肖特基二極管與場(chǎng)效應(yīng)管(MOS)的不同點(diǎn)詳細(xì)介紹

肖特基二極管

肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫(xiě)成SBD)的簡(jiǎn)稱(chēng)。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱(chēng)為金屬-半導(dǎo)體(接觸)二極管或表面勢(shì)壘二極管，它是一種熱載流子二極管。

肖特基二極管是二極管，特點(diǎn)是低功耗、超高速、反向恢復(fù)時(shí)間極短、正向壓降小，適合做整流電路；場(chǎng)效應(yīng)管是三極管，特點(diǎn)是輸入阻抗高、噪聲小、功耗低、漏電流小，開(kāi)關(guān)特性好，適合做放大電路或開(kāi)關(guān)電路。

肖特基二極管是貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因?yàn)镹型半導(dǎo)體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴(kuò)散。顯然，金屬A中沒(méi)有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。隨著電子不斷從B擴(kuò)散到A，B表面電子濃度逐漸降低，表面電中性被破壞，于是就形成勢(shì)壘，其電場(chǎng)方向?yàn)锽→A。

但在該電場(chǎng)作用之下，A中的電子也會(huì)產(chǎn)生從A→B的漂移運(yùn)動(dòng)，從而消弱了由于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)而形成的電場(chǎng)。當(dāng)建立起一定寬度的空間電荷區(qū)后，電場(chǎng)引起的電子漂移運(yùn)動(dòng)和濃度不同引起的電子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)達(dá)到相對(duì)的平衡，便形成了肖特基勢(shì)壘。

場(chǎng)效應(yīng)管

場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET))簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類(lèi)型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱(chēng)為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高(107～1015Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。

場(chǎng)效應(yīng)管通常分為兩類(lèi)：JFET和MOSFET；這兩類(lèi)場(chǎng)效應(yīng)管都是壓控型的器件。場(chǎng)效應(yīng)管有三個(gè)電極，分別為：柵極G、漏極D和源極S。目前MOSFET應(yīng)用廣泛，JFET相對(duì)較少。MOSFET可以分為NMOS和PMOS。

由于肖特基勢(shì)壘高度低于PN結(jié)勢(shì)壘高度，故其正向?qū)ㄩT(mén)限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低(約低0.2V)。它是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問(wèn)題。SBD的反向恢復(fù)時(shí)間只是肖特基勢(shì)壘電容的充、放電時(shí)間，完全不同于PN結(jié)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間。由于SBD的反向恢復(fù)電荷非常少，故開(kāi)關(guān)速度非常快，開(kāi)關(guān)損耗也特別小，尤其適合于高頻應(yīng)用。

肖特基二極體最大的缺點(diǎn)是其反向偏壓較低及反向漏電流偏大，像使用硅及金屬為材料的肖特基二極體，其反向偏壓額定耐壓最高只到 50V，而反向漏電流值為正溫度特性，容易隨著溫度升高而急遽變大，實(shí)務(wù)設(shè)計(jì)上需注意其熱失控的隱憂(yōu)。

場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過(guò)VGS(柵源電壓)來(lái)控制ID(漏極電流);場(chǎng)效應(yīng)管的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻(107～1012Ω)很大。它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好;組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù);場(chǎng)效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng);它不存在雜亂運(yùn)動(dòng)的電子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。

如需了解產(chǎn)品報(bào)價(jià)或詳細(xì)信息，歡迎QQ咨詢(xún)或在線(xiàn)留言 

【壹芯微】半導(dǎo)體功率器件制造廠(chǎng)商，專(zhuān)業(yè)研發(fā)生產(chǎn)與銷(xiāo)售：二極管/三極管/MOS場(chǎng)效應(yīng)管/橋堆等，20年生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，始終堅(jiān)信質(zhì)量就是生命，除提供免費(fèi)試樣外，更可根據(jù)客戶(hù)需求進(jìn)行量身定制產(chǎn)品選型，直接百度搜索“壹芯微”即可找到我們，如需咨詢(xún)產(chǎn)品或遇到需要幫助解決的問(wèn)題，歡迎咨詢(xún)官網(wǎng)在線(xiàn)客服，或留言并留下聯(lián)系方式，我們將為您轉(zhuǎn)接銷(xiāo)售業(yè)務(wù)或工程師為您解答。

銷(xiāo)售業(yè)務(wù)：13534146615(黃先生)

QQ：2881579535