引起IGBT失效的原因及保護方法

IGBT的使用方法

IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種典型的雙極MOS復(fù)合型功率器件。它結(jié)合功率MOSFET的工藝技術(shù)，將功率MOSFET和功率管GTR集成在同一個芯片中。該器件具有開關(guān)頻率高、輸入阻抗較大、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動電路簡單、低飽和電壓及大電流等特性，被作為功率器件廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、電力電子系統(tǒng)等領(lǐng)域（例如：伺服電機的調(diào)速、變頻電源）。為使我們設(shè)計的系統(tǒng)能夠更安全、更可靠的工作，對IGBT的保護顯得尤為重要。

目前，在使用和設(shè)計IGBT的過程中，基本上都是采用粗放式的設(shè)計模式——所需余量較大，系統(tǒng)龐大，但仍無法抵抗來自外界的干擾和自身系統(tǒng)引起的各種失效問題。瞬雷電子公司利用在半導(dǎo)體領(lǐng)域的生產(chǎn)和設(shè)計優(yōu)勢，結(jié)合瞬態(tài)抑制二極管的特點，在研究IGBT失效機理的基礎(chǔ)上，通過整合系統(tǒng)內(nèi)外部來突破設(shè)計瓶頸。本文將突破傳統(tǒng)的保護方式，探討IGBT系統(tǒng)電路保護設(shè)計的解決方案。

IGBT失效場合：來自系統(tǒng)內(nèi)部，如電力系統(tǒng)分布的雜散電感、電機感應(yīng)電動勢、負載突變都會引起過電壓和過電流；來自系統(tǒng)外部，如電網(wǎng)波動、電力線感應(yīng)、浪涌等。歸根結(jié)底，IGBT失效主要是由集電極和發(fā)射極的過壓/過流和柵極的過壓/過流引起。

IGBT失效機理：IGBT由于上述原因發(fā)生短路，將產(chǎn)生很大的瞬態(tài)電流——在關(guān)斷時電流變化率di/dt過大。漏感及引線電感的存在，將導(dǎo)致IGBT集電極過電壓，而在器件內(nèi)部產(chǎn)生擎住效應(yīng)，使IGBT鎖定失效。同時，較高的過電壓會使IGBT擊穿。IGBT由于上述原因進入放大區(qū)， 使管子開關(guān)損耗增大。

IGBT傳統(tǒng)防失效機理：盡量減少主電路的布線電感量和電容量，以此來減小關(guān)斷過電壓；在集電極和發(fā)射極之間，放置續(xù)流二極管，并接RC電路和RCD電路等；在柵極，根據(jù)電路容量合理選擇串接阻抗，并接穩(wěn)壓二極管防止柵極過電壓。

引起IGBT失效的原因

1、過熱容易損壞集電極，電流過大引起的瞬時過熱及其主要原因，是因散熱不良導(dǎo)致的持續(xù)過熱均會使IGBT損壞。如果器件持續(xù)短路 ，大電流產(chǎn)生的功耗將引起溫升，由于芯片的熱容量小，其溫度迅速上升，若芯片溫度超過硅本征溫度，器件將失去阻斷能力，柵極控制就無法保護，從而導(dǎo)致IGBT失效。實際應(yīng)用時，一般最高允許的工作溫度為125℃左右。

2、超出關(guān)斷安全工作區(qū)引起擎住效應(yīng)而損壞。擎住效應(yīng)分靜態(tài)擎住效應(yīng)和動態(tài)擎住效應(yīng)。IGBT為PNPN 4層結(jié)構(gòu)，因體內(nèi)存在一個寄生晶閘管，當集電極電流增大到一定程度時，則能使寄生晶閘管導(dǎo)通，門極失去控制作用，形成自鎖現(xiàn)象，這就是所謂的靜態(tài)擎住效應(yīng)。IGBT發(fā)生擎住效應(yīng)后，集電極電流增大，產(chǎn)生過高功耗，導(dǎo)致器件失效。動態(tài)擎住效應(yīng)主要是在器件高速關(guān)斷時電流下降太快，dvCE/dt很大，引起較大位移電流，也能造成寄生晶閘管自鎖。

3、瞬態(tài)過電流IGBT在運行過程中所承受的大幅值過電流除短路、直通等故障外，還有續(xù)流二極管的反向恢復(fù)電流、緩沖電容器的放電電流及噪聲干擾造成的尖峰電流。這種瞬態(tài)過電流雖然持續(xù)時間較短，但如果不采取措施，將增加IGBT的負擔，也可能會導(dǎo)致IGBT失效 。

4、過電壓造成集電極、發(fā)射極擊穿或造成柵極、發(fā)射極擊穿。

IGBT保護方法

當過流情況出現(xiàn)時，IGBT必須維持在短路安全工作區(qū)內(nèi)。IGBT承受短路的時間與電源電壓、柵極驅(qū)動電壓以及結(jié)溫有密切關(guān)系。為了防止由于短路故障造成IGBT損壞，必須有完善的檢測與保護環(huán)節(jié)。一般的檢測方法分為電流傳感器和IGBT欠飽和式保護。

1、立即關(guān)斷驅(qū)動信號

在逆變電源的負載過大或輸出短路的情況下，通過逆變橋輸入直流母線上的電流傳感器進行檢測。當檢測電流值超過設(shè)定的閾值時，保護動作封鎖所有橋臂的驅(qū)動信號。這種保護方法最直接，但吸收電路和箝位電路必須經(jīng)特別設(shè)計，使其適用于短路情況。這種方法的缺點是會造成IGBT關(guān)斷時承受應(yīng)力過大，特別是在關(guān)斷感性超大電流時， 必須注意擎住效應(yīng)。

2、先減小柵壓后關(guān)斷驅(qū)動信號

IGBT的短路電流和柵壓有密切關(guān)系，柵壓越高，短路時電流就越大。在短路或瞬態(tài)過流情況下若能在瞬間將vGS分步減少或斜坡減少，這樣短路電流便會減小下來，長允許過流時間。當IGBT關(guān)斷時，di/dt也減小。限制過電流幅值。

壹芯微科技針對二三極管,MOS管作出了良好的性能測試，應(yīng)用各大領(lǐng)域，如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以點擊右邊的工程師,或者點擊銷售經(jīng)理給您精準的報價以及產(chǎn)品介紹