UT30P03L-TN3-T(替代原裝DC033PG)-30V,-26A TO-252 P溝道MOS管

UT30P03L-TN3-T(P溝道增強型場效應晶體管)；UT30P03L-TN3-T場效應管參數；UT30P03L-TN3-T場效應管封裝引腳圖；UT30P03L-TN3-T場效應管中文資料規格書(PDF)；

電流(ID)：-26A，電壓(VDSS)：-30V，封裝形式：TO252

參數特性

* RDS(ON)≤40mΩ @ VGS=-10V, ID=-10A

* RDS(ON)≤60mΩ @ VGS=-4.5V，ID=-10A

* 低電容

* 優化柵極電荷

* 快速切換能力

* 指定雪崩能量

絕對最大額定值（TC=25C，除非另有說明）

漏源電壓VDSS：-30V

柵源電壓VGSS：±20V

連續漏極電流ID：-30A

脈沖漏極電流(注 2)IDM：4A

雪崩能量單脈沖(注 3)EAS：16mJ

峰值二極管恢復dv/dt(注 4)dv/dt：1.35V/ns

功率耗散PD：50W

結溫TJ：+150°C

儲存溫度TSTG：-55~+150°C

注意：

1. 絕對最大額定值是指超出該值可能會永久損壞設備的那些值。絕對最大額定值僅是應力額定值，并不暗示功能設備操作。

2. 重復額定值：脈沖寬度受最大結溫限制。

3. L=0.1mH，IAS=18A，VDD=50V，RG=25Ω，起始TJ=25°C

4. ISD≤30A，di/dt≤200A/μs，VDD≤BVDSS，起始TJ=25°C

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