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        [常見問題解答]場效應管恒流區工作條件解析[ 2025-04-18 15:02 ]
        場效應管(FET)是一種廣泛應用于電子設備中的半導體元件,它利用柵極電壓控制源極和漏極之間的電流。場效應管的工作區間可以劃分為多個階段,包括截止區、恒流區和飽和區。在這些區域中,恒流區是一個關鍵區域,在此區域,場效應管能夠提供穩定的電流輸出,這對許多應用非常重要。一、恒流區工作原理場效應管在恒流區的工作原理主要依賴于柵極電壓和漏源電壓之間的關系。當場效應管的柵極電壓高于其閾值電壓時,柵極和溝道之間的電場逐漸增大,導致溝道變窄。這種變化使得漏極和源極之間的電流逐漸增大。當柵極電壓繼續增大時,溝道會進一步縮小,但漏極和
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        [常見問題解答]基于三極管的恒流控制在LED照明電源中的設計要點[ 2025-03-21 11:17 ]
        在LED照明電源設計中,如何實現穩定可靠的恒流輸出,是確保LED壽命與亮度均勻性的核心技術之一。傳統的線性穩壓方案由于效率較低,逐漸被多種恒流控制技術所替代。其中,利用三極管構建恒流電路,因其電路結構簡潔、成本低廉、響應快速,成為低功率LED驅動中一個常見且實用的解決方案。一、三極管恒流原理簡述在恒流驅動中,三極管通常工作于放大區或恒流區,通過控制其基極電壓和發射極電阻,從而實現對流經LED電流的限制。一個典型的NPN三極管恒流源通常由電源、限流電阻、穩壓源(如齊納二極管)及三極管構成。當輸入電壓穩定后,基極通過穩
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        [常見問題解答]場效應管在恒流區下的性能分析與調節技術[ 2024-11-05 15:21 ]
        場效應晶體管(FET)是重要的電壓控制半導體器件,廣泛應用于各種電子電路中,特別是在需要精確電流控制的情況下。與漏源電壓(VDS)的關系在不同的工作范圍內表現出不同的特征。場效應晶體管的特性使其成為許多系統應用的理想選擇,特別是在恒流范圍內。一、恒流區的工作原理和特性在恒流區,場漏電流(ID)和柵極電壓(VG)之間存在線性關系。這種情況通常發生在柵極電壓足夠高以形成導電溝道時,但當VDS太高時會關閉,因為漏極-源極電壓仍然足夠高以防止溝道形成。FET的行為類似于穩定的電流源。因此,在許多需要恒流電源的應用中,其關鍵
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        [常見問題解答]超低壓差LDO和普通LDO的區別介紹[ 2023-10-26 18:49 ]
        超低壓差LDO和普通LDO的區別介紹在了解超低壓差LDO和傳統LDO的區別前,先簡單了解一下PMOS和NMOS的特性差異:NMOS使用的載流子是電子,而PMOS采用的載流子是空穴,就這導致在相同的工藝尺寸下,NMOS的導通電阻更小,過流能力更強。LDO是線性穩壓器,其原理就是通過反饋電阻、誤差放大器等模塊,使內部的MOS管工作在恒流區(即飽和區),如下圖所示,從而使輸出電壓保持穩定。那么,損耗在MOS管上的功耗就為(Vin-Vout)*Iout。因此,當Iout非常大的時候,必須降低Vin和Vout間的壓差,來減小
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        [常見問題解答]場效應管放大作用時的所在區域[ 2021-04-03 09:24 ]
        場效應管放大作用時的所在區域場效應管用處放大時,是工作于它的飽和區,也就是恒流區。場效應管工作在恒流區時,漏極電流不隨漏極源極間的電壓變化而變化,只由柵源間的電壓控制,所以場效應管放大信號時,是工作在這個區域,相當于三極管的放大區。和三極管放大的區別在于,三極管是基極電流控制集電極電流,而場效應管是柵源之間的電壓控制漏極電流。(G為柵極,D為漏極,S為源極)。先來簡單說下場效應管吧,場效應管分結型場效應管和絕緣柵型場效應管,絕緣柵型場效應管就是MOS管,MOS管又分耗盡型和增強型,而每一種又分為N溝道和P溝道,如上
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        [常見問題解答]mos管場效應管區域介紹[ 2021-03-31 10:15 ]
        mos管場效應管區域介紹mos場效應管四個區域 1)可變電阻區(也稱非飽和區) 滿足Ucs》Ucs(th)(開啟電壓),uDs《UGs-Ucs(th),為圖中預夾斷軌跡左邊的區域其溝道開啟。在該區域UDs值較小,溝道電阻基本上僅受UGs控制。當uGs一定時,ip與uDs成線性關系,該區域近似為一組直線。這時場效管D、S間相當于一個受電壓UGS控制的可變電阻。 2)恒流區(也稱飽和區、放大區、有源區) 滿足Ucs≥Ucs(h)且Ubs≥UcsUssth),為圖中預夾
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        [常見問題解答]場效應管的四個區域詳解-如何判斷場效應管工作區域[ 2020-09-17 15:30 ]
        場效應管的四個區域詳解-如何判斷場效應管工作區域MOS管四個區域詳解判斷場效應管工作區域,下面先講述MOS管場效應管的四個區域:1)可變電阻區(也稱非飽和區)滿足Ucs》Ucs(th)(開啟電壓),uDs《UGs-Ucs(th),為圖中預夾斷軌跡左邊的區域其溝道開啟。在該區域UDs值較小,溝道電阻基本上僅受UGs控制。當uGs一定時,ip與uDs成線性關系,該區域近似為一組直線。這時場效管D、S間相當于一個受電壓UGS控制的可變電阻。2)恒流區(也稱飽和區、放大區、有源區)滿足Ucs≥Ucs(h)且Ubs&g
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        [常見問題解答]MOS管輸出特性曲線-方程等分析圖解[ 2020-08-29 15:23 ]
        MOS管輸出特性曲線-方程等分析圖解MOS管輸出特性曲線詳解,我們知道,三極管是利用Ib的電流去控制電流Ic的,所以說三極管是電流控制電流的器件。而MOS管是利用Ugs的電壓去控制電流Id的,所以說MOS管是電壓控制電流的器件。對于N溝道增強型的MOS管,當Ugs>Ugs(th)時,MOS就會開始導通,如果在D極和S極之間加上一定的電壓,就會有電流Id產生。在一定的Uds下,D極電流Id的大小是與G極電壓Ugs有關的。我們先來看一下MOS管的輸出特性曲線,MOS管的輸出特性可以分為三個區:截止區、恒流區、可變
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        [常見問題解答]MOS管半導體-MOS管選型和測量方法[ 2020-08-27 17:28 ]
        MOS管半導體-MOS管選型和測量方法MOS管的英文全稱叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),即金屬氧化物半導體型場效應管,屬于場效應管中的絕緣柵型。比較常用的基本上是增強型MOS管,按結構分:MOS管有什么特性呢?從圖中需要注意的是,MOS管是電壓控制型器件,是電壓控制電流大小的器件,穩定工作在恒流區,其也是半導體材料制成,那元器件好壞怎么測量?更換選型時需要注意那些參數?MOS管的一般應用在工作電流都比較大電路中,除了上述參數外,要
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        [常見問題解答]mos管飽和區電流公式及MOS的其他三個區域解析[ 2019-12-25 14:01 ]
        mos管飽和區電流公式及MOS的其他三個區域解析mos場效應管四個區域本文主要講mos管飽和區電流公式,但是我們先來看一下mos場效應管四個區域詳解。1)可變電阻區(也稱非飽和區)滿足Ucs》Ucs(th)(開啟電壓),uDs《UGs-Ucs(th),為圖中預夾斷軌跡左邊的區域其溝道開啟。在該區域UDs值較小,溝道電阻基本上僅受UGs控制。當uGs一定時,ip與uDs成線性關系,該區域近似為一組直線。這時場效管D、S間相當于一個受電壓UGS控制的可變電阻。2)恒流區(也稱飽和區、放大區、有源區)滿足Ucs≥U
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        [常見問題解答]恒流二極管的知識概念與性能特點[ 2019-08-26 10:38 ]
        恒流二極管的概念恒流二極管和恒流三極管是近年來問世的半導體恒流器件,是與穩壓二極管相對偶的基礎電子元器件。在恒流二極管的基礎上增加控制腳端,進而發展成為恒流三極管。它們都能在很寬的電壓范圍內輸出恒定的電流,并具有很高的動態阻抗。由于它們的恒流性能好、價格較低、使用簡便,因此已被廣泛用于恒流源、穩壓源、放大器以及電子儀器的保護電路中。恒流二極管的性能特點恒流二極管(CRD)屬于兩端結型場效應恒流器件。其電路符號和伏安特性如圖一所示。恒流二極管在正向工作時存在一個恒流區,在此區域內IH不隨VI而變化;其反向工作特性則與
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        [常見問題解答]恒流二極管和恒流三極管的原理應用[ 2019-08-22 11:36 ]
        恒流二極管和恒流三極管是近年來問世的半導體恒流器件,而恒流三極管又是在恒流二極管的基礎上發展而成的。它們都能在很寬的電壓范圍內輸出恒定的電流,并具有很高的動態阻抗。由于它們的恒流性能好、價格較低、使用簡便,因此目前已被廣泛用于恒流源、穩壓源、放大器以及電子儀器的保護電路中。一、恒流二極管的性能特點恒流二極管(CRD)屬于兩端結型場效應恒流器件。其電路符號和伏安特性如圖一所示。恒流二極管在正向工作時存在一個恒流區,在此區域內I 不隨VH I而變化;其反向工作特性則與普通二極管的正向特性有相似之處。恒流二極管的外形與3
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