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        MOS管輸出特性曲線-方程等分析圖解

        返回列表來源:壹芯微 發布日期 2020-08-29 瀏覽:-

        MOS管輸出特性曲線-方程等分析圖解

        MOS管輸出特性曲線詳解,我們知道,三極管是利用Ib的電流去控制電流Ic的,所以說三極管是電流控制電流的器件。

        MOS管輸出特性曲線

        而MOS管是利用Ugs的電壓去控制電流Id的,所以說MOS管是電壓控制電流的器件。對于N溝道增強型的MOS管,當Ugs>Ugs(th)時,MOS就會開始導通,如果在D極和S極之間加上一定的電壓,就會有電流Id產生。

        在一定的Uds下,D極電流Id的大小是與G極電壓Ugs有關的。我們先來看一下MOS管的輸出特性曲線,MOS管的輸出特性可以分為三個區:截止區、恒流區、可變電阻區。

        MOS管輸出特性曲線

        MOSFET輸出特性曲線

        截止區:當滿足Ugs

        截止區在輸出特性最下面靠近橫坐標的部分,表示MOS管不能導電,處在截止狀態。截止區也叫夾斷區,在該區時溝道全部夾斷,電流Id為0,管子不工作。

        恒流區:當滿足Ugs≥Ugs(th),且Uds≥Ugs-Ugs(th),MOS管進入恒流區。

        恒流區在輸出特性曲線中間的位置,電流Id基本不隨Uds變化,Id的大小主要決定于電壓Ugs,所以叫做恒流區,也叫飽和區,當MOS用來做放大電路時就是工作在恒流區(飽和區)。

        注:MOS管輸出特性的恒流區(飽和區),相當于三極管的放大區。

        可變電阻區:當滿足Ugs>Ugs(th),且Uds

        可變電阻區在輸出特性的最左邊,Id隨著Uds的增加而上升,兩者基本上是線性關系,所以可以看作是一個線性電阻,當Ugs不同電阻的阻值就會不同,所以在該區MOS管相當就是一個由Ugs控制的可變電阻。擊穿區在輸出特性左邊區域,隨著Uds增大,PN結承受太大的反向電壓而被擊穿,工作時應該避免讓管子工作在該區域。根據MOS管的輸出特性曲線,比如下圖是取Uds=10V的點,然后用作圖的方法,可取得到相應的轉移特性曲線。

        MOS管輸出特性曲線

        轉移特性是表示Uds不變時,Id與Ugs之間的關系。在上圖的轉移特性曲線上,我們可以看到當Ugs大于4V時,Id大幅度增加,而當Ugs到達6V時,Id達到了最大值。

        mos管特性曲線和電流方程及參數詳解

        (一)mos管特性曲線、電流方程

        MOS管輸出特性曲線

        1、mos管特性曲線-輸出特性曲線:N溝道增強型MOS管的輸出特性曲線如圖1(a)所示。與結型場效應管一樣,其輸出特性曲線也可分為可變電阻區、飽和區、截止區和擊穿區幾部分。

        2、mos管特性曲線-轉移特性曲線:轉移特性曲線如圖1(b)所示,由于場效應管作放大器件使用時是工作在飽和區(恒流區),此時iD幾乎不隨vDS而變化,即不同的vDS所對應的轉移特性曲線幾乎是重合的,所以可用vDS大于某一數值(vDS>vGS-VT)后的一條轉移特性曲線代替飽和區的所有轉移特性曲線。

        iD與vGS的近似關系

        與結型場效應管相類似。在飽和區內,iD與vGS的近似關系式為:

        MOS管輸出特性曲線

        式中IDO是vGS=2VT時的漏極電流iD。

        (二)參數

        MOS管的主要參數與結型場效應管基本相同,只是增強型MOS管中不用夾斷電壓VP ,而用開啟電壓VT表征管子的特性。

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