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[常見問題解答]移相全橋軟開關技術比較：ZVS與ZVZCS優劣全解析[ 2025-04-16 11:11 ]

在高效電能轉換系統的設計過程中，移相全橋結構因其具備高可靠性與較低開關損耗，在中大功率DC-DC轉換器中被廣泛采用。而為了進一步減少器件在開關瞬間的應力與損耗，軟開關技術成為重要優化方向。目前常見的軟開關實現形式主要包括ZVS（零電壓開通）和ZVZCS（零電壓零電流開關）兩種。一、ZVS在移相全橋中的實現與特點ZVS（Zero Voltage Switching）即開關器件在關斷之后，其兩端電壓被完全釋放為零后再進行開通。該技術主要依賴電路中的寄生電容與變壓器漏感來完成能量的移除，從而降低硬開通帶來的損耗。ZVS型

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[常見問題解答]LLC變壓器設計中的四個關鍵挑戰與應對策略[ 2025-04-14 11:26 ]

LLC變壓器是一種基于諧振式拓撲結構的電源變壓器，因其零電壓開關和較低的開關損耗，常被用于大功率、高效率的電源設計中。然而，在實際應用中，LLC變壓器的設計并非總是順利，設計師往往會遇到一些關鍵挑戰。1. 空載電壓問題：如何避免輸出電壓偏高在LLC變壓器設計中，空載電壓偏高是一個常見問題。特別是在輕載時，寄生電容和漏感的影響會導致變壓器的輸出電壓高于設計值。其主要原因在于，當繞組匝數過多時，繞組之間的寄生電容與漏感產生相互作用，形成寄生振蕩，這種振蕩會在輕負載下顯得尤為明顯，導致輸出電壓升高。為了應對這一問題，可以

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[常見問題解答]MOS管米勒效應詳解：原理、影響及抑制方法[ 2025-04-09 10:42 ]

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）作為一種廣泛應用于電子電路中的半導體器件，其特性和行為對電路的整體性能有著深遠的影響。尤其是當MOS管應用于高頻電路時，米勒效應對電路的表現尤為關鍵。一、米勒效應的原理米勒效應主要發生在具有增益的放大器中，尤其是在MOS管等場效應管(FET)電路中。輸入和輸出端之間的電容耦合是米勒效應的核心。輸入電容(Cgs)和反向電容(Cgd)是MOS管的兩種常見的寄生電容。這些電容在放大過程中對電路的表現產生了重大影響

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[常見問題解答]MOS管熱管理結構如何干擾或改善EMC表現[ 2025-04-08 12:27 ]

在現代電子設備中，MOSFET器件以其高效率和快速開關特性被廣泛應用于功率轉換、驅動控制和電源管理系統中。然而，在追求熱管理效果的同時，往往忽略了散熱結構對EMC（電磁兼容性）性能所帶來的潛在影響。事實上，MOS管的熱管理設計不僅影響器件的工作溫度，還在很大程度上左右了整個系統的輻射和傳導干擾水平。一、熱管理結構為何影響EMC表現散熱系統本質上是與MOSFET物理連接的金屬體，其存在不可避免地會引入寄生電容結構。當MOS管處于高頻率快速切換時，這些金屬結構便成為耦合路徑的一部分。特別是在浮置狀態下的散熱片，很容易成

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[常見問題解答]如何提升BJT在高頻應用中的效率與穩定性[ 2025-01-07 11:10 ]

提高BJT在高頻應用中的效率與穩定性是電子技術中的一項關鍵挑戰。雙極晶體管（BJT）因其優異的電流放大特性而廣泛應用于許多電子電路中。BJT的性能直接影響電路的表現，尤其在高頻應用中尤為顯著。隨著低功耗和高穩定性需求的增長，提高BJT在高頻條件下的效率和穩定性變得尤為重要。本文將詳細探討BJT在高頻工作條件下的特性，并提出一系列優化策略來提升其在高頻應用中的性能。一、BJT在高頻應用中的挑戰在高頻應用中，BJT的性能常受到寄生電容、寄生電感和BJT本身開關速度等多種因素的限制。這些因素與其物理結構以及電路環境密切相

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[常見問題解答]離子注入技術中的暈環現象：影響因素與控制策略[ 2025-01-06 12:28 ]

離子注入技術是影響集成電路性能的重要工藝之一，特別是在MOSFET器件的特征尺寸不斷縮小的背景下，離子注入技術變得越來越精確和可控。在離子注入過程中，光暈現象是一種顯著的物理效應，它直接影響半導體器件的性能。本文詳細介紹了暈圈現象的產生原因、影響因素以及控制策略，旨在幫助理解暈圈現象在離子注入中的作用。一、暈圈現象的基本概述光暈效應通常指在離子注入過程中，離子束的不均勻分布導致注入區域邊緣形成濃度過渡區。光暈效應與離子束的擴散和散射密切相關，尤其在半導體器件的制造中，它會引起閾值電壓的變化和寄生電容的增加，從而影響

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[常見問題解答]過孔寄生效應對PCB電路板信號完整性的影響分析[ 2024-12-03 12:00 ]

在現代電子設備中，印刷電路板是負責復雜電路和信號傳輸的核心部件之一。隨著電路頻率不斷提高，PCB設計和布線要求越來越高，過孔數量已成為影響電路板信號完整性的關鍵因素之一。寄生電容、寄生電感等寄生效應會對信號傳輸質量產生重大影響，進而影響PCB的整體性能和可靠性。本文詳細分析了寄生過孔對PCB信號完整性的影響，并介紹了如何優化過孔設計以減少這些對PCB的影響。一、過孔的基本作用電路板中連接各個層的導電通道，通常由銅制成，用于傳輸電信號或電力。在理想的PCB設計中，過孔應該是透明的，雖然它們不會對傳輸造成任何干擾，但過

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[常見問題解答]深入解析：MOS管寄生參數如何影響電路性能[ 2024-10-11 16:24 ]

MOS管在現代電子設計中起著至關重要的作用。無論是在電源管理、放大器設計還是高頻應用中，MOS管不僅受到其基本電學特性的影響，還受到寄生參數的影響。這些寄生參數與MOS管的內部結構、制造工藝以及電路布局密切相關，并對MOS管的性能、速度、增益和功耗產生重大影響。本文將詳細分析MOS管中的寄生參數類型及其對電路性能的影響，并討論如何減輕這些影響。一、寄生參數是指在實際應用中不可避免的附加參數。它們主要包括寄生電容、寄生電感和源極/漏極電感。具體的寄生參數如下：- 寄生電容：包括柵漏電容（Cgd）、柵源電容（Cgs）和

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[常見問題解答]MOS管尖峰電壓：成因、影響與防護措施分析[ 2024-10-10 11:52 ]

MOS管因其高效的開關速度和低導通電阻而被廣泛用作開關電源和電機驅動領域的核心器件。然而，在高頻、大電流的工作環境下，經常會出現峰值電壓，這不僅影響系統穩定性，還會造成設備損壞。本文詳細分析了MOS管出現峰值電壓的原因、對電路的影響以及常見的保護措施。一、MOS管中產生峰值電壓的原因主要與電路中的寄生參數和開關過程中的電氣特性有關。1. 寄生電容的影響MOS管工作時，存在內部寄生電容，例如柵源電容（Cgs）和漏源電容（Cds）。這些寄生電容在MOS管的開關過程中進行充電和放電。特別是當MOS管從導通狀態轉變為截止狀

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[常見問題解答]SiC器件開關性能受系統寄生參數影響的深入探討[ 2024-09-04 14:36 ]

隨著碳化硅（SiC）技術的不斷成熟和推廣，其在高壓電力電子設備中的應用日益增加。SiC器件因其能在高溫、高壓和高頻率條件下工作而受到青睞。然而，系統內部的寄生參數，如寄生電容和寄生電感，對SiC器件的開關性能有著顯著影響。本文通過詳細分析，探討這些系統寄生參數是如何影響SiC器件的性能，尤其是在開關操作中的具體表現。一、寄生電感的影響在電力電子轉換系統中，寄生電感主要來源于電連接和布線。在SiC MOSFETs和二極管開關時，寄生電感可以引起顯著的電壓超調，從而對器件造成額外的電壓應力。當開關器件嘗試快速切換時，這

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[常見問題解答]從理論到實踐：如何有效識別并減少ADC采樣開關的誤差[ 2024-07-31 14:31 ]

一、柵壓自舉電路：增強采樣開關性能為了提升導通電阻的線性度并降低由采樣開關引起的諧波，采用了柵壓自舉電路設計。此電路理論上能夠使柵壓獨立于輸入信號，保持一個穩定的導通電阻。在電路的運作中，特定的MOS管組合在時鐘信號的不同階段進行預充電和輸出調節，以適應輸出需求。這種設計雖然可以優化性能，但需要在寄生電容影響和采樣速度之間做出權衡。二、ADC采樣的基本原理與挑戰在數字信號轉換的過程中，ADC的核心任務是將連續的模擬信號轉化為離散的數字信號。這一過程中必須精確定義采樣參數，如采樣率或采樣頻率，以確保信號的連續性和完整

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[常見問題解答]提高 DC/DC 開關電源電磁兼容性的五個關鍵步驟[ 2024-05-14 10:12 ]

DC/DC開關電源中的電磁兼容性設計策略DC/DC開關電源以其高效、體積小等優勢在現代電子產品中占據重要地位。然而，由于開關型器件的快速電壓和電流變化，電磁兼容性測試常遇到問題，影響開發周期和產品上市時間，特別是在復雜的工業環境中。一、噪聲源的分析與處理DC/DC開關電源的電磁兼容問題首要在于噪聲源的分析。開關電源中，開關頻率及其諧波是主要干擾源。此外，30 MHz至400 MHz的寬帶干擾頻譜常見于暗室測量，這是由于MOSFET輸出電容CDS、結電容和肖特基二極管的寄生電容及導體走線的寄生電感共同引起的高頻LC振

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[常見問題解答]開關電源RCD鉗位電路的工作原理解析[ 2024-01-24 18:19 ]

開關電源RCD鉗位電路的工作原理解析一、RCD鉗位電路反激式開關電源的RCD鉗位電路由電阻R1、電容C1和二極管D1組成，如下圖，其中：Lk為變壓器的漏感，Lp為變壓器原邊繞組電感、Cds為Q1的寄生電容、T1為變壓器、Q1是開關管、D2是輸出整流二極管，E1是輸出濾波電容。變壓器漏感Lk與原邊電感Lp串聯，原邊電感Lp與變壓器T1并聯。原邊電感Lp的能量可通過理想變壓器T1耦合至副邊，給后端負載提供能量。但變壓器漏感Lk的能量無法耦合至副邊，只能通過寄生電容釋放能量，引起的尖峰電壓，可以通過電阻R1吸收回路吸收能

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[常見問題解答]SiC MOSFET的結構和特性介紹[ 2023-08-21 16:47 ]

SiC MOSFET的結構和特性介紹SiC功率MOSFET內部晶胞單元的結構，主要有二種：平面結構和溝槽結構。平面SiC MOSFET的結構，如圖1所示。這種結構的特點是工藝簡單，單元的一致性較好，雪崩能量比較高。但是，這種結構的中間，N區夾在兩個P區域之間，當電流被限制在靠近P體區域的狹窄的N區中流過時，將產生JFET效應，從而增加通態電阻；同時，這種結構的寄生電容也較大。圖1：平面SiC MOSFET的結構溝槽SiC MOSFET的結構，如圖2所示。這種結構將柵極埋入基體中，形成垂直的溝道，由于要開溝槽，工藝變

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[常見問題解答]場效應管漏極和源極之間產生的浪涌介紹[ 2023-08-07 15:59 ]

場效應管漏極和源極之間產生的浪涌介紹開關導通時，線路和電路板版圖的電感之中會直接積蓄電能（電流能量）。當該能量與開關器件的寄生電容發生諧振時，就會在漏極和源極之間產生浪涌。下面將利用圖1來說明發生浪涌時的振鈴電流的路徑。這是一個橋式結構，在High Side（以下簡稱HS）和Low Side（以下簡稱LS）之間連接了一個開關器件，該圖是LS導通，電路中存在開關電流IMAIN的情形。通常，該IMAIN從VSW流入，通過線路電感LMAIN流動。本文的關鍵要點漏極和源極間的浪涌是由各種電感分量和MOSFET寄生電容的諧振

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[常見問題解答]場效應管G極與S極之間的電阻作用解析[ 2023-07-22 16:34 ]

場效應管G極與S極之間的電阻作用解析MOS管具有三個內在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點在MOS管的規格書中可以體現（規格書常用Ciss、Coss、Crss這三個參數代替）。MOS管之所以存在米勒效應，以及ＧＳ之間要并電阻，其源頭都在于這三個寄生電容。MOS管內部寄生電容示意IRF3205寄生電容參數1.MOS管的米勒效應MOS管驅動之理想與現實理想的MOS管驅動波形應是方波，當Cgs達到門檻電壓之后， MOS管就會進入飽和導通狀態。而實際上在MOS管的柵極驅動過程中，會存在一個米勒平臺。米勒平臺實際上就

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[常見問題解答]PFC場效應管Vds檢測解析[ 2023-06-29 18:17 ]

PFC場效應管Vds檢測解析1.電感電流負1A檢測2.PFCMOS管Vds檢測通過調節頻率使PFC電感電流在每個高頻周期過零，以實現PFC二極管的零電流關斷，消除反向恢復損耗。PFC二極管電流過零后，PFC電感與MOSFET寄生電容諧振，使Vds過零以實現零電壓開通，不過零則谷底開通，降低開關損耗。3. 不檢測，DSP直接計算壹芯微科技專注于“二,三極管、MOS(場效應管)、橋堆”研發、生產與銷售，21年行業經驗，擁有先進全自動化雙軌封裝生產線、高速檢測設備等，研發技術、芯片源自臺灣，專業生

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[常見問題解答]有橋交錯PFC拓撲介紹[ 2023-06-29 17:05 ]

有橋交錯PFC拓撲介紹有橋交錯PFC拓撲有橋交錯PFC之錯相通過調節頻率使PFC電感電流在每個高頻周期過零，以實現PFC二極管的零電流關斷，消除反向恢復損耗。PFC二極管電流過零后，PFC電感與MOSFET寄生電容諧振，使Vds過零以實現零電壓開通，不過零則谷底開通，降低開關損耗。兩相TM交錯180deg后可大幅減小輸入高頻紋波。該拓撲特點總結如下：(1)存在低頻整流二極管的導通損耗; 并聯兩個整流橋,解決散熱問題。(2)其零電流關斷特性消除了升壓二極管的反向恢復損耗; 可以采用便宜的快恢復二極管。(3)使用TM控

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[行業資訊]MOS管G極與S極之間的電阻作用解析[ 2023-06-08 17:29 ]

MOS管G極與S極之間的電阻作用解析MOS管具有三個內在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點在MOS管的規格書中可以體現（規格書常用Ciss、Coss、Crss這三個參數代替）。MOS管之所以存在米勒效應，以及ＧＳ之間要并電阻，其源頭都在于這三個寄生電容。MOS管內部寄生電容示意IRF3205寄生電容參數1.MOS管的米勒效應MOS管驅動之理想與現實理想的MOS管驅動波形應是方波，當Cgs達到門檻電壓之后， MOS管就會進入飽和導通狀態。而實際上在MOS管的柵極驅動過程中，會存在一個米勒平臺。米勒平臺實際上就

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[常見問題解答]傳導EMI的問題如何避免介紹[ 2023-05-30 12:02 ]

傳導EMI問題如何避免介紹大多數傳導 EMI 問題是由共模噪聲引起的。此外，大多數共模噪聲問題是由電源中的寄生電容引起的。開關電源本質上具有高 dV/dt 的節點。將寄生電容與高 dV/dt 混合會產生 EMI 問題。當寄生電容的另一端連接到電源的輸入端時，少量電流會直接泵入電源線。兩個導體之間的電容與導體的表面積成正比，與它們之間的距離成反比。查看電路中的每個節點，并密切注意具有高 dV/dt 的節點。考慮一下布局中該節點上有多少表面積以及從輸入線到電路板的距離。開關MOSFET和緩沖電路的漏極是常見的罪犯。盡

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