來源:壹芯微 發布日期
2021-10-12 瀏覽:-10N65場效應管參數資料大全,10N65代換選型手冊

10N65系列場效應管TO-220封裝引腳圖:

壹芯微供應10N65系列的場效應管型號如下(尾綴不同,參數一致,主要區分材質、封裝與包裝方式)
10N65L-TA3-T 10N65G-TA3-T 封裝形式TO-220
10N65L-TF1-T 10N65G-TF1-T 封裝形式TO-220F1
10N65L-TF2-T 10N65G-TF2-T 封裝形式TO-220F2
10N65L-TF3-T 10N65G-TF3-T 封裝形式TO-220F
10N65L-T2Q-T 10N65G-T2Q-T 封裝形式TO-262
10N65L-TQ2-T 10N65G-TQ2-T 封裝形式TO-263
10N65L-TQ2-R 10N65G-TQ2-R 封裝形式TO-263
10N65.pdf 規格書查看下載
10N65系列特性參數如下:
* RDS(ON)<0.86Ω @ VGS=10V
* 低柵極電荷(典型值為44nC)
* 低Crss(典型值18pF)
* 快速切換
* 100%雪崩測試
* 改進的dv/dt功能
10N65系列絕對最大額定參數如下:(TC=25°C,除非另有說明)
極性:NPN
Drain-SourceVoltage漏源電壓,VDSS:650V
Gate-SourceVoltage柵源電壓,VGSS:±30V
DrainCurrentContinuous漏極電流連續,ID:10A
PowerDissipation功耗,TO-220,PD:156W
PowerDissipation功耗,TO-220F/TO-220F1,PD:50W
PowerDissipation功耗,TO-220F2 ,PD:52W
PowerDissipation功耗,TO-262 ,PD:156W
PowerDissipation功耗,TO-263,PD:178W
Junction Temperature結溫,TJ:+150°C
OperationTemperatureAndStorageTemperature工作和儲存溫度,TOPR,TSTG:-55 ~+150°C

壹芯微10N65規格書下還有熱特性,靜態特性與電氣參數等,建議自行閱讀觀看。
【壹芯微】半導體功率器件制造廠商,專業研發生產與銷售:二極管/三極管/MOS場效應管/橋堆等,20年生產經驗,始終堅信質量就是生命,除提供免費試樣外,更可根據客戶需求進行量身定制產品選型,直接百度搜索“壹芯微”即可找到我們,如需咨詢產品或遇到需要幫助解決的問題,歡迎咨詢官網在線客服,或留言并留下聯系方式,我們將為您轉接銷售業務或工程師為您解答。
銷售業務:13534146615(黃先生)
QQ:2881579535

工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
杭州辦事處:杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
電話:13534146615
企業QQ:2881579535

深圳市壹芯微科技有限公司 版權所有 | 備案號:粵ICP備2020121154號