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三端穩(wěn)壓器是一種串聯(lián)型穩(wěn)壓器件,其穩(wěn)壓效果(即紋波)和功率參數(shù)(輸出的最大電流)都比并聯(lián)使用的穩(wěn)壓二極管好。在電路板上,我們常見的三端穩(wěn)壓器有78系列的7805、7808、7809、7812、7824等正輸出器件,也有輸...
穩(wěn)壓電源-電路設(shè)計(jì)圖-工作原理與應(yīng)用我們知道有不同類型的電氣和電子電路使用直流電源。一般來說,由于昂貴而不能使用直流電池,并且在放電時(shí)需要更換。在這種情況下,我們需要一個(gè)可以將交流電源改為直流電源的電路。整流濾波器電路包...
薄膜和厚膜電阻器是市場(chǎng)上最常見的類型。它們的特征是在陶瓷基底上的電阻層。盡管它們的外觀可能非常相似,但是它們的屬性和制造過程卻大不相同。命名源自不同的層厚度。薄膜的厚度約為0.1微米或更小,而厚的薄膜則厚約數(shù)千倍。但是,...
全波二極管整流器電路圖解析所述二極管的工作,只有當(dāng)它是在正向偏置,只有電流流過pn結(jié)二極管和負(fù)載兩端的輸出電流被發(fā)現(xiàn)。如果兩個(gè)二極管以這樣的方式連接:一個(gè)二極管在輸入電壓的一半期間導(dǎo)通而另一個(gè)二極管在循環(huán)的下一半期間導(dǎo)通...
該齊納二極管主要工作在反向偏置狀態(tài)。我們使用齊納二極管來實(shí)現(xiàn)電壓調(diào)節(jié)和電壓穩(wěn)定。它們?yōu)殡妷赫{(diào)節(jié)提供了低成本且無褶邊的方法。這種二極管的關(guān)鍵參數(shù)是齊納擊穿電壓。齊納擊穿電壓是最小反向偏置電壓,低于該電壓時(shí),二極管阻斷通過它...
通常,我們通常利用幾種基本的電氣和電子組件來構(gòu)建電路,其中包括電阻器,二極管,電容器,晶體管,IC(集成電路),變壓器,晶閘管等。讓我們考慮二極管,它是兩個(gè)致命的半導(dǎo)體固態(tài)器件,具有非線性VI特性,并且僅允許電流在一個(gè)方...
LED介紹LED或發(fā)光二極管是一種簡(jiǎn)單的PN結(jié)二極管,由具有更大能壘的材料制成。當(dāng)供應(yīng)給LED結(jié)時(shí),電子從價(jià)帶移動(dòng)到導(dǎo)帶。當(dāng)電子失去能量并回到其原始狀態(tài)時(shí),將發(fā)射光子。該發(fā)射的光處于光的可見頻率范圍的頻帶中。LED當(dāng)其p...
使用交流電源驅(qū)動(dòng)LED的應(yīng)用知識(shí)對(duì)于手機(jī)等低功耗應(yīng)用,可以為LED使用直流電源。但是,對(duì)于大規(guī)模應(yīng)用(例如使用LED的交通信號(hào)燈),使用DC實(shí)際上很不方便。這是因?yàn)殡S著距離的增加,DC功率傳輸會(huì)導(dǎo)致更多的損耗,并且使用設(shè)...
CMOS晶體管的制造工藝知識(shí)曾經(jīng)有一個(gè)時(shí)代,計(jì)算機(jī)如此龐大以至于無法安裝,因此很容易需要空間。但是今天它們?nèi)绱诉M(jìn)化,我們甚至可以輕松地將它們作為筆記本電腦攜帶。使之成為可能的創(chuàng)新是集成電路的概念。在集成電路中,大量的有源...
功率MOSFET并聯(lián)時(shí)產(chǎn)生寄生振蕩的原因與解決方案功率MOS管即功率MOSFET,具有熱漂移小,驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單,驅(qū)動(dòng)功率小,開關(guān)速度快,工作頻率高等優(yōu)點(diǎn)。憑借出色的熱穩(wěn)定性,將多個(gè)功率MOSFET并聯(lián)的方法可行而簡(jiǎn)單,這對(duì)...
MOS管驅(qū)動(dòng)電阻器與MOS管柵極尖峰電壓的防護(hù)與常規(guī)雙極晶體管不同,MOS管是電壓控制型器件,一般用于小電壓控制大電流的情況,包括開關(guān)電源、馬達(dá)控制、繼電器控制、LED照明等。應(yīng)用中,MOS管相當(dāng)于一個(gè)開關(guān),漏極和源極之...
場(chǎng)效應(yīng)晶體管或FET是晶體管,其中輸出電流由電場(chǎng)控制。FET有時(shí)被稱為單極晶體管,因?yàn)樗婕皢屋d波型操作。FET晶體管的基本類型與BJT 晶體管基礎(chǔ)完全不同。FET是三端子半導(dǎo)體器件,具有源極,漏極和柵極端子。 ...
晶體管是一個(gè)有源元件,并且在所有電子電路中都在建立。它們用作放大器和開關(guān)設(shè)備。作為放大器,它們用于高和低電平,頻率級(jí),振蕩器,調(diào)制器,檢測(cè)器,以及需要執(zhí)行功能的任何電路。在數(shù)字電路中,它們用作開關(guān)。大約在世界范圍內(nèi),有大...
怎么使用晶體管作為開關(guān)與應(yīng)用晶體管由“威廉·肖克利”(William Shockley)于1947 年發(fā)明。晶體管是一種三端半導(dǎo)體器件,可用于開關(guān)應(yīng)用,微弱信號(hào)的放大,并且成千上萬個(gè)...
什么是MOS控制晶閘管與工作及應(yīng)用MOS控制晶閘管由VAK Temple開發(fā)。它是一個(gè)電壓控制器,晶閘管是完全可控的晶閘管。MOS控制晶閘管的操作與GTO晶閘管非常相似,但是它具有電壓控制絕緣的柵極。它具有兩個(gè)用于導(dǎo)通和...
雙極結(jié)型晶體管的工作原理和應(yīng)用BJT由William Shockley,Brattain和John Bardeen于1948年發(fā)明,它不僅重塑了電子世界,而且重塑了我們的日常生活。雙極結(jié)型晶體管使用電子和空穴這兩個(gè)電荷載...
晶體管是三端子半導(dǎo)體器件,端子是E(發(fā)射極),B(基極)和C(集電極)。該晶體管可以在三個(gè)不同的區(qū)域工作,例如有源區(qū)域,截止區(qū)域和飽和區(qū)域。晶體管在截止區(qū)域工作時(shí)關(guān)閉,而晶體管在飽和區(qū)域工作時(shí)打開。晶體管在有源區(qū)工作時(shí)充...
IGBT是半導(dǎo)體器件,IGBT的縮寫是絕緣柵雙極晶體管。它由具有大范圍雙極性載流能力的三個(gè)端子組成。IGBT的設(shè)計(jì)者認(rèn)為這是一種具有CMOS輸入和雙極性輸出的壓控雙極性器件。IGBT的設(shè)計(jì)可以使用單片形式的BJT和MOS...
晶體管用作開關(guān)或雙極結(jié)晶體管或BJT作為開關(guān)的工作原理:當(dāng)開關(guān)處于“OFF”位置時(shí),開關(guān)提供開路(無限電阻),當(dāng)它處于“ON”位置時(shí),開關(guān)提供短路(零電阻)。類似地,在雙極...
電磁爐整流橋和功放機(jī)整流橋有什么區(qū)別電磁爐所用的整流橋和功放機(jī)用的整流橋內(nèi)部構(gòu)造都一樣,皆由4個(gè)整流二極管組成,所不同的是它們的耐壓值及整流電流不一樣。電磁爐和功放機(jī)的整流橋都是用來對(duì)交流電壓進(jìn)行整流,將其變?yōu)橹绷麟妷海?..
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