雙極性晶體管(英語：bipolar transistor)，全稱雙極性結型晶體管(bipolar junction transistor, BJT)，俗稱三極管，是一種具有三個終端的電子器件，由三部分摻雜程度不同的半導體制成，晶體管中的電荷流動主要是由于載流子在PN結處的擴散作用和漂移運動。

雙極性晶體管，它有兩個PN結構成，引出三個電極，所以有NPN和PNP兩種管子。

三個電極分別從導電區引出，稱為發射極、基極和集電極，所對應的區分別稱為發射區、基區和集電區。

其中，發射區的摻雜濃度很高，用于發射載流子，集電區摻雜較低，但體積比較大，用于收集載流子，基區最薄，且摻雜濃度最低，用于控制載流子。

雙極型晶體管的結構

由兩個背靠背的PN節構成，兩種載流子參與導電----雙極型結型晶體管。

兩種類型：

結構特點： 發射區(e區)摻雜濃度最高；集電區摻雜濃度低于發射區， 且面積大； 基區很薄， 一般在幾微米到幾十微米，且摻雜濃度最低。

雙極性晶體管的工作原理

NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態下，基極-發射極結(稱這個PN結為“發射結”)處于正向偏置狀態，而基極-集電極(稱這個PN結為“集電結”)則處于反向偏置狀態。在沒有外加電壓時，發射結N區的電子(這一區域的多數載流子)濃度大于P區的電子濃度，部分電子將擴散到P區。同理，P區的部分空穴也將擴散到N區。這樣，發射結上將形成一個空間電荷區(也成為耗盡層)，產生一個內在的電場，其方向由N區指向P區，這個電場將阻礙上述擴散過程的進一步發生，從而達成動態平衡。這時，如果把一個正向電壓施加在發射結上，上述載流子擴散運動和耗盡層中內在電場之間的動態平衡將被打破，這樣會使熱激發電子注入基極區域。在NPN型晶體管里，基區為P型摻雜，這里空穴為多數摻雜物質，因此在這區域電子被稱為“少數載流子”。

從發射極被注入到基極區域的電子，一方面與這里的多數載流子空穴發生復合，另一方面，由于基極區域摻雜程度低、物理尺寸薄，并且集電結處于反向偏置狀態，大部分電子將通過漂移運動抵達集電極區域，形成集電極電流。為了盡量緩解電子在到達集電結之前發生的復合，晶體管的基極區域必須制造得足夠薄，以至于載流子擴散所需的時間短于半導體少數載流子的壽命，同時，基極的厚度必須遠小于電子的擴散長度(diffusion length，參見菲克定律)。在現代的雙極性晶體管中，基極區域厚度的典型值為十分之幾微米。需要注意的是，集電極、發射極雖然都是N型摻雜，但是二者摻雜程度、物理屬性并不相同，因此必須將雙極性晶體管與兩個相反方向二極管串聯在一起的形式區分開來。

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