顯卡MOS管詳解以及顯卡MOS管分類和選購知識

顯卡的MOS管

顯卡MOS管，三腳MOS依然是現在顯卡上最常見的，八爪魚MOS是全新的封裝形式，它最大的優點是內阻低、轉換率高、溫度低。整合MOS繼承了8腳MOS的優點，不同的是其內部整合進了多個MOS以提高輸出和減少占地面積。以上三者均屬于一般MOS類別，它們的耐溫通常不能高于85度。PWM數控整合MOS，它需要配合一整套全數字控制的供電電路，擁有傳統MOS無可比擬的輸出電壓準確性、穩定性和壽命，極低的內阻和高達137度+的承受力非常適合為頂級顯卡服務。配合優良的電感電容以及先進的供電芯片，其轉換率甚至能達到90%甚至更高。

顯卡mos管的外觀如下圖：

顯卡MOS管供電

顯卡MOS管，MOSFET管是金屬-氧化物半導體場效應晶體管晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的英文簡稱，是FET管的一種，在不致混淆的情況下，我們一般就直接叫它MOS管。MOSFET在顯卡的供電系統中的主要作用是電壓控制，即判斷電位，為元器件提供穩定的電壓。MOSFET具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，因此比雙極型晶體管和功率晶體管應用更為廣泛。

顯卡MOS管，MOSFET管一般以兩個或兩個以上組成一組出現在顯卡上，分為上下兩組，稱為上橋和下橋。上橋MOSFET承擔外部輸入電流，導通的時間短，承擔電流低；下橋MOSFET承擔的是GPU工作所需電壓，其承擔的電流是上橋MOSFET的10倍多，導通的時間比上橋長很多。因此，一般下橋MOSFET的規模要大于上橋MOSFET，如上圖所示，上橋MOSFET管只有一個橫向的，而下橋卻有兩個縱向的，這種一上兩下的設計是顯卡MOSFET排布中的經典布局。

上下兩橋的MOSFET管工作時就像水塔，上面在灌水，下面在放水。水塔快滿的時候就停止灌水（MOSFET上橋關），水塔快干的時候就開始灌水（MOSFET上橋開），這樣底下持續放水的流量就會趨向穩定，GPU就能得到平穩的電壓，有利于性能的發揮。

整合型MOSFET管

除了常見的一上兩下分離式MOSFET管布局外，還有一種整合式的MOSFET也很常見，這種MOSFET被稱為DrMOS。DrMos技術屬于intel在04年推出的服務器主板節能技術，其上橋MosFET以及下橋MosFET均封裝在同一芯片中，占用的PCB面積更小，更有利于布線。DrMOS面積是分離MOSFET的1/4，功率密度是分離MOSFET的3倍，增加了超電壓和超頻的潛力。應用DrMOS的主板能擁有節能、高效能超頻、低溫等特色，其工作溫度要比傳統的MOSFET管溫度約低一半，但成本相對較高，因此現在多由于高端顯卡產品上。

顯卡MOS管分類和選購知識

在看顯卡的評測時，經常會聽到MOS管這個用語，三腳MOS，八腳MOS等等，其實他們是什么？有什么作用？下邊就分享一下MOS管的分類和選購方面的內容，讓您能夠清楚的分辨MOS管。

說到MOS管的作用，只說一個原件是非常難說的。上次說過pwm的芯片工作原理，其實pwm就是通過控制MOS管才能進行電壓調節的。上邊的圖是一個基本的顯卡供電電路圖。上邊簡單明了的介紹了顯卡從12v輸入之后所要做的事情，首先是通過C1輸入濾波電容，然后經過PWM所控制的上下橋mos管，到最后的輸出電壓，這個時候，電壓已經從12V通過pwm調節變成了核心所需要的電壓了,電感主要作用是上橋和下橋的MOS管輪流接通，先打開上橋mos管，給電感充電儲能，然后關閉上橋，打開下橋，電感向外部釋放能量，然后關閉下橋，打開上橋，繼續為電感充電如此反復，通過pwm的頻率調節即可形成我們所需要的核心，顯存供電電壓。

放大來看，八個腳的黑乎乎的就是我們所說的電感了，我們可以看到，靠近右邊輸入濾波電容的為上橋MOS管，靠近左邊的電感的為下橋MOS管，其中上橋為一個，下橋為兩個。而這個設計又有什么優勢呢？主要問題在于，上橋和下橋的開關時間不一樣，上橋由于電壓較高，電流較低，而下橋則不同了，電壓的降低導致了電流的增大幅度大了許多，因此，可以看到這款顯卡采用的是一個上橋，兩個下橋的方案。而有些顯卡采用的是上橋兩個，下橋兩個的方案，其實起到的是錦上添花的作用，實際上上橋的電流較小，一個就已經足夠。

下邊開始分析MOS管的型號，從圖中可以看到，MOS管為八個針腳，也就是常說的八爪魚，其實這是一種封裝方式，封裝命名叫做SO8封裝。這種封裝的MOS管優勢很明顯。

1.因為內阻低，效率極高，所以溫度低，壽命較長。其實效率和內阻是很大關系的，電子原件不做工就產生熱量，而內阻低效率高的話，損失的電能量就低，從省電的角度上，低內阻的MOS管可以做出一定的奉獻，不過這個是針對功耗較高的產品。在功耗較大的核心里邊，MOS管的開關次數每秒超過一億次，在如此多的開關次數中，產生的熱量較小，且有一定的省電優勢。

對于GTX590，6990這樣的顯卡，數據顯示，發熱量最大的位置并不在于核心，而在于供電，而供電部分最為負荷大的就是MOS管了，因而內阻降低了，效率提高了，對于溫度方面是一個很大的優勢。這些是老封裝無法比擬的。

2.因為寬度只有3.8MM，占用面積小，更利于布置多相供電。對于高端顯卡，普遍4相供電起步，這樣布線是一個很大的挑戰，對于SO8封裝，寬度只有3.8MM，這有布線的優勢就很明顯了，容易塞更多的MOS管到板卡里邊，制造出更多相供電的顯卡。

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