：3.0A

ContinuousDrainCurrent持續(xù)漏極電流,I_D：3.0A

PulsedDrainCurrent脈沖漏極電流(注2),I_DM：12A

AvalancheEnergySinglePulsed雪崩能量單脈沖(注3),E_AS：90mJ

AvalancheEnergyRepetitive雪崩能量重復(注2),E_AR：7.5mJ

PeakDiodeRecovery二極管峰值恢復(注4),dv/dt：4.5V/ns

PowerDissipation功耗,TO-220F,P_D：25W

PowerDissipation功耗,TO-252,P_D：50W

JunctionTemperature結(jié)溫,T_J：+150°C

OperatingTemperature工作溫度,T_OPR：-55~+150°C

StorageTemperature儲存溫度,T_STG：-55~+150°C

注意：1.絕對最大額定值是指超出該值可能會永久損壞設(shè)備的那些值。絕對最大額定值僅是應(yīng)力額定值，并不暗示功能設(shè)備操作。

2.重復評級：脈沖寬度受最大結(jié)溫限制

3.L=64mH，IAS=3A，VDD=50V，RG=25Ω，啟動TJ=25°C

4.ISD≤3.0A，di/dt≤200A/μs，VDD≤BVDSS，起始TJ=25°C

壹芯微3N70KL-TN3-R規(guī)格書下還有熱特性，靜態(tài)特性與電氣參數(shù)等，建議自行閱讀觀看。

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