Crss:反Ig：MOS柵極驅動電流；Vb：穩態柵極驅動電壓；

Ig=[Vb-Vgs(th)]/Rg；

效應時刻（開關時刻）Ton/off=Qgd/Ig；

第1種：（第1種的變形）

Qg=（CEI）(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod （可在datasheet中找到）

Tr：上升時刻。輸出電壓VDS從90%下降到其幅值10%的時刻

td(on)：MOS導通延遲時刻，從有駛入電壓上升到10%開始到VDS下降到其幅值90%的時刻。

Ton=t3-t0≈td(on)+tr

其間：

Ig=Qg/Ton

能夠運用如下公式估算：

第2種:

假設兩種Vod都大于零，闡明晶體管溝道全開，也即是處于線性區。只要一種Vod大于零，闡明晶體管溝道半開（在DS恣意一端沒打開有夾斷），也即是處于飽滿區。

Vod2=Vds-Vth；

Vod1=Vgs-Vth；

3）假設能夠愈加深化了解的話，能夠領會到過驅動電壓不單單合用于指代Vgs，也合用于指代Vgd。即

2）溝道電荷多少直接與過驅動電壓二次方成正比。也即是說，能夠運用過驅動電壓來核算飽滿區的電流。

1）只要在你的過驅動電壓“大于零”的情況下，溝道才會構成，MOS管才會作業。也即是說，能夠運用過驅動電壓來斷定晶體管是不是導通。

MOS驅動電壓Vod=Vgs-Vth。能夠了解為：超過驅動門限（Vth）的剩余電壓巨細。

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