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        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]為什么電機(jī)控制系統(tǒng)中的IGBT驅(qū)動(dòng)必須采用隔離技術(shù)?[ 2025-04-23 14:35 ]
        在電機(jī)控制系統(tǒng)中,IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)驅(qū)動(dòng)使用隔離技術(shù)的原因非常重要,涉及到系統(tǒng)的穩(wěn)定性、安全性以及性能優(yōu)化。為了確保電機(jī)控制系統(tǒng)的高效、安全運(yùn)行,隔離技術(shù)成為不可或缺的一部分。首先,IGBT是一種廣泛應(yīng)用于高壓、大電流功率轉(zhuǎn)換的半導(dǎo)體器件,結(jié)合了MOSFET和雙極性晶體管的優(yōu)點(diǎn),使其在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中具有高效的開(kāi)關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻。電機(jī)控制系統(tǒng)中,IGBT主要負(fù)責(zé)將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,驅(qū)動(dòng)電機(jī)的工作。通過(guò)精確控制IGBT的開(kāi)關(guān)狀態(tài),電機(jī)控制器能夠調(diào)節(jié)功率的傳遞,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)速度、扭矩等參數(shù)的精準(zhǔn)控制。然而,
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        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]場(chǎng)效應(yīng)晶體管:N通道與P通道的工作原理與關(guān)鍵差異[ 2024-10-26 12:00 ]
        場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)在現(xiàn)代電子電路中扮演著重要角色,它們通過(guò)電場(chǎng)的作用來(lái)控制電流的流動(dòng)。主要有N通道和P通道兩種類型,每種類型的場(chǎng)效應(yīng)晶體管在工作原理和應(yīng)用上都有一些差異。深入了解這些差異,不僅有助于選擇合適的元件,還能更好地優(yōu)化電路的性能。一、場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基本原理場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種半導(dǎo)體器件,通過(guò)控制柵極電壓來(lái)調(diào)節(jié)源極和漏極之間的電流。與雙極性晶體管(BJT)相比,F(xiàn)ET僅依賴一種載流子進(jìn)行工作:N通道FET使用電子作為主要載流子,而P通道FET則使用空穴。因此,F(xiàn)ET被稱為"單極性"器件
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        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]如何通過(guò)電路設(shè)計(jì)提高三極管的開(kāi)關(guān)效率和速度?[ 2024-08-09 11:05 ]
        在電子設(shè)備中,三極管是實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)控制的關(guān)鍵組件。提高三極管的開(kāi)關(guān)效率和速度不僅能增強(qiáng)設(shè)備的性能,還能優(yōu)化整體能耗。本文將探討如何通過(guò)精確的電路設(shè)計(jì)提升三極管的開(kāi)關(guān)效率和速度。1. 選擇合適的三極管類型首先,選擇合適的三極管類型是至關(guān)重要的。不同類型的三極管(如BJT、MOSFET等)具有不同的電氣特性和開(kāi)關(guān)行為。例如,功率MOSFET通常具有較高的開(kāi)關(guān)速度,適合需要快速開(kāi)關(guān)的應(yīng)用。選擇時(shí)需考慮三極管的最大電流和電壓承受能力,以及其開(kāi)關(guān)速度。2. 優(yōu)化基極驅(qū)動(dòng)電路對(duì)于雙極性晶體管(BJT),基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)對(duì)開(kāi)關(guān)性能
        http://www.kannic.com/Article/rhtgdlsjtg_1.html3星
        [技術(shù)文章]BC847C 典型應(yīng)用電路[ 2024-05-13 15:13 ]
        BC847C是一種雙極性晶體管,常見(jiàn)于各種電子設(shè)備中,具有廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景。一、應(yīng)用場(chǎng)景:1. 放大器電路:BC847C常用于放大器電路中,可以實(shí)現(xiàn)信號(hào)的放大功能。其高電流增益和低噪聲特性使其在音頻放大器、射頻放大器等電路中得到廣泛應(yīng)用。2. 開(kāi)關(guān)電路:BC847C還常用作開(kāi)關(guān)電路中的驅(qū)動(dòng)器件。由于其快速開(kāi)關(guān)速度和低壓降特性,適合在數(shù)字電路中作為開(kāi)關(guān)使用,如電源管理電路、模擬開(kāi)關(guān)等。3. 電流源:由于BC847C具有穩(wěn)定的電流特性,可作為電流源在電路中發(fā)揮作用。在一些精密儀器和傳感器電路中,常常用到BC847C作為穩(wěn)
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        [技術(shù)文章]2SC2240 典型應(yīng)用電路[ 2024-05-10 14:40 ]
        2SC2240是一款經(jīng)典的低噪聲、高增益的雙極性晶體管,常見(jiàn)于各種電子設(shè)備的放大電路和信號(hào)處理電路中。它的應(yīng)用場(chǎng)景十分廣泛,下面將詳細(xì)介紹其參數(shù)特點(diǎn)和應(yīng)用場(chǎng)景。一、參數(shù)特點(diǎn):1. 低噪聲特性: 2SC2240具有出色的低噪聲性能,適用于對(duì)信號(hào)質(zhì)量要求較高的場(chǎng)合,如音頻放大器、收音機(jī)等電路中。2. 高電流增益: 該晶體管具有高增益特性,能夠有效放大微弱信號(hào),提高信號(hào)處理電路的靈敏度和性能。3. 寬工作頻率范圍: 2SC2240在較寬的頻率范圍內(nèi)都能夠保持穩(wěn)定的放大特性,適用于高頻放大和信號(hào)處理應(yīng)用。4. 穩(wěn)定的工作溫
        http://www.kannic.com/Article/2sc2240dxy_1.html3星
        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]雙極性晶體管技術(shù)的創(chuàng)新分析與應(yīng)用領(lǐng)域[ 2024-05-08 10:42 ]
        在20世紀(jì)中期,盡管鍺晶體管因其較低的截止電壓(通常約0.2伏特)而廣泛使用于某些特定應(yīng)用中,硅晶體管因其更高的溫度穩(wěn)定性和更廣泛的地球儲(chǔ)量(位列氧之后)而逐漸取代了鍺。早期,雙極性晶體管主要由鍺制成,但鍺的主要缺陷是容易發(fā)生熱失控,這是因?yàn)殒N的禁帶寬度較窄,對(duì)工作溫度的要求相對(duì)更嚴(yán)格。隨著場(chǎng)效應(yīng)管技術(shù),尤其是CMOS技術(shù)的發(fā)展,由于其低功耗特性,這類器件開(kāi)始在數(shù)字集成電路領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位,從而使得雙極性晶體管的應(yīng)用頻率有所下降。然而,雙極性晶體管在模擬電路和射頻電路中依然扮演著不可或缺的角色,特別是在高頻和功率控
        http://www.kannic.com/Article/sjxjtgjsdc_1.html3星
        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]晶體管電路低邊和高邊的工作原理介紹[ 2023-04-19 17:44 ]
        晶體管電路低邊和高邊的工作原理介紹為什么存在這兩種方式,它們的工作原理,以及何時(shí)使用它們?電路中,晶體管常常被用來(lái)當(dāng)做開(kāi)關(guān)使用。晶體管用作開(kāi)關(guān)時(shí)有兩種不同的接線方式:高邊(high side)和低邊(low side)。高邊和低邊是由晶體管在電路中的位置決定的。晶體管可以是雙極性晶體管(BJT)或者場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)。1. 低邊晶體管電路低邊開(kāi)關(guān),晶體管接地,也就是說(shuō)晶體管在負(fù)載和地之間。由于晶體管正在開(kāi)關(guān)接地線路或位于負(fù)載的低電壓端,因此稱為低邊開(kāi)關(guān)。通常使用 NPN 型三極管或者 N 溝道場(chǎng)效應(yīng)管。對(duì)于
        http://www.kannic.com/Article/jtgdldbhgb_1.html3星
        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]雙極性晶體管的結(jié)構(gòu)和工作原理介紹[ 2023-02-25 11:40 ]
        雙極性晶體管(英語(yǔ):bipolar transistor),全稱雙極性結(jié)型晶體管(bipolar junction transistor, BJT),俗稱三極管,是一種具有三個(gè)終端的電子器件,由三部分摻雜程度不同的半導(dǎo)體制成,晶體管中的電荷流動(dòng)主要是由于載流子在PN結(jié)處的擴(kuò)散作用和漂移運(yùn)動(dòng)。雙極性晶體管,它有兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成,引出三個(gè)電極,所以有NPN和PNP兩種管子。三個(gè)電極分別從導(dǎo)電區(qū)引出,稱為發(fā)射極、基極和集電極,所對(duì)應(yīng)的區(qū)分別稱為發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。其中,發(fā)射區(qū)的摻雜濃度很高,用于發(fā)射載流子,集電區(qū)摻雜較低
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        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]低邊和高邊晶體管電路的工作原理介紹[ 2023-02-18 11:00 ]
        為什么存在這兩種方式,它們的工作原理,以及何時(shí)使用它們?電路中,晶體管常常被用來(lái)當(dāng)做開(kāi)關(guān)使用。晶體管用作開(kāi)關(guān)時(shí)有兩種不同的接線方式:高邊(high side)和低邊(low side)。高邊和低邊是由晶體管在電路中的位置決定的。晶體管可以是雙極性晶體管(BJT)或者場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)。1. 低邊晶體管電路低邊開(kāi)關(guān),晶體管接地,也就是說(shuō)晶體管在負(fù)載和地之間。由于晶體管正在開(kāi)關(guān)接地線路或位于負(fù)載的低電壓端,因此稱為低邊開(kāi)關(guān)。通常使用 NPN 型三極管或者 N 溝道場(chǎng)效應(yīng)管。對(duì)于 NPN 三極管來(lái)說(shuō),發(fā)射極接地,集
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        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]RET的開(kāi)關(guān)特性介紹[ 2023-02-08 17:15 ]
        可通過(guò)基極電流開(kāi)啟或關(guān)閉雙極結(jié)型晶體管(BJT)。但是,由于基極-發(fā)射極二極管兩端的壓降在很大程度上取決于溫度,因而在許多應(yīng)用中,需要一個(gè)串聯(lián)電阻將基極電流保持在所需水平,從而確保BJT穩(wěn)定安全地工作。了解如何使用RET來(lái)應(yīng)對(duì)標(biāo)準(zhǔn)BJT的溫度依賴性。為了減少元器件數(shù)量、簡(jiǎn)化電路板設(shè)計(jì),配電阻晶體管將一個(gè)或兩個(gè)雙極性晶體管與偏置電阻組合在一起,集成在同一個(gè)晶片上。替代方案包括在基極-發(fā)射極路徑上并聯(lián)第二個(gè)集成電阻,以創(chuàng)建用于設(shè)置基極電壓的分壓器。這可以提供更精細(xì)的微調(diào)和更好的關(guān)斷特性。由于這些內(nèi)部電阻的容差高于外部電
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        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]開(kāi)關(guān)電源波紋的產(chǎn)生、測(cè)量及抑制介紹[ 2022-09-27 16:29 ]
        開(kāi)關(guān)電源紋波的產(chǎn)生我們最終的目的是要把輸出紋波降低到可以忍受的程度,達(dá)到這個(gè)目的最根本的解決方法就是要盡量避免紋波的產(chǎn)生,首先要清楚開(kāi)關(guān)電源紋波的種類和產(chǎn)生原因。上圖是開(kāi)關(guān)電源中最簡(jiǎn)單的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)-buck降壓型電源。隨著SWITCH的開(kāi)關(guān),電感L中的電流也是在輸出電流的有效值上下波動(dòng)的。所以在輸出端也會(huì)出現(xiàn)一個(gè)與SWITCH同頻率的紋波,一般所說(shuō)的紋波就是指這個(gè)。它與輸出電容的容量和ESR有關(guān)系。這個(gè)紋波的頻率與開(kāi)關(guān)電源相同,為幾十到幾百KHz。另外,SWITCH一般選用雙極性晶體管或者M(jìn)OSFET,不管是哪種,在
        http://www.kannic.com/Article/kgdybwdcsc_1.html3星
        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]三極管做開(kāi)關(guān)電路要如何應(yīng)用[ 2021-03-15 11:51 ]
        三極管做開(kāi)關(guān)電路要如何應(yīng)用三極管也叫雙極性晶體管,是電流控制器件,在數(shù)字電路和模擬電路中廣泛應(yīng)用。它有三個(gè)極,分別基極b,集電極c,發(fā)射極e。三極管有兩種結(jié)構(gòu)形式,分別是NPN型,PNP型。三極管的作用是信號(hào)放大和開(kāi)關(guān)。在數(shù)字電路中,常用三極管做開(kāi)關(guān)電路。今天我們針對(duì)性地講三極管在開(kāi)關(guān)電路的設(shè)計(jì)應(yīng)用。三極管的輸出特性工作在三個(gè)區(qū):飽和區(qū)、放大區(qū)和截止區(qū)。對(duì)于開(kāi)關(guān)電路,主要讓三極管工作在其中的兩個(gè)區(qū):截止區(qū)和飽和區(qū)。截止區(qū):對(duì)于NPN型三極管,Ube<0.5V時(shí)已開(kāi)始截止,但通常為了保證可靠截止,常使 Ube=0或反
        http://www.kannic.com/Article/sjgzkgdlyr_1.html3星
        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]三極管做開(kāi)關(guān)電路怎么應(yīng)用?[ 2021-02-25 14:23 ]
        三極管做開(kāi)關(guān)電路怎么應(yīng)用?三極管也叫雙極性晶體管,是電流控制器件,在數(shù)字電路和模擬電路中廣泛應(yīng)用。它有三個(gè)極,分別基極b,集電極c,發(fā)射極e。三極管有兩種結(jié)構(gòu)形式,分別是NPN型,PNP型。三極管的作用是信號(hào)放大和開(kāi)關(guān)。在數(shù)字電路中,常用三極管做開(kāi)關(guān)電路。今天我們針對(duì)性地講三極管在開(kāi)關(guān)電路的設(shè)計(jì)應(yīng)用。三極管的輸出特性工作在三個(gè)區(qū):飽和區(qū)、放大區(qū)和截止區(qū)。對(duì)于開(kāi)關(guān)電路,主要讓三極管工作在其中的兩個(gè)區(qū):截止區(qū)和飽和區(qū)。截止區(qū):對(duì)于NPN型三極管,Ube<0.5V時(shí)已開(kāi)始截止,但通常為了保證可靠截止,常使 Ube=0或反
        http://www.kannic.com/Article/sjgzkgdlzm_1.html3星
        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOSFET雪崩擊穿問(wèn)題詳情分析[ 2020-12-04 17:02 ]
        MOSFET雪崩擊穿問(wèn)題詳情分析MOSFET雪崩擊穿問(wèn)題分析功率MOSFET在電力電子設(shè)備中應(yīng)用十分廣泛,因其故障而引起的電子設(shè)備損壞也比較常見(jiàn)。分析研究功率MOSFET故障的原因、后果,對(duì)于MOSFET的進(jìn)一步推廣應(yīng)用具有重要意義。在正向偏置工作時(shí),由于功率MOSFET是多數(shù)載流子導(dǎo)電,通常被看成是不存在二次擊穿的器件。但事實(shí)上,當(dāng)功率MOSFET反向偏置時(shí),受電氣量變化(如漏源極電壓、電流變化)的作用,功率MOSFET內(nèi)部載流子容易發(fā)生雪崩式倍增,因而發(fā)生雪崩擊穿現(xiàn)象。與雙極性晶體管的二次擊穿不同,MOSFET
        http://www.kannic.com/Article/mosfetxbjc_1.html3星
        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]三極管-MOSFET-IGBT的區(qū)別[ 2020-08-20 18:08 ]
        三極管-MOSFET-IGBT的區(qū)別 所有人都知道IGBT的標(biāo)準(zhǔn)定義,但是很少有人詳細(xì)地、系統(tǒng)地從這句話抽絲剝繭,一層一層地分析為什么定義里說(shuō)IGBT是由BJT和MOS組成的,它們之間有什么區(qū)別和聯(lián)系,在應(yīng)用的時(shí)候,什么時(shí)候能選擇IGBT、什么時(shí)候選擇BJT、什么時(shí)候又選擇MOSFET管。這些問(wèn)題其實(shí)并非很難,你跟著我看下去,就能窺見(jiàn)其區(qū)別及聯(lián)系。為什么說(shuō)IGBT是由BJT和MOSFET組成的器件?要搞清楚IGBT、BJT、MOSFET之間的關(guān)系,就必須對(duì)這三者的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理有大致的了解。BJT:雙極性晶體管
        http://www.kannic.com/Article/sjgmosfeti_1.html3星
        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]深入理解三極管(BJT)的工作原理知識(shí)[ 2020-07-13 14:50 ]
        深入理解三極管(BJT)的工作原理知識(shí)三極管是經(jīng)常應(yīng)用的一個(gè)電子元器件,在模擬電路中經(jīng)常利用其工作在線性區(qū)來(lái)做信號(hào)處理電流放大等,在數(shù)字電路中又會(huì)利用其工作在飽和區(qū)截止區(qū)來(lái)作為開(kāi)關(guān)控制。作為開(kāi)關(guān)使用,除了在數(shù)字電路中應(yīng)用以外,還多用于電力電子中用作功率處理,常見(jiàn)有開(kāi)關(guān)電源、逆變器等。然而,很多資料對(duì)三極管的介紹常常太過(guò)簡(jiǎn)單或不夠深入,以至于我們對(duì)三極管的理解經(jīng)常一頭霧水,或者對(duì)其工作機(jī)制理解不到位。所以本文著重從半導(dǎo)體內(nèi)部機(jī)制來(lái)介紹其工作原理。雙極性晶體管,全程雙極性結(jié)型晶體管(bipolar junction t
        http://www.kannic.com/Article/srljsjgbjt_1.html3星
        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]詳細(xì)理解三極管(BJT)的工作原理[ 2020-07-01 16:51 ]
        詳細(xì)理解三極管(BJT)的工作原理三極管是經(jīng)常應(yīng)用的一個(gè)電子元器件,在模擬電路中經(jīng)常利用其工作在線性區(qū)來(lái)做信號(hào)處理電流放大等,在數(shù)字電路中又會(huì)利用其工作在飽和區(qū)截止區(qū)來(lái)作為開(kāi)關(guān)控制。作為開(kāi)關(guān)使用,除了在數(shù)字電路中應(yīng)用以外,還多用于電力電子中用作功率處理,常見(jiàn)有開(kāi)關(guān)電源、逆變器等。然而,很多資料對(duì)三極管的介紹常常太過(guò)簡(jiǎn)單或不夠深入,以至于我們對(duì)三極管的理解經(jīng)常一頭霧水,或者對(duì)其工作機(jī)制理解不到位。所以本文著重從半導(dǎo)體內(nèi)部機(jī)制來(lái)介紹其工作原理。雙極性晶體管,全程雙極性結(jié)型晶體管(bipolar junction tra
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        [ 2020-06-29 16:44 ]
        PN結(jié)單向?qū)щ娫斫馕龊蚉N結(jié)為什么可以單向?qū)щ奝N結(jié)是什么?PN結(jié)采用不同的摻雜工藝,通過(guò)擴(kuò)散作用,將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體(通常是硅或鍺)基片上,在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)(英語(yǔ):PN junction)。PN結(jié)具有單向?qū)щ娦裕请娮蛹夹g(shù)中許多器件所利用的特性,例如半導(dǎo)體二極管、雙極性晶體管的物質(zhì)基礎(chǔ)。二極管為什么只能單向?qū)щ姡吭诙O管的正向端(正極)加正電壓,負(fù)向端(負(fù)極)加負(fù)電壓,二極管導(dǎo)通,有電流流過(guò)二極管。在二極管的正向端(正極)加負(fù)電壓,負(fù)向端(負(fù)極)加正電壓,二極管截
        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]雙極性晶體管基礎(chǔ)知識(shí)圖解[ 2020-01-14 12:12 ]
        雙極性晶體管基礎(chǔ)知識(shí)圖解雙極性晶體管,俗稱三極管,是一種具有三個(gè)終端的電子器件,由三部分摻雜程度不同的半導(dǎo)體制成,晶體管中的電荷流動(dòng)主要是由于載流子在PN結(jié)處的擴(kuò)散作用和漂移運(yùn)動(dòng)。這種晶體管的工作,同時(shí)涉及電子和空穴兩種載流子的流動(dòng),因此它被稱為雙極性的,所以也稱雙極性載流子晶體管。這種工作方式與諸如場(chǎng)效應(yīng)管的單極性晶體管不同,后者的工作方式僅涉及單一種類載流子的漂移作用。兩種不同摻雜物聚集區(qū)域之間的邊界由PN結(jié)形成。雙極性晶體管能夠放大信號(hào),并且具有較好的功率控制、高速工作以及耐久能力,所以它常被用來(lái)構(gòu)成放大器電
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        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]縱向晶體管及橫向晶體管的原理與區(qū)別[ 2019-12-27 11:33 ]
        縱向晶體管及橫向晶體管的原理與區(qū)別晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。晶體管主要分為兩大類:雙極性晶體管(BJT)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。晶體管有三個(gè)極;雙極性晶體管的三個(gè)極,分別由N型跟P型組成發(fā)射極(Emitter)、基極(Base) 和
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        地 址/Address

        工廠地址:安徽省六安市金寨產(chǎn)業(yè)園區(qū)
        深圳辦事處地址:深圳市福田區(qū)寶華大廈A1428
        中山辦事處地址:中山市古鎮(zhèn)長(zhǎng)安燈飾配件城C棟11卡
        杭州辦事處:杭州市西湖區(qū)文三西路118號(hào)杭州電子商務(wù)大廈6層B座
        電話:13534146615 企業(yè)QQ:2881579535

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