來源：壹芯微 發布日期
2021-11-29 瀏覽：-TK4P60DB場效應管參數 MOS管 TK4P60DB參數規格書下載
TK4P60DB場效應管參數代換,TK4P60DB封裝引腳圖,TK4P60DB規格書(數據手冊)
(圖：TK4P60DB場效應管 TO-252封裝引腳圖)
壹芯微供應TK4P60DB系列場效應管，可替代昂貴的國外知名品牌對應型號。
| 參數 | 符號 | 值 | 單位 |
| 漏極-源極電壓 | VDSS | 600 | V |
| 柵極-源極電壓 | VGSS | ±30 | V |
| 單脈沖雪崩電流 | IAR | 3.7 | A |
| 柵極-源極電壓 | ID | 3.7 | A |
| 漏極電流-脈沖 | IDM | - | A |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | 147 | mJ |
| 重復雪崩能量 | EAR | 8 | mJ |
| 二極管恢復峰值 | dv/dt | - | V/ns |
| 功耗,(TC = 25°C) | PD | 80 | W |
| 工作結溫范圍 | TJ | -55~150 | °С |
| 貯存溫度范圍 | TSTG | -55~150 | °С |
(參數表：絕對最大額定參數與電氣特性等)
TK4P60DB.PDF規格書/數據手冊(點擊紅色字體下載)
壹芯微(二,三極管,MOS管專業生產商)主要生產與銷售：肖特基二極管,整流二極管,TVS二極管,快恢復二極管,超快恢復二極管,高效整流二極管,晶體三極管,MOSFET/場效應管,可控硅,三端穩壓管,整流橋堆,IC集成電路;工廠直銷價,品質保障,提供售前選型,送樣測試,技術支持,售后FEA,如需了解產品報價及詳細信息,歡迎咨詢官網在線客服。
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