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來源:壹芯微 發(fā)布日期
2021-10-23 瀏覽:-肖特基二極管與場效應(yīng)管分辨方法詳細(xì)介紹
肖特基二極管代換傳統(tǒng)普通二極管后,使用率也多了,因此有時(shí)候會很難分辨肖特基二極管和場效應(yīng)管的區(qū)別。
肖特基二極管是二極管的一種,特點(diǎn):低功耗、超高速、反向恢復(fù)時(shí)間極短、正向壓降小,適合作整流電路使用;
場效應(yīng)管是三極管的一種,特點(diǎn):輸入阻抗高、噪聲小、功耗低、漏電流小,開關(guān)特性好,適合做放大電路或開關(guān)電路。
二極管與三極管完全是兩種類型,不能相比較,但同屬電子元件類。
肖特基二極管和普通二極管或場效應(yīng)管有很多相同的封裝,因此外觀有很多相似,用戶使用時(shí)有所困惑也是難免的

場效應(yīng)管介紹
場效應(yīng)管是場效應(yīng)晶體管的簡稱,應(yīng)為縮寫為FET。場效應(yīng)管通常分為兩類:1) JFET和MOSFET。這兩類場效應(yīng)管都是壓控型的器件。場效應(yīng)管有三個(gè)電極,分別為:柵極G、漏極D和源極S。目前MOSFET應(yīng)用廣泛,JFET相對較少。MOSFET可以分為NMOS和PMOS,下圖是PMOS的結(jié)構(gòu)圖、NMOS和MOSFET的電路符號圖。

PMOS的結(jié)構(gòu)是這樣的: 在N型硅襯底上做了兩個(gè)P型半導(dǎo)體的P+區(qū),這兩個(gè)區(qū)分別叫做源極S和漏極D,在N型半導(dǎo)體的絕緣層上引出柵極G。NMOS的實(shí)物圖和引腳分布如下圖所示。

肖特基二極管介紹
肖特基二極管又叫勢壘二極管,是由金屬和半導(dǎo)體接觸形成的二極管,其特點(diǎn)為:
反向恢復(fù)時(shí)間非常短,為ns級別;
正向?qū)▔航捣浅5停簽?.3-0.5V左右;
漏電流較大、反向擊穿電壓比較低;
通常用在低壓開關(guān)電源中,以肖特基二極管MBR30100為例,其實(shí)物圖和結(jié)構(gòu)圖如下圖所示。

該肖特基二極管有三個(gè)電極,其中一個(gè)公共端是陰極,由兩個(gè)二極管共陰極構(gòu)成。
關(guān)于場效應(yīng)管的反向并接的二極管的問題?
有些場效應(yīng)管的規(guī)格書里原理圖上標(biāo)有一個(gè)穩(wěn)壓管符號,為了搞清楚其中的真正情況,我們抽取了幾種有該二極管符號的樣品進(jìn)行檢測試驗(yàn),發(fā)現(xiàn)有以下兩種情況:
1.實(shí)際是本體的寄生二極管;2集成的肖特基二極管

前一種情況,估計(jì)是做文件時(shí)直接將其他文件中的圖形復(fù)制過來所致。關(guān)于該本體二級管的特性,在規(guī)格書中應(yīng)該有規(guī)格說明的。但請大家注意,是二極管而不是穩(wěn)壓管,不要被穩(wěn)壓管的圖形搞暈了。
第二種情況,注意,是肖特基二極管,圖中標(biāo)注的符號也不對。有些元件有這樣集成的情況,且在其參數(shù)表中一定有相關(guān)方面的參數(shù)說明,即:肖特基二極管的電壓電流參數(shù),大家在識別元件時(shí)應(yīng)該注意相關(guān)的參數(shù)

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