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        2N60 TO252/TO220參數(shù)和中文資料 - 場效應(yīng)MOS管 - 壹芯微

        返回列表來源:壹芯微 發(fā)布日期 2021-07-10 瀏覽:-

        2N60 TO252/TO220參數(shù)和中文資料 - 場效應(yīng)MOS管 - 壹芯微

        2N60(N溝道場效應(yīng)MOS管)

        品牌:壹芯微|類型:場效應(yīng)管|封裝:TO-252/TO-220|參數(shù)達(dá)標(biāo) 質(zhì)量穩(wěn)定 免費樣品 歡迎咨詢


        2N60場效應(yīng)管主要參數(shù)
        參數(shù)\型號2N60

        極性N

        ID(A)2

        VDSS(V)600

        RDS(ON):Max(Ω)4.5

        RDS(ON):VGS(Ω)10

        VGS(th):(V)2~4

        Gfs(min):(S)1.9

        Gfs(min):Vgs(V)40

        Gfs(min):Io(A)1.0

        封裝TO-252/TO-220


        2N60 是一個高壓功率 MOSFET 和旨在具有更好的特性,例如快速開關(guān)時間、低柵極電荷、低導(dǎo)通電阻并具有高崎嶇的雪崩特性。這功率MOSFET通常用于高速開關(guān)在電源、PWM 電機(jī)控制中的應(yīng)用,高效直流到直流轉(zhuǎn)換器和橋式電路


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