超低壓差LDO和普通LDO的區(qū)別介紹

在了解超低壓差LDO和傳統LDO的區(qū)別前，先簡單了解一下PMOS和NMOS的特性差異：NMOS使用的載流子是電子，而PMOS采用的載流子是空穴，就這導致在相同的工藝尺寸下，NMOS的導通電阻更小，過流能力更強。

LDO是線性穩(wěn)壓器，其原理就是通過反饋電阻、誤差放大器等模塊，使內部的MOS管工作在恒流區(qū)(即飽和區(qū))，如下圖所示，從而使輸出電壓保持穩(wěn)定。那么，損耗

在MOS管上的功耗就為(Vin-Vout)*Iout。

因此，當Iout非常大的時候，必須降低Vin和Vout間的壓差，來減小電源的損耗和發(fā)熱。

在手機、AR等便攜式消費電子產品中，LDO的封裝通常都是非常小的。傳統的PMOS管LDO的過流能力通常在300mA以下，且LDO的drop電壓通常也在百mV級別，無論是帶載能力、效率、熱耗，都無法滿足

再詳細研究一下NMOS管LDO的內部框圖，其主要也是由MOS管、分壓電阻、參考電壓電路、誤差放大器構成的一個負反饋回路。仔細觀察會發(fā)現其比PMOS LDO多一個BIAS pin，這是因為NMOS管的導通需要Vgs電壓大于0，因此BIAS的電壓就需要比Vout電壓高，規(guī)格書中都會有明確標注。

總結一下：超低壓差LDO(NMOS管構成)相比傳統LDO(PMOS管構成)，其輸出電流更大，drop電壓更小，效率更高(得益于NMOS管的特性)，通常用在對噪聲、帶載能力都有嚴格要求的場合。但兩者的內部環(huán)路模塊基本一致，分析方法也相同。

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